Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


 онструкции мощных mosfet (sipmos, hexfet) транзисторов




—овременные полевые транзисторы

¬ зарубежной литературе различные типы полевых транзисторов (и бипол€рный) обозначаютс€ как:

 

BJT (bipolar junction transistor) Ц бипол€рные транзисторы (международный термин бипол€рного транзистора);

 

FET (field effect transistor) -полевой транзистор;

JFET (junction gate field-effect transistor) - транзистор с управл€ющим р-n переходом;

 

MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) - транзисторы на основе ћќѕ-структур;

 

SIPMOS (Siemens Power MOS) - мощные ћќѕ приборы —именс, элементарные €чейки выполнены в форме квадрата Siemens Power MOS.

—труктура SIPMOS подразумевает организацию в одном кристалле тыс€ч образующих квадрат параллельно-включенных ћќѕ транзисторных €чеек;

 

HEXFET (hexagonal field-effect transistor) - элементарные €чейки выполнены в форме шестиугольника.

—труктура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тыс€ч, образующих шестиугольник, параллельно-включенных ћќѕ транзисторных €чеек;

 

VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor) Ц транзистор с вертикальной структурой, фирма PHILLIPS;

 

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - бипол€рный транзистор с изолированным затвором.

 

HEMFET, HEMT ( High Electron Mobility Transisto) - транзистор с высокой подвижностью электронов.

 онструкции мощных MOSFET (SIPMOS, HEXFET) транзисторов

 

¬ последние четверть века сильное развитие получили мощные полевые транзисторы, в основном ћƒѕ-типа.

ќни состо€т из множества параллельных маломощных структур или из структур с разветвлЄнной конфигурацией затвора.

 

¬ ———– впервые такие приборы были созданы специалистами Ќ»» Ђѕульсарї Ѕачуриным ¬. ¬. (кремниевые приборы) и ¬аксембургом ¬. я. (арсенид-галлиевые приборы). »сследование их импульсных свойств было выполнено научной школой проф. ƒь€конова ¬. ѕ. (—моленский филиал ћЁ»).

ћощные ключевые (импульсные) полевые транзисторы со специальными структурами имеют высокие рабочие напр€жени€ и токи (раздельно до 500-1000 ¬ и 50-100 ј).

“акие приборы управл€ютс€ малыми (до 5 ¬) напр€жени€ми, имеют малое сопротивление в открытом состо€нии (до 0,01 ќм) у сильноточных приборов, высокую крутизну и малые (в единицы-дес€тки нс) времена переключени€.

 

” них отсутствует €вление накоплени€ носителей в структуре и €вление насыщени€, присущее бипол€рным транзисторам. Ѕлагодар€ этому мощные полевые транзисторы успешно вытесн€ют мощные бипол€рные транзисторы в области силовой электроники малой и средней мощности.

‘ирмы производители: International Rectifier, Motorola, Siemens, Ixys, Mitsubishi





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-10-01; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1352 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

Ћогика может привести ¬ас от пункта ј к пункту Ѕ, а воображение Ч куда угодно © јльберт Ёйнштейн
==> читать все изречени€...

1393 - | 1352 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.009 с.