1. Для осуществления расчетов необходимо открыть окно «построитель выражений», нажать кнопку «Новое».
2. Определить температурную зависимость постоянной Холла по уравнению (5).
3. Определить температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда, используя уравнение (6).
4. Рассчитать значения и .
5. Температурная зависимость сопротивления исследуемого образца определяется по закону Ома (уравнение 12).
6. Рассчитать температурные зависимости удельного сопротивления и электропроводности исследуемого образца соответственно по уравнениям (13) и (14)
7. Рассчитать значения .
8. Рассчитать подвижности свободных носителей заряда по уравнению (10).
9. Рассчитать значения .
10. Построить график температурной зависимости концентрации свободных носителей заряда в координатах: .
11. Построить график температурной зависимости постоянной Холла.
12. 20. Построить график температурной зависимости подвижности носителей заряда m.
13. Аналогичным образом построить график температурной зависимости электропроводности исследуемых образцов в координатах: и .
14. Путем графического дифференцирования зависимостей и определить энергию ширины запрещенной зоны полупроводника, используя следующее уравнение
15. ,
где k – постоянная Больцмана.
Контрольные вопросы
1. В чем сущность эффекта Холла?
2. Какой физический смысл имеет постоянная Холла?
3. Какие электрофизические свойства полупроводников можно исследовать с помощью эффекта Холла?
4. Почему под действием силы Лоренца электроны и дырки отклоняются в одну сторону?
5. Какие физические процессы определяют величину подвижности носителей заряда в полупроводниках?
6. Как объяснить природу возникновения дополнительной ЭДС, возникающей при исследовании эффекта Холла?
7. Как определить доминирующий механизм рассеяния носителей заряда?
8. В чем сущность эффекта Холла в полупроводниках со смешанным типом приводимости?