Потенциальные функции в каждом слое U1, U2, U3, … Un должны быть
интегралом уравнения Лапласа.
по результатам многоазимутных (круговых)
измерений на поверхности анизотропной толщи можно построить
полярную диаграмму кажущихся сопротивлений, которая будет иметь
форму эллипса, вытянутого своей большей осью вдоль простирания.
Причем кажущееся сопротивление ρk║, измеренное вдоль простирания,
равно среднему удельному сопротивлению, а кажущееся сопротивление
ρk┴, измеренное вкрест простирания, - меньше среднего. Поскольку для
истинных удельных сопротивлений имеется обратное соотношение, то
отмеченное несоответствие называют «парадоксом анизотропии».
15. Методы электропрофилирования СЭП, ДЭП, КЭП, СГ, КрЭП.
Используются 2 вида установок: Шрембеже и Венера, где в установке Шремберже MN=0.1AB, а в Венере MN=1/3AB. Чаще используют 2х разносную установку AA’MNB’B, что позволяет более точно интерпретировать результаты. Размеры АБ определяются требуемой глубиной исследования, а размеры МН помимо условий, определяются размерами искомого объекта, т.е. шириной пласта. Для контроля качества выполняются повторные измерения, в количестве 5 штук от общего измерения, рассчитывается средняя относительная погрешность. По результатам измерений строятся графики вдоль ρk, либо планы графиков ρk.
ДЭП- к=П*10^3/AB*MN – установка характеризуется размерами MN, A’A и разносом. Вычисляют ρk по результатам наблюдений и строятся графики. Для расшифровки аномалий также приходится строить график для встречной устаовки.
КЭП – применяют для хорошо проводящих, круто залегающих пластовых объектов, с помощью двух встречных трехэлектродных установок AMN MNB. Питающий электрод относится на бесконечность, на расстояние 10-15 АО, так что его влянием можно пренебречь. Результаты измерений оформляют в виде графиков и кажущейся поляризуемости
СГ – для измерений используются низкочастотные приборы с целью влияния на приемные линии, АБ прокладывается между профилями. После обработки одного планшета съемки, новый планшет перекрываем так, чтобы перекрывалось несколько точек. По результатам измерений строят планы графиков ΔU, либо планы графикови изолиний. Для расчета значений ρk вычисляют свой коэффициент. Измерения проводятся на средней части планшета, потому что на этом фоне легче выделить аномалии.
Особенностью электрического профилирования является то, что при этом способе изучения кажущегося удельного электрического сопротивления размеры установки, т.е. взаимное положение питающих и измерительных заземлений, остаётся неизменным, в то время как вся установка от замера к замеру перемещается вдоль некоторого направления, называемого электропрофилем. Это позволяет изучать геологический разрез вдоль линии наблюдений. При площадной съёмке исследуемый участок покрывают равномерной сетью точек наблюдения. Форма и густота сети определяются формой и размерами объектов исследования. Для этих методов могут быть использованы различные установки: симметричная четырехэлектродная, трехэлектродная, дипольная осевая и другие.
Методы ВЭЗ, ДЭЗ и ТЗ.
Вертикальное эл.зондирование ВЭЗ – используется симметричная установка AMNB, метод заключается в том что проводятся измерения ρk при постоянном увеличении разноса АБ, по результатам строится зависимость ρk от разноса r=AB/2, установкой Шремберже, каждый последующий разнос увеличивают в 2х. Контроль за качеством производится либо независимо, т.е в др.день, либо при смотке линии АБ, но обязательно при измененной силе тока. Ср.отн.погрешность - <5%
Установка Венера – одновременно с измерением линии АБ производятся измерения величины МН. Допускаются небольшие отклонения линии АБ от линии профиля (до 10*) строго прямолинейно
Дипольное эл.зонд ДЭЗ – Используют следующие типы установок по ориентации измерительного диполя к разносовому:
1. параллельная установка
2. азимутальная
3. АБ и МН по одной прямой
4. Экваторная (АБ и МН под углом 90)
Дипольные установки характеризуются величиной разноса АБ,МН и углом. r= «корень4» АМ*AN*BM*BN – действующий разнос. По результатам график ρk от r
Трехэлектродное зондирование ТЗ – ВО должно быть не менее трех АО, и не менее 25 АО или его сопротивление должно стреиться к бесконечности.
Для изучения строения осадочного чехла и верхней части кристаллического фундамента применяется комплекс методов, включающий в себя методы ВЭЗ, ТЗ.
В методе дипольного электрического зондирования (ДЭЗ) используется генераторная группа "УГЭ-50", создающая в питающей линии длиной 500 м и более ток силой свыше 50 А. Столь мощный источник позволяет измерять электрическое поле на разносах до 10 км, что, однако, не позволяет изучать терригенный комплекс в основании осадочного чехла за счет экранирующего воздействия вышележащего загипсованного карбонатного комплекса. Для детального изучения верхней части разреза (до 200 - 300 м) применялся метод вертикального электрического зондирования (ВЭЗ). ВЭЗ проводился с установкой Шлюмберже (разносы до 520 м).
