Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Биполярный транзистор ИМС




 

На подложку р-типа наращивается тонкий слой кремния n-типа.

В результате получается эпитаксиальная пленка n толщиной порядка 10-20 мкм. В эту пленку методом диффузии вводят акцепторную p примесь. Распределение примеси в такой тонкой пленке почти одинаково. Это позволяет получить очень четкий р-n переход.

Далее создаются методом локальной диффузии (поочередно) эмиттер и база

 

Рис.9.14Эпитаксиально - планарная технология производства биполярного транзистора

(а) – подложка с эпитаксиальным слоем и окисной пленкой для изолирующей диффузии;

(б) – изолирующая диффузия;

(в) – диффузия базы и эмиттера с последующей металлизацией.

 

МОП – транзистор ИМС

(+) простота по сравнению с БТ, т. к необходима лишь одна диффузия (образование n областей истока и стока).

Рис.9.15Эпитаксиально - планарная технология производства полевого транзистора

 

Body –> подложка (русск);

Sourse –> исток (русск);

Gate –> затвор (русск);

Drain –> сток (русск).

 

04.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ” Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 7





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-10-01; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 499 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Студент всегда отчаянный романтик! Хоть может сдать на двойку романтизм. © Эдуард А. Асадов
==> читать все изречения...

2497 - | 2226 -


© 2015-2025 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.