Горизонтальное распределение частоты пузырьков в бурлящей свободной струе, которая свободена от стен, как известно, похожи. Другими словами, распределение следуют за нормальное (гауссово) распределение [24, 27, 28]. Горизонтальное распределение пузырьков частота вблизи вертикальной плоской пластины, как ожидается, следует за другим видом сходства распределение. Для того, чтобы убедиться в этом предположении, каждое значение 
нормализовались от максимального значения 
, а затем график против безразмерного горизонтального расстояние от пластины, 
на рис. 4.22. Сплошная линия обозначает экспериментально полученное распределение подобия для выражается:
(4.14)
(4.15)
Рисунок 4.19 - Горизонтальный распределение газа для затора 
.
Измеренные значения следуют из (4.14) для 
м, независимо от смачиваемости пластин. Наоборот, распределения для двух пластины отклоняются от (4.14) при 
м.
Рисунок 4.18 - Определение масштабов длины.
Рисунок 4.23 показывает, что при , газ задерживается˛ получается сходство распределение для двух пластин, независимо от смачиваемости. Такое распределение подобия представленное сплошной линией может быть выражено как:
(4.16)
(4.17)
Кипящей свободной струи, которая не зависит от боковой стенки сосуда может быть разделены на четыре области по отношению к осевому расстоянию от наконечника насадки [29]: импульс, переходы, плавучесть, и поверхностные регионы. Инерционный сила закачиваемого газа регулирует поток в области импульсов, в то время как плавучесть сила, действующая на пузырьки доминирует в области плавучести. Серединой является переходная область 
дается [29].
(4.18)
Где g - это ускорение силы тяжести. Уравнение (4.18) дает 
м для экспериментальных условий, рассмотренных. появляется классификация. Такое поле потока чтобы быть действительно для барботирования стенок струй, так как распределение и α для˙
м не следуют (4.14) и (4.16) соответственно. Выше позиция соответствует приблизительно вертикальному положению, при котором горизонтальные распределения 
(и α) для двух пластин хорошей и плохой смачиваемости начинают взаимодействовать друг с другом. Таким образом, можно сделать вывод, что на смачиваемость пластин влияет частота пузырьков и распределения газа в первую очередь.
3. Горизонтальное распределение среднего пузыря восходящего 
скорости.
На рисунке 4.24 приведены экспериментальные данные по средней скорости пузырька растет 
. Данные для плохо смачиваемой уменьшению пластины монотонно в направлении 
на каждом осевом положении. Напротив, отчетливый пик появляется в горизонтальном распределении при 
м для этой пластинки. В горизонтальной области 
м; 
не зависит от смачиваемости пластины. Тем не менее, в тех местах, 
м и 
м; ниже для слабо увлажненной пластины, чем для пластины с хорошей смачиваемостью. Это происходит потому, что растет скорость пузырьков,уменьшается вследствие прикрепления пузырьков к плохо смачиваемой пластине.
Рисунок 4.19 - Осевые распределения максимальных значений частота пузырьков и газового затвора 
Рисунок 4.20 - Осевые распределения длины шкал 
и 
,
для
Стандартное отклонение представлено 
. Отношение к составляет примерно 50% при 
и 20 
м, и остается почти константа в направлении у, как показано на рис. 4.25. В то же время, при 
и 
м, соотношение также составляет около 50% при м. Вне этого горизонтальное положение м; = резко возрастает, а затем уменьшается с увеличением у. Такое резкое изменение в = , как представляется, связанный с сильным уноса окружающей жидкости в пузырящейся стенку струи. В непосредственной близости от пластины в аксиальных положениях и м; = немного больше для плохо смачиваемой пластины, чем у пластины с хорошей смачиваемостью. Эту тенденцию можно объяснить тем, что пузыри растут рядом с плохо увлажненной пластины часто прикрепляются к ним, хотя они не всегда в ловушке на поверхности.
Рисунок 4.21 - Осевые распределения длины шкал 
и 
,
для
