Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Импульсный модулятор с частичным разрядом накопителя




 

Схема модулятора совместно с нагрузкой—магнетроном показана на Рис.11.

 

 

На схеме в качестве коммутатора использована вакуумная лампа—тетрод, обычно типа ГМИ (может быть и триод). Вакуумный диод VL2—шунтирую­щий, VL3—магнетрон.

Исходные данные для расчетов:

Напряжение в импульсе на выходе

Ток в импульсе на выходе ;

Длительность импульса ;

Частота следования импульсов F;

 

Длительность переднего и заднего фронтов импульса;

Допустимый спад напряжения на вершине импульса ;

 

Динамическое сопротивление магнетрона или генераторной лампы ;

 

Выбираем модуляторную лампу по напряжению и току с некоторым запа­сом: Е0=1.2 ,

При выборе учитываем также и F. Следует далее выписать все техниче­ские параметры выбранной лампы и иметь её вольт-амперные характеристики. Определение электронного режима лампы и его параметров производим по процедуре графоаналитического построения, Рис.12.

 

 

 

На семействе анодных ВАХ лампы выделяем линию граничного режима и на ней выделяем рабочую точку А, соответствующую току . Из всех ВА лампы выделяем ту, которая пересекается с линией 1 в точке А, определяем для этой ВАХ соответствующее сеточное напряжение . Величина на Рис.12—это значение порогового напряжения возбуждения магнетрона.

Определяем параметры выбранного режима:

 

Из перечня данных лампы учитываем напряжение запирания лампы— напряжение на второй сетке (для тетродов) – Ес2

 

Находим зарядное сопротивление

 

Емкость накопителя


Шунтирующая индуктивность

Длительность фронта и спада импульса:

, , где пФ – паразитная ёмкость схемы,

.

 

 

Изменение напряжения на накопителе {максимальное и минимальное напряжения):

По ГОСТ выбираем тип и номинал

Напряжение источника питания:

Мощность потерь в элементах схемы:

, где

 

По мощности выбираем тип и номинал резистора .

Средняя мощность модулятора

Мощность источника питания и КПД модулятора:

Для выбора типа шунтирующего диода определяем требуемые для него параметры.

 

Обратное напряжение .

Ток эмиссии .

Внутреннее сопротивление

 

Мощность рассеяния на диоде .

 

По этим данным по справочнику выбирается диод (см. Приложения).

К источнику питания предъявляются следующие требования:

Выпрямленное напряжение .

Мощность выпрямителя .

Допустимый коэффициент пульсаций можно определить по формуле:

где —кратковременная нестабильность частоты магнетрона за

период следования импульсов и —коэффициент электронного

смещения частоты магнетрона, равный, примерно (0.05...0.1) .

Требования к подмодулятору.

 

Амплитуда напряжения коммутирующего импульса на сетке модуляторной лампы

 

. Есм - смотри Рис. 12.

Выходная импульсная мощность подмодулятора:

 

, где —величина сеточного тока в импульсе, определенная по характеристикам модуляторной лампы.

 

Длительность выходного импульса подмодулятора и частота следования импульсов:

 

.

 

Далее рассчитываются подмодулятор, чаще всего по схеме блокинг-генератора в соответствии с методиками расчета, известными из курса «Цифровая схемотехника».

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-11-05; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 2551 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Студент всегда отчаянный романтик! Хоть может сдать на двойку романтизм. © Эдуард А. Асадов
==> читать все изречения...

2510 - | 2248 -


© 2015-2025 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.012 с.