Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Проектирование преселектора с одиночными колебательными контурами




 

Исходные данные для проектирования:

- диапазон принимаемых частот (fmin, fmax), МГц;

- полоса пропускания (П), МГц;

- ослабление на краях полосы пропускания , дБ;

- избирательность по зеркальному каналу , дБ;

- избирательность по промежуточной частоте , дБ;

- конструктивная добротность контура ();

- промежуточная частота (fпр), МГц;

- вид связи контура входной цепи с антенной (индуктивная или емкостная);

- коэффициент шунтирования (y);

- количество одиночных контуров преселектора (N), как правило 1..3.

Ориентировочные значения конструктивной добротности, ослабления на краях полосы пропускания, коэффициента шунтирования приведены в табл. 2.1.

Таблица 2.1

 


 

Расчет преселектора с одиночными колебательными

контурами

Задаются ориентировочным числом одиночных контуров преселектора (N = 1) – только входная цепь, обеспечивающая избирательность по зеркальному каналу и промежуточной частоте, затем выбирают вид связи контура входной цепи с антенной, коэффициент шунтирования и конструктивную добротность в соответствии с таблицей.

Определяется максимально допустимая добротность контуров, обеспечивающих заданное ослабление на краях полосы пропускания:

 

  (2.1)

 

Определяется необходимая добротность контуров QИ, обеспечивающая заданную избирательность по зеркальному каналу: при применении одноконтурной входной цепи с индуктивной связью антенны с колебательным контуром и каскадов УРЧ с полным включением одиночных контуров:

    (2.2)

при применении одноконтурной входной цепи с внешнеемкостной связью антенны с колебательным контуром:

 

    (2.3)

Далее выбирается возможная эквивалентная конструктивная добротность контуров с учетом шунтирующего действия входного сопротивления применяемого транзистора:

(2.4)

где y – коэффициент шунтирования.

Ориентировочные значения QК приведены в таблице.

В процессе проектирования могут быть получены различные варианты результатов расчета:

а) QИ £ QП £ QЭК, то принимаем QЭ max < QП при условии, что QЭ max » 1,1QИ;

б) QИ £ QЭК £ QП, то принимаем QЭ max< QЭК;

в) QЭК < QИ £ QП, то надо изменить y, QК, чтобы выполнить условие QЭК ³ QП.

Принимая, что согласование входа транзистора с контуром будет осуществляться на максимальной частоте поддиапазона, определяется эквивалентная добротность контуров на нижней частоте поддиапазона:

  (2.5)

Проверяется QЭmin £ QП, если это условие не выполняется, увеличивают количество контуров N и повторяют расчет.

С выбранными значениями добротности проверяют избирательность по зеркальному каналу и на промежуточной частоте.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-10-27; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 702 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Так просто быть добрым - нужно только представить себя на месте другого человека прежде, чем начать его судить. © Марлен Дитрих
==> читать все изречения...

4447 - | 4218 -


© 2015-2026 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.01 с.