| Обозначения в программе | Перевод на русский язык | Эксплуатационные параметры |
| Saturation current, IS, (A) | Обратный ток коллекторного перехода, Iкб0, (А) | 1.16 * 10-14 |
| Forward current gain coefficient, βF | Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером, h21 | |
| Base ohmic resistance, RB, (Ом) | Объемное сопротивление базы, rб,(Ом) | 1.69 |
| Collector ohmic resistance, RC, (Ом) | Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, rк диф, (Ом) | 0.169 |
| Zero-bias B-E junction capacitance, CE, (F) | Емкость эмиттерного перехода, Сэ, (Ф) | 1.956*10-11 |
| Zero-bias B-C capacitance, CC, (F) | Емкость коллекторного перехода, Ск, (Ф) | 9.63*10-12 |
4. Включить схему, снять семейство входных статических характеристик транзистора Iэ = f(Uэб) при Uкб = const, для чего установить в схеме напряжение Uкб = 0 В и повышать напряжение Uэб от 0 до 1200 мВ (смотри второй столбец Таблицы № 2), отмечая значения тока Iэ транзистора. Меняя значение напряжения Uкб от 0 до 24 В (см. Таблицу № 2), повторить опыты и значения Iэ занести в Таблицу № 2.
Таблица № 2
| № опыта | Uэб, мВ | Iэ, мА | |||||
| Uкб = 0 В | Uкб = 4 В | Uкб = 8 В | Uкб = 12 В | Uкб = 20 В | Uкб = 24 В | ||
5. По данным таблицы построить графики семейства входных статических характеристик исследуемого транзистора в выбранном масштабе.
6. Собрать схему для снятия выходных статических характеристик биполярного транзистора, включенного с общей базой:
7. Включить схему, снять семейство выходных статических характеристик транзистора Iк = f(Uкб) при Iэ = const, для чего установить в схеме ток Iэ = 50 мА и повышать напряжение Uкб от 0 до 24 В (как указано в Таблице № 3), отмечая значения тока Iк . Устанавливая ток Iэ как указано в Таблице № 3, повторить предыдущие опыты, данные занести в Таблицу № 3.
Таблица № 3
| № опыта | Uкб, В | Iк, мА | |||||
| Iэ = 50 мА | Iэ = 100 мА | Iэ = 200 мА | Iэ = 400 мА | Iэ = 600 мА | Iэ = 800 мА | ||
8. По данным таблицы построить графики семейства выходных статических характеристик исследуемого транзистора в выбранном масштабе.
Пример построения входных и выходных ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой, приведен на Рисунке № 1:
9. Пользуясь построенными характеристиками, определить h -параметры транзистора:
- входное сопротивление h11б = ∆Uэб / ∆Iэ, Ом.
- коэффициент обратной связи по напряжению h12б = ∆Uэб / ∆Uкб
- коэффициент передачи тока h21б = ∆Iк /∆Iэ
- выходная проводимость транзистора h22б = ∆Iк /∆Uкб, См.
10. Сделать выводы.
11. Оформить отчет и представить его для защиты.
Содержание отчета: 1. Тема, цель работы.
2. Исследуемые схемы.
3. Результаты измерений (таблицы), расчеты, графики зависимости.
4. Выводы.
Основные вопросы к защите: 1. По выполненной работе.
2. Устройство, принцип работы биполярного транзистора.
3. Параметры, предельные параметры биполярных транзисторов.
4. Система h -параметров биполярных транзисторов.
5. Схемы включения биполярных транзисторов.
6. Маркировка, схемное обозначение биполярных транзисторов.
Примечание: Если исследуется другой тип транзистора, то значения приложенных к цепи напряжений, (токов в цепи) могут отличаться, поэтому необходимо проконсультироваться у преподавателя.
Пример вывода: В результате исследования графика семейства входных характеристик видно, что при увеличении напряжения Uэб ток эмиттера …, так как … (описать причину, вызвавшую это изменение), и так далее.
