Зависимость тока через переход от величины приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ).
IПР, mA
 | |||
 | |||
IДИФ=IОНЗ
IО
UОБР, В 0 UПР, В
1В
IДР=IННЗ
IОБР, мкА
Прямая и обратная ветви ВАХ изображены в разных масштабах. При прямом включении перехода его сопротивление мало, поэтому ток через переход резко возрастает по экспоненте с ростом прямого напряжения. При обратном включении перехода его сопротивление велико, поэтому ток через переход будет мал и равен тепловому 
.
Прямое напряжение, подаваемое на переход, не должно превышать 1В!
Обратное напряжение, подаваемое на переход, может достигать 20В.
Вывод: p-n переход обладает односторонней проводимостью, т.е. проводит ток только в одном направлении – прямом.
Контакт с односторонней проводимостью называется выпрямляющимконтактом. Таким образом, p-n переход является выпрямляющим контактом.
Кроме выпрямляющих контактов существуют контакты металл-полупроводник (Ме-п/п), называемые омическими, т.к. ток, протекающий через такой контакт подчиняется закону Ома (
). Получают омические контакты путем напыления тонкой пленки металла на полупроводник. Характерная особенность омических контактов – пропускание тока в обоих направлениях (и прямом, и обратном). Омические контакты широко распространены в электронной технике, т.к. используются для присоединения внешних выводов к кристаллам полупроводников.
омический p n омический
контакт контакт
UПИТ
Емкости p-n перехода
Барьерная емкость
p n
do
do – толщина перехода
В p-n переходе имеется разность концентраций: в p-области много дырок, а в n-области их мало, в n-области много электронов, а в р-области их мало. Наличие разности концентраций приводит к диффузии: дырки из р-области переходят в n-область, в обратном направлении движутся электроны. В результате диффузии в р-области появляются избыточные (не скомпенсированные) отрицательные ионы примеси, и она заряжается отрицательно. В n-области появляются избыточные положительные ионы примеси, и она заряжается положительно. Возникает разность потенциалов – потенциальный барьер.
Данный переход можно рассматривать, как плоский конденсатор, обкладками которого являются p-и n-области, а диэлектриком – приконтактная область,имеющая повышенное сопротивление. Емкость такого конденсатора называется барьерной, т.к. она обусловлена наличием потенциального барьера.
–q +q
В равновесном состоянии перехода, т.е. когда ЕВНЕШН=0, барьерная емкость зависит от площади p-n перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и толщины запирающего слоя:
, где
- относительная и абсолютная диэлектрическая проницаемость.
При подаче обратного напряжения толщина перехода возрастает (обкладки конденсатора как бы раздвигаются), а, следовательно, емкость этого конденсатора уменьшается:
, где
- барьерная емкость перехода при наличии обратного напряжения;
- барьерная емкость перехода при отсутствии внешнего напряжения;
- потенциальный барьер перехода при отсутствии внешнего напряжения;
UОБР - обратное напряжение, подаваемое на переход.
Диффузионная емкость
При прямом включении перехода возникает еще одна емкость – диффузионная.
Прямое напряжение, подаваемое на переход, обеспечивает более интенсивный процесс диффузии основных носителей заряда в соседние области. Это приводит к тому, что пришедшие в большом количестве в соседние области заряды не успевают прорекомбинировать с зарядами противоположного знака и накапливаются, образуя объемные заряды. Чем больше прямое напряжение, тем больше величина этих объемных зарядов.
p n
ОНЗ 
+ +
_ _ Ө ОНЗ + +
_ _
ЕВН
ЕВНЕШН
|
Изменение объемного заряда в зависимости от приложенного прямого напряжения характеризует емкость, называемая диффузионной (т.к. обусловлена диффузией ОНЗ) и определяемая формулой:
или 
, где
- изменение прямого напряжения;
- изменение объемного заряда.
Пробой p-n перехода
Пробой – это резкое возрастание обратного тока перехода при условии, что обратное напряжение превысит максимально допустимое значение, т.е.
 |
справочная величина
Обратная ветвь ВАХ при пробое:
Uобрmax IО 0
UОБР
1 1- электрический пробой
2 - тепловой пробой
IОБР
Виды пробоев:
|
Обратимый Необратимый
процесс процесс
|
| ||||
|
|
Тепловой пробой
Тепловой пробой возникает за счет нарушения теплового баланса между теплом, которое выделяется в переходе, и теплом, котороеотводится (рассеивается корпусом прибора):
(
количество теплоты)
С ростом обратного напряжения выделяемая в переходе мощность увеличивается 
, что приводит к разогреву перехода и усилению термогенерации (генерация, вызванная повышением температуры) пар носителей заряда, т.е. к увеличению концентрации ННЗ, а, следовательно, к росту обратного тока. Рост обратного тока сопровождается дальнейшим увеличением выделяемой мощности, т.е. большим разогревом перехода и более интенсивной термогенерацией и т.д., т.е. идет нарастающий процесс:
и т.д.
В итоге переход перегревается и разрушается (разрушается кристаллическая решетка) – процесс необратимый.
Процесс называется обратимым, если при уменьшении обратного напряжения до допустимого значения восстанавливается нормальный режим работы перехода, т.е. обратный ток принимает стационарное значение теплового тока .
Для обеспечения теплового режима полупроводниковых приборов используются радиаторы, изготавливаемые из материалов с высокой теплопроводностью (например, Al, Cu).
Электрический пробой
Тепловому пробою предшествует электрический пробой.
При электрическом пробое обратный ток перехода резко возрастает поддействием сильного электрического поля.
А) Лавинный пробой
Лавинный пробой возникает в так называемых «толстых» переходах. Под действием сильного электрического поля электроны, двигаясь с большой скоростью, приобретают кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации нейтральных атомов кристаллической решетки.
Механизм ударной ионизации: свободный электрон, обладающий большой кинетической энергией, ударяясь о нейтральный атом, передает валентным электронам этого атома часть своей энергии, и они отрываются от атома, становясь свободными. Атом при этом ионизируется.
Возникшие в результате ионизации свободные электроны также разгоняются электрическим полем, ударяются о новые атомы кристаллической решетки и выбивают из них следующую партию электронов. Процесс нарастает лавинообразно (как снежный ком) – отсюда и название пробоя – «лавинный».
Для ударной ионизации необходимо поле с напряженностью:
В результате ударной ионизации возникает размножение НЗ, и обратный ток резко возрастает – возникает лавинный пробой.
На лавинном пробое работают такие полупроводниковые приборы, как стабилитроны, тиристоры, лавинные транзисторы и др.
Б) Туннельный пробой
Если напряженность электрического поля достигнет значения 
и переход будет очень тонкий (с толщиной запирающего слоя 
), возможен туннельный пробой – переход электронов из валентной зоны (ВЗ) одного полупроводника в зону проводимости (ЗП) другого полупроводника без изменения энергии.
Механизм туннельного пробоя:
Электрон, движущийся в сторону очень узкого перехода, под действием очень сильного поля пройдет через переход, как через туннель, и займет свободный уровень с такой же энергией по другую сторону перехода.
Таким образом, обязательным условием туннельного пробоя, кроме сильного поля и тонкого перехода, является наличие свободного уровня по другую сторону перехода. При этом ВЗ одного полупроводника должна находиться на одном уровне с ЗП другого полупроводника.
На туннельном пробое работают туннельные диоды.
Туннельный и лавинный пробои обратимы – снятие обратного напряжения полностью восстанавливает свойства p-n перехода.
