Для исследования характеристик и параметров используется либо стенд, в котором собраны все необходимые источники питания, либо схема с внешними источниками питания, в качестве которых использованы источники типа ЛИПС (лабораторный источник питания стабилизированный).Электрическая схема приведена на рис.20 и непосредственно на установке.
На стенде собраны две схемы: верхняя для измерения характеристик p-n-p, нижняя –для n-p-n транзисторов. Переключатель «p-n-p, n-p-n» переключает измерительные приборы и источники питания из одной схемы в другую. Исследуемые транзисторы можно подключать к клеммам только при среднем положении переключателя.
Выполните одно из заданий, предложенных преподавателем.
Задание№1.
1. Измерить выгодные характеристики 
при 3 различных базовых токах 
. Токи выбирать самим при условии 50 мкА< <400 мкА. При измерении тщательно следить за постоянством тока базы.
2. Измерить входные характеристики 
при 
при 3 значениях коллекторного напряжения 
, причем одно на них должно быть равно 0, а два других выбрать самим в пределах 0,5В< <6В.
3. Построить графики на миллиметровой бумаге.
4. Из выходных характеристик рассчитать дифференциальный коэффициент усиления по току
не менее 3 раз и привести средний результат.
5. Из входных характеристик на линейном участке рассчитать сопротивление прямого перехода (
–сопротивление эмиттер –база). Поскольку в предложенной схеме (рис.20) вольтметром измеряется падение напряжения на прямом переходу плюс на амперметре, то
;
где сопротивление амперметра 
определяется по максимальному падению напряжения на данном пределе, указанному на конкретном приборе.
6. Из выходных характеристик рассчитать сопротивление обратного перехода база –коллектор 
Расчет выполните для всех характеристик.
7. В выводах привести < 
, 
, 
для 3 характеристик. Обсудить полученные результаты.
Задание №2.
1. Измерить входные характеристики
, , при 
и 
2. Измерить выходные характеристики
при =50 мкА и 160 мкА;
при 
и 200МВ.
3. Построить графики на миллиметровой бумаге.
4. Из входных характеристик рассчитать (см. п.6 в задании №1).
5. Из выходных характеристик рассчитать сопротивление обратного перехода (см.п.6 в задании №1) и 
(дифференциальный коэффициент усиления) не менее 3 раз.
Сравните выходные характеристики, снятые при 
, с характеристиками при 
.
6. Из выходных характеристик рассчитать крутизну транзистора S
7. В выводах привести: < , , , S. Обсудите полученные результаты.
Задание №3.
1. Измерить выходные характеристики при двух значениях (например, 150 и 300 мкА).
2. Измерить входные характеристики , при 
3. Измерить зависимость 
при 
4. Построить все графики на миллиметровой бумаге.
5. Из выходных характеристик рассчитать (см. п. 6 в задании №1) в обоих случаях.
6. Из входных характеристик рассчитать сопротивление прямого перехода (см.п.5 в задании №1).
7. Из зависимости рассчитать интегральный коэффициент усиления 
и построить на миллиметровой бумаге зависимость 
(точек 10-12 во всем возможном интервале изменения ).
8. В выводах привести 
, 
, (для двух токов базы).
Контрольные вопросы.
1. Что такое транзистор p-n-p и n-p-n типа?
2. Перечислить технологические особенности устройства транзистора.
3. Нарисовать схему включения транзистора как усилителя.
4. Что такое дифференциальный и интегральный коэффициент усиления?
5. Что такое входные и выходные характеристики транзистора?
6. Перечислить основные физические параметры транзистора.
7. Как рассчитать коэффициент усиления в простейшей схеме усилителя?
Список литературы.
1. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1979.
2. Фистуль В.И.. Введение в физику полупроводников. М.:Высш. шк., 1984.
3. Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник/Под ред. Н.Н.Горюнова. 2-е изд., перераб. М.:Энергоатомиздат, 1985.
[1] Инжекция (от латинского injectic –вбрасывание, впрыскивание) –проникновение избыточных носителей заряда в полупроводник под действием поля.
