Лекции.Орг


Поиск:




Экспериментальное определение параметров электрической цепи




Экспериментальное определение параметров электрической цепи.

1.1 Электрическая схема (рисунок 1).

Рисунок 1 – схема исследования характеристик стабилитрона

 

1.2 Опытные данные.

 

Таблица 1 – обратная ветвь ВАХ стабилитрона

UОБР, В   0.4 0.8 1.2 1.7 2.0 2.5 3.0 3.4
IОБР, мА     0.01 0.05 0.31 0.71      

 

Таблица 2 – прямая ветвь ВАХ стабилитрона

UПР, В   0.62 0.65 0.66 0.67 0.68 0.68 0.69 0.69
IПР, мА                  

 

Обработка опытных данных.

2.1 По данным измерений строим прямую и обратную ветви ВАХ стабилитрона (рисунок 2).

Рисунок 2 – прямая и обратная ветви ВАХ стабилитрона

 

Вывод.

В ходе данной лабораторной работы мы изучили принцип действия электронно-дырочного перехода, исследовали ВАХ стабилитрона.

 

Лабораторная работа №2

Исследование параметров, характеристик и схем включения биполярного транзистора

 

Цель работы: изучение параметров, характеристик и режимов работы биполярного транзистора.

 

Экспериментальное определение параметров электрической цепи.

1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2).

 

Рисунок 1 – схема исследования характеристик биполярного транзистора типа n-p-n   Рисунок 2 – схема исследования характеристик биполярного транзистора типа p-n-p  

 

1.2 Опытные данные.

 

Таблица 1 – Входная характеристика биполярного транзистора

UБЭ, В 0.5 0.55 0.6 0.65 0.67 0.73 0.76 0.79 0.87
IБ, мА     0.02 0.04 0.2 0.35 0.46 0.60 2.0

 

Таблица 2 – Выходные характеристики биполярного транзистора

IБ=0 мА IБ=1 мА IБ=2 мА
UКЭ, В IК, мА UКЭ, В IК, мА UКЭ, В IК, мА
0.01   0.02   0.02  
0.94   0.06   0.05  
0.05   0.1   0.07  
0.07   0.14   0.10  
0.09   0.18   0.12  
0.11   0.22   0.15  
0.14   0.26   0.18  
    0.3   0.22  

 

 

Таблица 3 – Исследование схем включения биполярных транзисторов

Схемы включения С общим эмиттером С общим коллектором С общей базой
UВХ, В 0.87   7.2
UВЫХ, В 0.22    
IВХ, мА 2.0    
IВЫХ, мА      
h11 0.44   7.2
h12 3.95   0.65
h21      
h22   2.37 0.14

 

Обработка опытных данных.

2.1 По данным измерений (Таблица 1) строим входную ВАХ транзистора (рисунок 3).

 

Рисунок 3 – Входная ВАХ транзистора

 

2.2 По данным измерений (Таблица 2) строим выходные ВАХ транзистора (рисунок 4).

 

Рисунок 4 – Выходные ВАХ транзистора

 

2.3 Вывод: Из таблицы видно, что в усилительных каскадах напряжения целесообразно применять схему включения с общим эмиттером, в усилительных каскадах тока и мощности - с общим коллектором.

 

Вывод.

В ходе данной лабораторной работы мы изучили параметры, характеристики и режимы работы биполярного транзистора.

 

 

Лабораторная работа №3

Исследование параметров, характеристик и схем включения полевого транзистора

 

Цель работы: изучение параметров, характеристик и режимов работы полевого транзистора.

 

Экспериментальное определение параметров электрической цепи.

1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2).

 

Рисунок 1 – схема исследования характеристик полевого транзистора с n-каналом   Рисунок 2 – схема исследования характеристик полевого транзистора с индуцированным каналом  

 

1.2 Опытные данные.

 

Таблица 1 – Входная характеристика полевого транзистора

UЗИ, В   1.3 2.6 3.9 5.5 6.9 8.2 9.5  
IЗ, мА   0.01 0.01 0.04 0.05 0.06 0.08 0.09  

 

Таблица 2 – Выходные характеристики полевого транзистора

UЗИ=0 В UЗИ=5.5 В UЗИ=11 В
UСИ, В IС, мА UСИ, В IС, мА UСИ, В IС, мА
           
1.3          
2.6 0.01        
3.9 0.05 0.02   0.02  
5.5 0.08 0.02   0.02  
6.9 0.09 0.03   0.03  
8.2 0.11 0.04   0.04  
9.5 0.11 0.05   0.05  
    0.05   0.05  

 

Таблица 3 – Исследование схем включения полевых транзисторов

Схемы включения С общим эмиттером С общим коллектором С общей базой
UВХ, В   5.3 5.3
UВЫХ, В   1.1 1.1
IВХ, мА   0.04 0.04
IВЫХ, мА   0.99  
KU 132.5 132.5
S 0.09 4.82 4.82
rВЫХ 24.75  
RЗС   0.19 0.189

 

Обработка опытных данных.

2.1 По данным измерений (Таблица 1) строим входную ВАХ транзистора (рисунок 3).

 

Рисунок 3 – Входная ВАХ транзистора

 

2.2 По данным измерений (Таблица 2) строим выходные ВАХ транзистора (рисунок 4).

 

Рисунок 4 – Выходные ВАХ транзистора

 

Вывод.

В ходе данной лабораторной работы мы изучили параметры, характеристики и режимы работы биполярного транзистора. Несоответствие выходных ВАХ транзистора получилось вследствие неидеального оборудования.

 

 

Исследование параметров, характеристик и схем включения IGBT транзистора

 

Цель работы: изучение параметров, характеристик и режимов работы IGBT транзистора.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-07-29; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 465 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Жизнь - это то, что с тобой происходит, пока ты строишь планы. © Джон Леннон
==> читать все изречения...

839 - | 710 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.011 с.