Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Метод спектроскопии адмиттанса и его аппаратная реализация




Под адмиттансом понимается полная проводимость объекта, которая векторно складывается из активной и реактивной составляющих[10]:

(2.1)

где G – проводимость, C – емкость, ω – частота измерительного сигнала.

В идеальном случае барьер Шоттки или p-n переход имеют только мнимую часть сигнала (реактивную составляющую проводимости), а вещественная часть возникающая из за утечек можно считать равной нулю, т.к. она намного меньше мнимой части.

Изучение температурных и частотных спектров проводимости и емкости вместе с исследованием вольтфарадных (C-V) характеристик и регистрацией переходных процессов захвата и эмиссии носителей заряда в рамках универсального комплекса спектроскопии адмиттанса обеспечивает широкие возможности характеризации современных наногетероструктур [10]. Эксперементально адмиттанс измеряется с помощью приборов, называемых измерителями иммитанса (иммитанс – общее название для импеданса и адмиттанса).

Адмиттанс полупроводникового прибора определяется его электронным спектром и поэтому он зависит от температуры, приложенного к структуре напряжения и частоты измерительного сигнала. В связи с этим существует ряд методов, базирующихся на регистрации адмиттанса исследуемой структуры в зависимости от одного из вышеперечисленных параметров, (рисунок 1.1). Различают три основных набора методов спектроскопии адмиттанса: квазистатические, динамические и нестационарные (рисунок 1.2).

Рисунок 2.1 Комплекс методов спектроскопии адмиттанса

Рисунок 2.2 Классификация методов адмиттанса

Квазистатические методы представляют собой измерение вольт-фарадных характеристик гетероструктуры и получение на их основе распределения так называемого «наблюдаемого» профиля концентрации свободных носителей заряда по структуре [11, 12]. Нестационарным методом является метод методы DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) или НЕСГУ (Нестационарная емкостная спектроскопия глубокихуровней) [13, 14], DLTS в настоящее время применяется для исследования переходных процессов в полупроводниках. Динамические методы являются относительно новыми, с появлением универсальных многочастотных измерителей иммитанса. Динамические методы являются методами исследования адмиттанса в зависимости от изменения температуры при воздействием переменного сигнала различной частоты [10, 15]. В данной работе измерения проводятся квазистатическими и динамическими методами исследования адмиттанса наноструктур с наноразмерными объектами.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-07-29; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 907 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Люди избавились бы от половины своих неприятностей, если бы договорились о значении слов. © Рене Декарт
==> читать все изречения...

2475 - | 2271 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.01 с.