| Обозначения в программе | Перевод на русский язык | Эксплуатационные параметры |
| Saturation current, IS, (A) | Обратный ток коллекторного перехода, Iкб0, (А) | 1.6 * 10-14 |
| Forward current gain coefficient, βF | Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером, h21 | |
| Base ohmic resistance, RB, (Ом) | Объемное сопротивление базы, rб,(Ом) | 1.69 |
| Collector ohmic resistance, RC, (Ом) | Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, rк диф, (Ом) | 0.169 |
| Zero-bias B-E junction capacitance, CE, (F) | Емкость эмиттерного перехода, Сэ, (Ф) | 1.95*10-11 |
| Zero-bias B-C capacitance, CC, (F) | Емкость коллекторного перехода, Ск, (Ф) | 9.63*10-12 |
4. Включить схему, снять семейство входных статических характеристик транзистора Iб = f(Uбэ) при Uкэ = const, для чего установить в схеме напряжение Uкэ = 0 В и повышать напряжение Uбэ от 0 до 1200 мВ (смотри второй столбец Таблицы № 2), отмечая значения тока Iб транзистора. Меняя значение напряжения Uкэ от 0 до 20 В (через каждые 4 В), повторить опыты и значения Iб занести в Таблицу № 2.
Таблица № 2
| № опыта | Uбэ, мВ | Iб, мкА, мА | ||||||
| Uкэ = 0 В | Uкэ = 4 В | Uкэ = 8 В | Uкэ = 12 В | Uкэ = 16 В | Uкэ = 20 В | Uкэ = 24 В | ||
| 1. | ||||||||
| 2. | ||||||||
| 3. | ||||||||
| 4. | ||||||||
| 5. | ||||||||
| 6. | - | |||||||
| 7. | - | |||||||
| 8. | - | |||||||
| 9. | - | |||||||
| 10. | - | |||||||
| 11. | - | |||||||
| 12. | - | |||||||
| 13. | - | |||||||
| 14. | - |
5. По данным таблицы построить графики семейства входных статических характеристик исследуемого транзистора в выбранном масштабе.
6. Собрать схему для снятия выходных статических характеристик биполярного транзистора.
7. Включить схему, снять семейство выходных статических характеристик транзистора Iк = f(Uкэ) при Iб = const, для чего установить в схеме ток Iб = 50 мкА и повышать напряжение Uкэ от 0 до 20 В (через каждые 4 В), отмечая значения тока Iк . Устанавливая ток Iб как указано в Таблице № 3, повторить предыдущие опыты, данные занести в Таблицу № 3.
Таблица № 3
| № опыта | Uкэ, В | Iк, мА | |||||||
| Iб = 50 мкА | Iб = 100 мкА | Iб = 200 мкА | Iб = 400 мкА | Iб = 800 мкА | Iб = 1000 мкА | Iб = 4000 мкА | Iб = 8000 мкА | ||
| 1. | |||||||||
| 2. | |||||||||
| 3. | |||||||||
| 4. | |||||||||
| 5. | |||||||||
| 6. | |||||||||
| 7. |
8. По данным таблицы построить графики семейства выходных статических характеристик исследуемого транзистора в выбранном масштабе (в одной системе координат со входными характеристиками).
Пример построения входных и выходных ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, приведен на Рисунке № 1:
9. Пользуясь построенными характеристиками, определить h -параметры транзистора:
- входное сопротивление h11э = ∆Uбэ / ∆Iб, Ом.
- коэффициент обратной связи по напряжению h12э = ∆Uбэ / ∆Uкэ
- коэффициент передачи тока h21э = ∆Iк /∆Iб
- выходная проводимость транзистора h22э = ∆Iк /∆Uкэ, См.
10. Сделать выводы.
11. Оформить отчет и представить его для защиты.
Содержание отчета: 1. Тема, цель работы.
2. Исследуемые схемы.
3. Результаты измерений (таблицы), графики
семейства входных и выходных ВАХ БПТ в схеме с ОЭ.
4. Расчеты h -параметров.
5. Выводы.
Основные вопросы к защите: 1. По выполненной работе.
2. Устройство, принцип работы биполярного
транзистора.
3. Параметры, предельные параметры биполярных транзисторов.
4. система h -параметров биполярных транзисторов.
5. Схемы включения биполярных транзисторов.
6. Маркировка, схемное обозначение биполярных транзисторов.
Примечание: Если исследуется другой тип транзистора, то значения приложенных к цепи напряжений, (токов в цепи) могут отличаться.
Пример вывода: В результате исследования графика семейства входных характеристик видно, что при увеличении напряжения на базе (Uбэ) ток базы …, так как … (описать причину, вызвавшую это изменение), и так далее.
