Типовые значения параметров
высокочастотных транзисторов при t=(20±5) ºC
| Тип транзистора | β0 | rб, Ом | Ск, пф | τβ, мкс не более | Iк0, мкА не более |
| ГТ313Б | 0,049 |
Iк=1 мА
Uкэ=4 В
1. Сопротивление резистора Rэ:
Ом, где Uэ – падение напряжения на резист. 
Uэ≈0,2ЕК=0,2*15=3 В
2. Сопротивление резистора:
Ом
3. Перепад температуры окружающей среды:
4. Изменение обратного тока коллектора 
: 
мА
где 
и 
- значение IKO соответственно при t=+200С и t0=t0MAX,
a=10 для германиевых транзисторов.
5. Изменение напряжения на эмиттерном переходе:
В
где γt – коэффициент теплового смещения напряжения на эмиттерном переходе (принимаем γt=-1,8 мВ/град).
6. Допустимое приращение коллектора в рабочей точке: 
мА
7. Сопротивления резисторов:
кОм
кОм
Дифференциальное сопротивление
эмиттерного перехода: 
Iэ=1 мА
Расчёт усилительного каскада
1. Коэффициент внутренней обратной связи на средних частотах аэ за счёт сопротивления rэ:
где Rб=Rг||R1,2=(Rг*R1,2)/(Rг+R1,2)=(1400*26571,4)/(1400+26571,4)=1329,93 Ом – сопротивление эквивалентного генератора.
R1,2= R1||R2 =(R1*R2)/(R1+R2)=(132857,1*33214,3) /(132857,1+33214,3)=
=26571,4 Ом – сопротивление делителя смещения в цепи базы.
2. Коэффициент общей (внутренней и внешний) обратной связи в усилительном каскаде на средних частотах аоэ, за счёт сопротивления rэ и R0: 
Ом
3. Коэффициент усиления по напряжению на средних частотах по формуле:
RН=RК||R′Н=(RК*R′Н)/(RК+R′Н)=(8000*10000)/(8000+10000)=4,44 кОм – сопротивление эквивалентной нагрузки.
4. Находим эквивалентную постоянную передачи базы тока по формуле:
5. Постоянная времени корректирующего звена 
из выражения для параметра коррекции n, полагая n=nопт:
с
6. Величина корректирующего конденсатора в цепи эмиттера:
Ф
7. Максимальное значение верхней граничной частоты усилителя из выражения для нормированной частоты, полагая x=x0,7 max:
МГц
Спецификация к принципиальной схеме
| Элемент | Тип | Номинал |
| RЭ | МЛТ 0,125 | 3±5% кОм |
| RК | МЛТ 0,125 | 8,2±5% кОм |
| R1 | МЛТ 0,125 | 130±5% кОм |
| R2 | МЛТ 0,125 | 33±5% кОм |
| R0 | МЛТ 0,125 | 51±5% Ом |
| VT | ГТ313Б | - |
| C0 | Ёмкость | 5,6 нФ |
Рекомендуемая литература к курсовому проектированию
Основная:
1. Семёнов К.А. Методические указания к учебным исследовательским работам на тему: «Анализ усилительных схем методом круговых диаграмм». –Л., 1981.-108с.
2. Семёнов К.А. Анализ линейных электрических цепей методом круговых диаграмм.
3. Пустынский И.Н. Транзисторные видеоусилители. – М.: Сов. радио, 1973-176с.
4. Цыкин И.Н. Усилительные устройства.
5. Шаров В.П. Методические указания к курсовой работе на тему: «Широкополосные усилительные схемы с обратной связью и прстой коррекцией». ГМА им. адм. С.О. Макарова – 2003г. - 40с.
