( , , )
:
, ,
( ), , , . . | ||
: , , . . - . | ||
, | , , . | |
, , . | ||
. | ||
-0,30,5 % , 0,40,7 %, 0,20,3 % , . | ||
, | ||
( , ) | . . , . |
, , . | |
, -, -. | Nb3 Sn |
(, ) , , , , | ||
: ( 400 º) . 145 º (500900 º) | () , , , - , . |
. . | - , , , , , -- , . - , , C70 (30%Ag, 66,5 %W, 3,5%Ni), C 60, 70 (30% u, 67 % W, 3% Ni) | ||||
- , , (3, 2, 3, 5). . | |||||
, , | |||||
, , | ( ) | - 19, 15-20 | |||
( , , , , ) | 3-12 40-1,5 2080 | ||||
, , , | , , , | ||||
, , , | , , , | , | |||
, | |||||
Si, Si2 | |||||
9.5 2-2-1 43-0,5 | |||||
- (530%). 19 (19% Ni)
|
|
535 % 1345% 15-20, 13,516,5% Ni 1822% Zn,
8486% , 23% 1213% .
5860% , 3240% 1 2% .
- 10%, 1% .
- (9396 %); (1,82,5 %); 1,82,2 %); (0,81,2 %).
- (4344%) (23%).
, , 10-5 -10-8 ▪ .
, , .
, .
,
.
.
( , ) | , , , . | -60+70 . |
, , , . | 120 -200 | |
, | -65+75 | |
(Te) |
|
|
SiC | , | 1500 |
GaAs | , | 450 |
GaSb | ||
GaP | 800 | |
InAs | , | |
InSb | ||
InP | ||
, | ||
, |
() , . 108 -10-16 ▪ .
: ,
(, , , -4, )
,
.