Для операций умножения и деления использовать команды сдвига

Программа должна вводить и выводить исходные данные, выводить следующие результаты: значение выражения и номер выражения (1 или 2) или сообщение о том, что числа А, В, С очищены.

Исходные данные и результаты вывести в шестнадцатеричной системе счисления. Все переменные, используемые в программе должны быть положительными и иметь целочисленный тип. Переменные А, B должны иметь тип unsigned int, С – тип unsigned char.

Результаты выполнения программы вывести в таблицу, вид которой придумать самостоятельно.

Таблица 6.1

Вариант	Тестируемые биты	Выражение 1, 2 или очистка А.В,С
А	В	С
	1, 2, 5, 8	3, 4, 7-12
2, 6-11, 15	4,9,13,15
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1-4, 12-15	5, 8, 10, 13
2,8,12,15	1,7,9,15
В остальных случаях	очистить А, В, С
	3,6,9,13	1-7,12
10,12,16	3,7,12
В остальных случаях	очистить А, В, С
	5-8,14,16	4-8,12
4,6,8,10	12,15
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1,6,14	2-7,12,15	1,2
1,5-9	1,3,8-13	3,4
В остальных случаях	очистить А, В, С
	7,9,11,13	5-8,10-14	5,6
1,2,11,12	2,4,12,14	7,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	3,13,16	5,10,15	1,2,3
4-7,10,12	3-6,9-12	4,5,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1,2,3	4,5,6	2,4,6
6-10,13	все	1,3,5
В остальных случаях	очистить А, В, С
	все	2-6,12,16	1,8
1,5,8,10	4,6,12,15	2,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	четные	1,9,7,6	2,6
1,12,14,16	нечетные	4,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	все	8,9,12-16	1,3
10-16	нечетные	2,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	2,4,6	1,5,9-13	все
2,3,10-16	7,13,15	1,5,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	9,11,14,16	4,6,8,13	2,8
все	нечетные	1,4,7
В остальных случаях	очистить А, В, С
	3,5,12,13	четные	4,8
3,12-16	2,3,5,12-16	1-5
В остальных случаях	очистить А, В, С
	нечетные	все	5,7,8
2,14-16	1,5,13-15	1,5,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	2,4,8	все	нечетные
11,13,16	четные	4,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1,10,15	7,9,11,15
10,13,15	нечетные	6,5
В остальных случаях	очистить А, В, С
	все	2,8,10,16	5,8
3,5,7,16	1,5,9,16	1,4,7
В остальных случаях	очистить А, В, С
	нечетные	2,3,12,13	6,8
5,11,14	четные	2,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1-4,8-14	2-4,12-15	5,8
7-13,16	все	1,4
В остальных случаях	очистить А, В, С
	12,14-16	4,14,16	1,4
все	1,3,5,11	4,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	3,5,9,12	2,3,14,16	все
1-8,13	4-8,14	1-4
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1,5,8,14	2,4,6,7	2,4,8
1-3,6-9,11	все	3,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	12,15,16	четные	все
все	5,8,11-14	2,3
В остальных случаях	очистить А, В, С
	все	2,3,13,15	2,4,6
4,5,6,15	1,12,16	1,4,6
В остальных случаях	очистить А, В, С
	2,3,14,16	все
8,9,13-16	5,9,10,12	5,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	10,12,15	4,5,8,13	2,8
6,11,15	2-6,12-16	1,3,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	2,6,10-13	все	3,7
7,12,14,16	4,6,13,14	все
В остальных случаях	очистить А, В, С
	7,9,13,16	2,4,6,14
все	2,5,8,12,16	7,8
В остальных случаях	очистить А, В, С
	1,2,3,5-9	все	2,6
10,12,14,16	4,6,8,16	3,5,8
В остальных случаях	очистить А, В, С

ОБРАБОТКА СТРУКТУР ДАННЫХ

Разработать алгоритм и программу, обработки заданной структуры данных. Программа должна осуществлять:

1) Ввод исходных данных;

2) Вывод исходных данных в виде таблицы;

3) Вывод данных о транзисторе заданного типа;

4) Вывод типов транзисторов в соответствии с заданными критериями поиска.

Для удобства управления режимом работы с данными, разработать текстовое меню следующего вида:

МЕНЮ.

---------------------------------------------------------------

1. Ввод данных о транзисторах.

2. Вывод данных о транзисторах.

3. Вывод данных о транзисторе заданного типа.

4. В соответствии с заданием 1.

5. В соответствии с заданием 2.

6. Выход из программы.

---------------------------------------------------------------

Выберите пункт меню:

Выбор пункта меню осуществляется по нажатию на кнопку 1 – 6.

В качестве исходных данных можно выбрать использовать справочную информацию по транзисторам, приведенную за таблицей 7.1. Допускается самостоятельный подбор данных из справочной литературы по транзисторам.

Таблица 7.1

Вариант	Поля структуры данных	Задание
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I _к.мах в заданном диапазоне. 2. Найти транзистор с минимальным значением параметра h_21э.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_кбои h_21э выше заданного значения. 2. Найти транзистор с максимальным значением параметра h_21э.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. h_21э выше заданного значения и I_к.махв заданном диапазоне 2. Найти транзистор с минимальным значением параметра I_к.мах.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_кбои P_KMAX в заданном интервале 2. Найти транзисторы с минимальным значением параметра P_KMAX
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбониже заданного значения и h_21эвыше заданного значения 2. Найти транзисторы с максимальным значением I _к.мах* U _{кбо мах}.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. h_21эв диапазоне ±25% от заданного значения и I_к.махвыше указанной величины. 2. Найти транзисторы с максимальным значением I_к.мах.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_{кэ нас} в заданном диапазоне и I_к.махне менее указанной величины. 2. Найти транзистор с максимальным значением параметра h_21э.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. P_KMAX в диапазоне ±15% от заданного значения и h_21э выше указанной величины. 2. Найти транзисторы с минимальным значением параметра U_эбо.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. h_21э выше заданного значения и I_к.мах в заданном диапазоне. 2. Найти транзисторы с максимальным значением I _к.мах* U _{кбо мах}.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.мах, U_кбовыше заданных значений. 2. Среди транзисторов с I_к.мах выше заданного значения, найти транзистор с максимальным значением параметра h_21э,.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. P_KMAX в заданном диапазоне и I_к.махне менее указанной величины. 2. Среди транзисторов с I_к.мах выше заданного значения, найти транзистор с максимальным значением параметра h_21э,.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбониже заданного значения и U_{кэ нас}выше заданного значения 2. Среди транзисторов с I_к.мах в заданном диапазоне, найти транзистор с минимальным значением параметра h_21э
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбо,. U_{кбо мах}, и U_{кэ нас}выше заданных значений 2. Среди транзисторов с h_21э выше заданного значения, найти транзистор с минимальным значением параметра I_к.мах
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.махв заданном диапазоне и h_21э выше заданного значения 2. Среди транзисторов с h_21э ниже заданного значения, найти транзистор с максимальным значением параметра U_{кбо мах}
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.мах, h_21э в заданных диапазонах 2. Среди транзисторов с P_KMAX ниже заданного значения, найти транзистор с максимальным значением I _к.мах* U _{кбо мах}
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.махв диапазоне ±25% от заданного значения и P_KMAX ниже указанной величины. 2. Для заданного типа транзистора увеличить параметр P_KMAX на 10%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.махв заданном диапазоне и h_21э выше заданного значения 2. Для заданного типа транзистора заменить параметр h_21э на новое значение
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбо,. U_{кбо мах} выше заданных значений или I_к.махвыше заданной величины. 2. Для заданного типа транзистора заменить параметры U_{кбо мах} и I_к.мах на новое значение.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. P_KMAX в заданном диапазоне или I_к.махне менее указанной величины. 2. Для заданного типа транзистора увеличить параметр h_21эна 15%.
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. P_KMAX в диапазоне ±15% от заданного значения и h_21э выше указанной величины. 2. Для заданного типа транзистора заменить параметр U_эбо на новое значение
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбо,. U_{кбо мах}, и U_{кэ нас}выше заданных значений 2. Найти транзистор с минимальным значением параметра h_21э и увеличить его I_к.мах на 10%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_кбои P_KMAX в заданном интервале 2. Найти транзистор с максимальным значением параметра U_{кбо мах} и уменьшить его U_{кбо мах} на 10%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. h_21э выше заданного значения или I_к.мах в заданном диапазоне. 2. Заменить тип у транзистора с максимальным значением h_21э
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. P_KMAX в заданном диапазоне или I_к.махне менее указанной величины. 2. Среди транзисторов с I_к.мах в заданном диапазоне, найти транзистор с минимальным значением параметра h_21э
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбониже заданного значения или h_21эвыше заданного значения 2. Для заданного типа транзистора заменить параметр h_21э на новое значение, но не превышающее старое значение более чем на 10%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. P_KMAX в диапазоне ±15% от заданного значения или h_21э выше указанной величины. 2. Для заданного типа транзистора заменить параметр U_{кбо мах} на новое значение, но не превышающее старое значение более чем на 15%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. U_эбониже заданного значения или U_{кэ нас}выше заданного значения 2. Найти транзистор с максимальным значением параметра U_{кэ нас} и увеличить его I_к.мах на 15%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.мах, h_21э в заданных диапазонах 2. Среди транзисторов с h_21э выше заданного значения, найти транзистор с минимальным значением параметра U_{кэ нас}
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. h_21эв диапазоне ±25% от заданного значения или I_к.махвыше указанной величины. 2.Для заданного типа транзистора увеличить параметр h_21эна 5%
	Тип, I_к.мах, U_{кбо мах}, U_эбо, h_21э, P_KMAX, U_{кэ нас}	1. I_к.махв заданном диапазоне или h_21э выше заданного значения 2. Найти транзистор с максимальным значением параметра P_KMAX_мах и увеличить его U_{кбо мах} на 10%