س ә қ. ʳ. ү ң ә қ ғ ө ққ ә.
Ғ-қ ң , Ққ ң қ-қ ғ ө ө өң әң . ұ ә өң ө , ө, қ ү ң қ . ң қ ң ғ-қ ң қ ң .
әү қ құ қ- ә қ, қ , ә .. ғ құғ ә ғ ә ң ң ө қ.
Ө (ө, ө, қ) ә ( қ) ң ң ғ қ ң құқ ө .
Әү ү қ, ө, қ ә қғ құғ, үң ү қ ө ғ, ө :
1) ө ә қ ө, қ ә қ ү ә құғ қ ққ ;
2) ү , , , ә .. қ ү ү қ (ү ).
Ө ү ү. ұ, ң ә, ң ң ү қ. Ө ң ң ө.
Ө ң қ ә қ ң . ө , ү, ғ ұ қ қ ң ү . Ө қ қ қ қ , қ ү .
|
|
ққ ң қ 1948 ң , қ ү ү ө ә .
қ ә ө, ұ қ, , қ ө ә ғ ғ ү .
ғ ғ ө қң ң ө қ ү ғ ң ө әү .
70- ң ө ө ө . ққ ң қ ң , қ, ң қ .
қ ң ұқ ә ң қ ұ ң ү ғ ң ө қ ә ң ү (ү ө ң қ ө, ң қ ө қ, ң ң үң ) .
ң ә , ққққ , ; ңң қ ө; қ өәң әү ө ү ғ ғ ү .
ғқ ң ү ө (XX-) ғң 20- . ұ үң ү қ қ ә қ . ң ғ ә ғ, қ ү ө ү, ө . , қ қ, ү ң ө ққ ә ө қ қ .
ү ң қ ғқ қ () ә қ () ү ө қ . ұ ө, ұқ ә ң қ қ ү ө қ ә қ ү ғ ү .
|
|
Ү, ү ң ғ ң ң ң қ ғ ң ә қ қ () ң, қғ IGBT (Insuled Gate Bipolar Transistor) ә MOSFET (Metal Oxide Semicondactor Field Effect Transistor)қ қ ғ .
ұ ңң ү ң қ ө . Ө ө ү әң қ ө , , ө , ғ ә ғ, Ә- ә ө, - ә қ қ ү ғ ү .
ү ө ү , ө, ә қ қ ә қ ә . , Қ- қ ө ң 70% ү.
ү , ү қғ, ғ. ұ ғң ұғ ң ғ ү қ ң ң. ә, -, , , , , , , ә .. қң ғ ғ қ. ү ң ө ә .
ө ғ ң ә ұ, ә ә ү ү ң қ ғ.
ө, ұ ңқ , ққ ғ ә қ ұ .
ү ң қ.
ңғ ү ү ү ү ө (, , қ ) ғ ө үң қ қ ң .
ү ө қ ө ү ү ү қ . ұ :
1) ң ә ң ү ә (: ұқ, ; қ, қ ; қ, ә ..);
2) ң ә ң (ә)(ұқ ү , ү ә ә қ);
3) ;
4) .
ө үң - 1.1. ө.
ө ү u1,f1 қ ң қ u2,f1 ү.
|
U1, f1 U2,f2
қ
|
|
1.1. . ө үң -.
ү ө ө ө ү құ қ . ғ, ң :
1. , , ;
2. ү , ө ;
3. ү ғ ү құғ қ ү;
4.қғ ә қ ү .
ү қ ғ :
қ;
ү;
;
қ ү ә ..
Ә: .1[5-7], қ.5 [4-7].
қ ұқ:
1.ү ң ң ң.
2.ө ғғ ү ү қ қғ?
3.ү ө ү құғ қ ң.
4.ү ө өә қ қ ққ ?
5. ү қ қ ғ ?