Введение
В настоящее время изучение свойств и различных особенностей структуры тонких композитных пленок стимулирует развитие нанотехнологий. Индустрия в этой области – одно из самых приоритетных направлений развития науки и техники, в новшествах которых нуждаются многие сферы деятельности.
Особый интерес проявляется к исследованиям аморфных композитных пленок, т.к. данный тип пленок отличается уникальными свойствами по сравнению с их кристаллическими аналогами. Также актуальность связана с возможностью их применения в электронике, оптоэлектронике, магнитных устройствах и высокопрочных покрытиях.
В данной работе были изучены аморфные композитные пленки состава 
, 0.40 < x < 0.76, толщиной 0.57 – 1.12 мкм, полученные в атмосфере аргона на лавсановой подложке. Измерения проводились в области СВЧ, на диапазоне частот 7 – 12 ГГц.
Исследованы отражающие свойства пленок разной толщины и состава. Определены коэффициенты отражения, их зависимости от частоты и толщины композитных пленок, а также влияние металлической фазы, т.е. содержания 
, на коэффициент отражения.
Методика и техника эксперимента
I. Описание и принцип работы установки
Для исследования электромагнитных свойств тонких пленок использовался измерительный комплекс «Измеритель КСВН панорамный Р2-61» включает в себя: генератор качающейся частоты ГКЧ 61, индикатор КСВН, модуль ослабления Я2Р-67 и волноводный комплект рефлектометров - выделителей сигналов. СВЧ сигнал, падающий на исследуемый образец, промодулирован с частотой 100 КГц. На выходах приемных детекторов, возникает напряжение, пропорциональное мощности отраженной и падающей волн. В индикаторе осуществляется усиление напряжений падающей и отраженной волн (на частоте модуляции СВЧ сигнала), деление, детектирование, визуальная индикация на экране ЭЛТ и непосредственный отсчет по шкальному устройству.
Рис. 1. Блок-схема экспериментальной установки для измерения коэффициента стоячей волны: I – генератор качающейся частоты (ГКЧ), II – индикатор, 1 – коаксиально-волноводный переход, 2 – направленный детектор падающей волны, 3 – направленный детектор отраженной волны, 4 – согласованная нагрузка, 5 – соединительный кабель, 6 – исследуемый образец, 7 – выходы АРМ индикатора и ГКЧ, 8 – гнездо падающей волны, 9 – гнездо отраженной волны, 10 – выход ГКЧ, 11 – гнездо ГКЧ, 12 – гнездо индикатора.
Рис. 2. Комплекс для измерения коэффициента стоячей волны.
Шкала индикатора рассчитана на квадратичность детектирования и проградуирована непосредственно в значениях КСВН.
Основное назначение ГКЧ - генерирование высокочастотного сигнала с изменяющейся частотой и стабилизированной выходной мощностью.
Работа рефлектометра основана на свойстве направленного детектора сигнал СВЧ, распространяющийся в одном направлении и не реагирующий на противоположно направленный сигнал. Величина неравномерности частотной характеристики определяет одну из основных составляющих погрешности прибора в диапазоне частот при работе в автоматическом режиме перестройки частоты.
Волноводные направленные детекторы представляют собой два волновода, имеющие общую широкую станку с двумя рядами отверстий связи.
В основу построения структурной схемы панорамной измерителя КСВН и ослабления положен принцип раздельного выделения и непосредственного детектирования сигналов падающей и отраженной волн. Способ раздельного выделения падающей и отраженной волн заключается в следующем. Сигнал, пропорциональный мощности, падающей на нагрузке направленным ответвителем падающей волны. Сигнал, отраженный от исследуемой нагрузки, выделяется направленным ответвителем отраженной волны.
Коэффициент отражения определяется как отношение по формуле:
(1)
где 
- модуль коэффициента отражения по напряжению; 
- амплитуда напряжения отраженной волны; 
- амплитуда напряжения падающей волны.
Коэффициент отражения связан с коэффициентом стоячей волны (КСВН) соотношением:
(2)
