Исходные данные
1) Кu=70
2) Uвх.ном.=±450 mV
3) Rвх.=6 МОм
4) gприв.=1 %
5) Диапазон рабочих температур: Dt=±(20±10°C)
Проанализируем погрешность, для чего примем исходную мультипликативную и аддитивную погрешности равными по величине.
(1)
1. Проанализируем аддитивную составляющую погрешности проектируемого ОУ:
1.1 Вычислим погрешность от ЭДСсм.:
есм.=10×10-6 mV
(2)
Следовательно нет необходимости проводить дополнительную корректировку дрейфа нуля, обусловленную ЭДС смещения.
2. Анализ составляющей погрешности от входных токов.
2.1 Примем погрешность от входных токов равную 0.01%, определим по выражению:
(3)
Из этой формулы определим допустимую величину R2, для чего в формулу (3) подставим значение Di=75×10-9 А и - коэффициент усиления по неинвертирующему входу:
(4)
2.2 Определим суммарную погрешность от дрейфа нуля (аддитивную погрешность)
(5)
2.3 Определим величину сопротивления
(6)
2. Проанализируем мультипликативную составляющую погрешности
2.1 Вычислим погрешности обусловленные неточностью подгонки резисторов R3, R4. Тогда погрешность от нестабильности сопротивлений резисторов может быть определена:
Пусть DR1=5% от R1 и равна 2100 Ом тогда:
Проанализируем вторую составляющую мультипликативной составляющей погрешности от нестабильности коэффициента усиления ОУ, принимая отношение и в соответствии с формулой:
(*)
Как видно из формулы (*) изменения кu будет вносить тем меньшую погрешность, чем большее усиление по замкнутому контуру bк (петлевое усиление).
Глубина ООС: 1+bк =
СПЕЦИФИКАЦИЯ
Поз. обозначение | Наименование | Кол | Примечание |
Конденсаторы | |||
C1, С2 | К53-30-0.1 мкФ | ||
C3 | К50-30-0.5 мкФ | ||
C4, С5 | 2.2 мкФ | ||
C6 | 500 мкФ | ||
С7, С8 | 22 мкФ | ||
Операционные усилители | |||
D1 | К140УД26 | ||
D2, D3 | К140УД8А | ||
Резисторы | |||
R1 | МЛТ - 0.25 - 820 Ом | ||
R2 | МЛТ - 0.25 - 820 Ом | ||
R3 | МЛТ - 0.25 - 42 кОм | ||
R4 | МЛТ - 0.25 - 600 Ом | ||
R5 | МЛТ - 0.25 - 600 Ом | ||
R6 | МЛТ - 0.25 - 1.2 кОм | ||
R7 | МЛТ - 0.25 - 1.2 кОм | ||
R8 | МЛТ - 0.25 - 3.9 кОм | ||
R9 | МЛТ - 0.25 - 3.9 кОм | ||
R10 | МЛТ - 0.25 - 1 кОм | ||
R11 | МЛТ - 0.25 - 10 кОм | ||
R12 | МЛТ - 0.25 - 4.7 кОм | ||
R13 | МЛТ - 0.25 - 15 кОм | ||
R14 | МЛТ - 0.25 - 4.7 кОм | ||
R15 | МЛТ - 0.25 - 10 кОм | ||
R16 | МЛТ - 0.25 - 10 кОм | ||
Трансформатор | |||
Т1 | |||
Диоды | |||
VD1 | К510А | ||
VD2-VD5 | К510А | ||
VD6 | Д814А | ||
Транзисторы | |||
VT1 | КП304А | ||
VT2 | КТ315Б | ||
VT3 | КТ203Б | ||
VT4 | П701Б | ||
VT5 | П605А |
Заключение
На основе тщательного анализа литературы по данной теме я разработал генератор синусоидальных колебаний с мостом Вина с использованием современной элементной базы. Данный тип генераторов позволяет получить синусоидальные колебания в относительно узкой полосе частот. Особым достоинством, которое хотелось бы отметить, является простота и дешевизна изготовления таких генераторов, наряду с хорошими техническими и метрогическими характеристиками
Список использованной литературы:
1. Руденко В.С. Основы промышленной электроники, - М., 1985, - 640 с.
2. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах, - М., 1988, - 380 с.
3. В.Н. Михальченко Операционные Усилители, - М., 1993, - 240 с.
4. Гутников В.С. Применение Операционных Усилителей в измерительной технике, - М., 1975, - 180 с.