Для выполнения измерений по прямой ветви ВАХ стабилитрона собрать схему, представленную на рис. 36,а соблюдая полярность соединений. В качестве исследуемого элемента используется кремниевый стабилитрон Д814.
а б
Рис. 36
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГТ − генератор тока;
− РА1 − амперметр АВМ1 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;
− РU1 − вольтметр АВМ2 с пределами измерения от 0.5 В до 1 В.
Измерения выполнить в 10 − 12 точках, изменяя напряжение UПР от 0 до 0.7(В) с шагом 0.05 В.
Для выполнения измерений по обратной ветви ВАХ стабилитрона собрать схему, представленную на рис. 36,б.
В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:
− ГТ − генератор тока;
− РА2 − амперметр АВМ1 с пределами измерения от 10 мА до 0.5 мА;
− РU2 − вольтметр АВМ2 с пределом измерения 10 В.
Измерения выполнить в 5 − 6 точках, изменяя ток от ГТ от 10 мА до 0. Особое внимание необходимо уделить при измерении значений точек IСТ MIN и IСТ MAX, которые определяют рабочий участок ВАХ стабилитрона.
Содержание отчета
Отчет должен содержать: цель работы, измерительные схемы, таблицы полученных измерений, графики ВАХ германиевого и кремниевого диодов и ВАХ стабилитрона, результаты расчетов и выводы по работе.
По полученным графикам вычислить дифференциальное сопротивление RДИФ=∆U/∆I и статическое сопротивление RСТ=U/I для каждой ветви построенных ВАХ.
Для стабилитрона определить напряжение стабилизации UСТ.
Контрольные вопросы
1. Вольт-амперные характеристики полупроводниковых диодов.
2. Классификация полупроводниковых диодов.
3. Конструкции диодов.
4. Основные параметры диодов.
5. Эквивалентные схемы диодов.
6. Работа диода с нагрузкой.
7. Выпрямительные диоды.
8. Импульсные диоды.
9. Стабилитроны. Вольт-амперная характеристика. Параметры.
10. Схемы включения стабилитронов.
11. Туннельные диоды. Вольт-амперная характеристика. Параметры.
12. Варикапы. Основные характеристики и параметры.
13. Светоизлучающие диоды.
14. Терморезисторы.
15. Варисторы. Вольт-амперная характеристика. Параметры.
Содержание
1. Полупроводниковые диоды…………………………………………….…5
1.1. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода………………………5
1.1. Прямой ток. Ток рекомбинации. Сопротивление базы диода……6
1.2. Классификация полупроводниковых дтодов………………………7
1.3. Конструкции диодов………………………………………………..8
1.4. Основные параметры диодов………………………………………9
1.5. Эквивалентные схемы диодов……………………………………..9
1.6. Работа диода с нагрузкой………………………………………….10
1.7. Выпрямительные диоды……………………………………………11
1.8. Импульсные диоды…………………………………………………13
1.9. Полупроводниковые стабилитроны……………………………….14
1.10.1 Схемы включения стабилитронов………………………………15
1.10.2 Стабисторы………………………………………………………18
1.11. Туннельные диоды…………………………………………………..18
1.12. Варикапы……………………………………………………………..20
1.13. Светоизлучающие диоды……………………………………………21
2. Полупроводниковые резисторы…………………………………………..22
2.1. Терморезисторы………………………………………………………22
2.2. Варисторы……………………………………………………………..23
3. Практическое выполнение работы………………………………………..24
3.1. Порядок выполнения работы…………………………………………24
3.1.1. Прямые ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов…….24
3.1.2. Обратные ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов…..24
3.1.3. Прямая и обратная ветви стабилитрона…………………………25
3.2 Содержание отчета……………………………………………………..25
3.3. Контрольные вопросы…………………………………………………26
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДВУХПОЛЮСНИКИ
Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» (модуль «Электроника») для студентов по направлению подготовки «Информатика и вычислительная техника», квалификация 230100.62.
Составитель С.В.Старыгин
Марийский государственный технический университет
424001 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
