Разновидности МДП-транзисторов

 

На рис. 61.а попарно показаны МДП-транзисторы со встроенным n-каналом и p-каналом. Каждый тип МДП-транзистора представлен в двух вариантах: с отдельным выводом подложки и общим выводом подложки и истока.

Аналогичный вид имеют обозначения МДП-транзисторов с ин­дуцированным каналом (рис. 61.б).

Рис. 61. МДП-транзисторы со встроенным (а) и индуцированным (б) каналами (1 - затвор, 2 – исток, 3 - сток, 4 - подложка, +/– - полярность напряжения)

 

Исследования характеристик МДП-транзисторов

 

Для исследования характеристик МДП-транзисторов используется схема, приведенная на рис. 62. С ее помощью получают семейство выходных характеристик МДП-транзисторов при фиксированных значениях напряжения на затворе и подложке .

Располагая такими характеристиками, можно определить:

· крутизну транзистора при управлении со стороны затвора ;

· крутизну при управлении со стороны подложки ;

· статический коэффициент усиления ;

· выходное дифференциальное сопротивление и другие параметры.

Рис. 62. Схема для исследования характеристик МДП-транзисторов

 

Задание на лабораторную работу

1. Собрать схему для исследования ВАХ транзистора (из таблицы заданий), в соответствии с рис. 60. Построить семейство из пяти выходных характеристик по­левого транзистора при фиксированных значениях напряжений на затворе (), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. Для р-канальных транзисторов изменить полярность источников напряжения. По выходным характеристикам построить управляющую характеристику при напряжении сток-исток () равном напряжению насыщения. Рассчитать крутизну транзистора.

2. Собрать схему, в соотвествии с рис. 62, для исследования МДП-транзистора (из таблицы заданий) с индуцированным каналом. Построить семейство из пяти выходных характеристик транзистора при фиксированных значениях напряжений на подложке (), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. По выходным характеристикам определить пороговое напряжение.

3. Составить отчет.

 

Таблица 8

Задание на лабораторную работу №8

№ варианта
Транзистор VT1	2N4856	2N4857	2N4858	2N4859	2N4860	2N4861	2N5452	2N5454	2N5433	2N5432
Транзистор VT2	BST100	BST110	BST120	BST122	IRF5210	IRF5305	IRF7404	IRF9530	IRFI5210	IRFI5305

 

№ варианта
Транзистор VT1	2N2608	2N2609	2N4381	2N5018	2N5019	2N5020	2N5021	2N5114	2N5115	2N5116
Транзистор VT2	IRF230N	IRF540N	BS170	IRF1310	IRF250	IRF510	IRF540	IRF520	IRF830	IRF840

Контрольные вопросы

1. Основные отличия полевых транзисторов от биполярных.

2. Преимущества полевых транзисторов.

3. Устройство полевого транзистора с р-n переходом.

4. Основные процессы в полевых транзисторах.

5. Способы управления током в полевых транзисторах.

6. Отличие полевых и канальных транзисторов.

7. Устройство МДП-транзисторов.

8. Отличие МДП- и МОП-транзисторов.

9. Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.

10. Режимы работы МДП-транзисторов.

11. Принцип действия МДП-транзисторов.

12. Роль подложки в МДП-транзисторах.

13. Пороговое напряжение и напряжение отсечки.

14. Схемы включения полевых транзисторов.

15. Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки.

16. Управление МДП-транзистором через подложку.

17. Разновидности МДП-транзисторов.

Лабораторная работа №9.