Для изучения характеристик светодиодов используется установка, схема которой показана на рис. 3.
Рис.3. Схема экспериментальной установки для изучения инжек-ционной ЭЛ светодиодов.
Напряжение, прикладываемое к светодиоду, обеспечивается универсальным источником постоянного тока УИП-2 и измеряется вольтметром Ф-4202 (V), обладающим высоким входным сопротивлением. Сила тока в цепи ФЭ определяется путем измерения величины падения напряжения (mV) на эталонном сопротивлении (Rэт) величиной 0.1 (Ом), включенном последовательно с исследуемым светодиодрм.
Исследование спектров ЭЛ осуществляется при включенном светодиоде СД1, излучение которого фокусируется линзой (Л) на входную щель монохроматора УМ-2. За выходной щелью спектрального прибора расположен фотоумножитель ФЭУ-22 (Ф), позволяющий регистрировать световое излучение в диапазоне длин волн 400-1000нм. Электрический сигнал, пропорциональный интенсивности ЭЛ, измеряется вольтметром В7-27А/1. Питание ФЭУ осуществляется от стабилизированного источника напряжения ВС-22. Второй светодиод (СД2), идентичный первому, используется для получения зависимостей яркости ЭЛ от величины тока и напряжения, а также для определения количественных параметров прибора. В непосредственной близости к СД2 расположен фотоэлемент, ток которого измеряется гальванометром М-95 (Г). Величина тока короткого замыкания фотоэлемента пропорциональна интенсивности излучения светодиода. Таким образом, показания гальванометра при различных значениях тока в цепи светодиода СД2 позволяют судить о зависимости яркости ЭЛ от силы тока и напряжения.
