1. :
) , , , .
) (. 2. , ).
) - ( ).
) .
2. :
) [1] ( ).
|
.
, II III. , , . .[1,2,3]
, . , :
- (- ), 2 40-60 ,
- ( - -, Microselektron), 5 50 ,
( -). Microselektron 13,5 100% . 2 40-60 (20-30 ).
.
, . IV .[4]
.
1. (P) 100 /2 1
(F) 650 /2 1 4
(Vrb) 24 /2 1, 8
3 .
2. (F) 750 /2 1 5
(Vrb) 30 /2 1, 5
3 .
3. (P) 100 120 /2 1
|
|
(F) 500 1000 / /2 1-4
3 .
4. (P) 75 /2 1
(F) 500 /2 1-4
(In) 5 . 5
3 .
5. (P) 100 /2 1
(B) 20 /2 1-3
3 .
6. (P) 60 /2 1
(B) 20 /2 1-3
(A) 40 /2 1
(C) 400 /2 1
3 .
7. (B) 20 /2 1-3
(A) 50 /2 1
500 /2 1
3 .
TNM | FIGO | ||
is | (, , ). , 50 . ( 30-35 ) | ||
1 | I | ||
11 | I1 | - . . | |
( 40-45 ) | |||
12 | I2 | . . ( 45-50 ). | |
1b | IB | 50 . | |
1b1 | IB1 | . 13,5 Microselectron. (). 50 . | |
1b2 | IB2 | 50 . - 2 30 , 3- . 13,5 Microselectron. (). 2 30 .[5] 50 | |
2 | II | 50 . | |
2 | - 2 30 , 3- . 13,5 Microselectron. (). 0,5 . 2 30 . 50 . | ||
2b | IIB | 50 . | |
- 2 30 , 3- . 13,5 Microselectron. (). 0,5 . 2 30 . 50 | |||
3 | III | . 60 . | |
3 | III | . 60 . | |
3b | IIIB | . 60 . | |
4 | IV | - . . | |
1 | IVB | , . . . |
|
|
I 95-96 %, II 68-73 %, III 40-45 % [1].
1. .. . - . "", 1989. 462 .
2. .. . 2- , . , 1994. - 432 .
3. .., . III . . . : , 1979. 18 .
4. // . , .. // .... - 2000. - . 396-401.
5. // .. // ... . - 2000. . 63-65.
6. : , , // .., .., .., .. .// . . 2000 .- N 4.- . 241248.
[1] .. .-.. N 3671 14 2000 .