насыщенного пара: 1) при постоянной температуре давление не зависит от объёма 2) при постоянном объёме давлениеувеличивается с
ростом температуры. 
. Влажность характеризует наличие водяного пара в воздухе. 1) - абсолютная влажность: 
–
2) относительная влажность: 
При понижении температуры, относительная влажность растет и достигает 100%, когда пар,
содержащийся в воздухе, станет насыщенным. Температура, при которой пар становится насыщенным, называется точкой росы. При этой
температуре начинается конденсация пара, и он выделяется в виде росы, тумана, инея.
3. При 
происходит короткое замыкание 
; 
№ 29
1. Законы отражения: 1) Луч, падающий, и луч отраженный лежат в одной плоскости с перпендикуляром, проведенным в точку падения луча
к границе раздела сред. 2) Угол падения равен углу отражения. Законы преломления: 1) Луч, падающий, и луч преломленный лежат в одной
плоскости с перпендикуляром, проведенным в точку падения луча, к границе раздела сред.2) Отношение sin угла падения к sin угла преломления –
есть величина постоянная для данных сред, она называется относительным показателем преломления. 
(
- относительный
показатель преломления. Он показывает во сколько раз скорость света в первой среде больше скорости света во второй среде. 
Если свет переходит извакуума в среду, то: 
Если из среды в вакуум, то: 
(n – абсолютный показатель преломления среды).
Он показывает во сколько раз скорость света в вакууме больше скорости светав данной среде: 
Полное внутреннее отражение – отражение
света от границы менее плотной среды при угле падения больше предельного.Угол падения, при котором угол преломленияравен 90, называется
Предельнымуглом падения.
3. 
, 
, ( A – атомная масса, n – валентность, F – постоянная Фарадея),
.
№30
1. Дистиллированная вода является изолятором, т.к. в ней отсутствуют свободные заряды. Но если к воде добавить небольшое количество соли
кислоты или щелочи, то раствор будет проводить ток,т.к. в нем появятся свободные заряды. Распад молекул на ионы под воздействием
растворителя называется электромагнитной диссоциацией. Жидкий проводник, в котором носителями зарядов являются положительные и
отрицательные ионы, называется электролитом. Протекание электрического тока через электролит, сопровождающийсяхимическим
превращением вещества и выделением его на электродах, называется электролизом. Законы электролиза:1) Масса вещества, выделившегося
при электролизе прямопропорциональна заряду, прошедшему через электролит. 
. Он показывает, какая масса вещества выделится припротекании заряда в 1 Кл. 2) Электрохимический эквивалент вещества прямо
пропорционален его химическому эквиваленту , ( A – атомная масса, n – валентность, F – постоянная Фарадея), .
Электролиз используется в технике: очистка или рафинирование, электрометаллургия, гальваностегия, гальванопластика.
3. 
. Индукция: 
, 
,
.
№ 31
1.. Удельное сопротивление у полупроводников 10-5 - 104 Ом*м.Оно очень сильно зависит от внешних условий.К полупроводникам относятля элементы
3А, 4А, 5А группы, основные германий и кремний. Если полупроводник нагреть или осветить, то часть электрона отрывается от атома и становится
свободным, на их месте образуются дырки – избыток положительного заряда. Дырки может перемещатся и в результате заполняет электроны с
соседней связью, ток в полупроводниках создаётся движением дырак и электронов.Полупроводимость чистых полупрводников создаётся дырками и
электронами в равных количествах называется – собственными. Примесная проводимость — электрическая проводимость, обусловленная наличием
в полупроводникедонорных или акцепторных примесей.Контакт полупроводников с разными типам проводимости называется – электронно
дырочныйпереход или p-n переход. В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация
значительно превышаят концентрацию дырок (nn >> np). В полупроводнике p -типа основными носителями являются дырки (np >> nn). При контакте двух
полупроводников n - и p -типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n -области в p -область.
В результате в n -области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области
уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной
электрический слой, поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу.
3. A = qEd,ϕ = W n /q 0 , A = W n1 – W n2 , A = Q 0 V, ϕ = kq/ξr.
