4.1 p-n n-. , p-, n-; n > p n-. p+-. U. U . . .
.
. 4.1 p-n . |
- (E = 105104 /) , p-n . I, , U, . , p-n ( ). , p-n , p-n . , , .. .
U , p-n , , , .
, , ( ). U0 . .
7.
R I U :
I=( - U)/R | (15) |
(. .7.), / R .
I.
8.
, h-. h- , (I, U), .
h11 h12 U =1(I)|U=const.
9.
p-n . p-n . n p , . , . 2.34, p-n . p-n p-n . , , , .
|
|
.2.34.
10.
1.1. I=F(U)|U=const. (.3.1). ( DC).
.3.1. | .3.2. |
1.2. 1 U. .1.
1.
I(), 1 | ||||||||
U=0B, V2 | U(), V1 | |||||||
U=15B, V2 | U(), V1 |
(I, I) .. .
.
11.
3.1. I=F(U)|U=const I=F(U)|U=const. (.3.3). /. , . .1 .
.3.3.
3.2. I=F(U)|I=const. (.3.4).
.3.4.
, . .2 .
12.
, p-n-, 1952 . . . . 2. p-, p-n-. , , , . , p-n- . , . , . . , . , . , , , . . . . , , .
|
|
U=const IC , UC , IC . , . , , p-n-, , , . , , . , , , , . , . , , .
13.
I=F(U)|U=const. (.3.1). ( DC).
.3.1. | .3.2. |
1.2. 1 U. .1.
1.
I(), 1 | ||||||||
U=0B, V2 | U(), V1 | |||||||
U=15B, V2 | U(), V1 |
(I, I) .. .
.
1.2. (.3.1) I=F(U)|I=const. .2.
2.
U (), V2 | -0.5 | ||||||||
I=0, 1 | I (), 2 | ||||||||
I=2, 1 | I (), 2 | ||||||||
I=4, 1 | I (), 2 | ||||||||
I=8, 1 | I (), 2 |
.
21. .
- (. . 2, ) , . , - : . - (. 3).
(. 3, b) , U, - , , .
I U
1.
I =0
2. .
- .
2. .
3. .
24. .
- 1.5.
, 1.4 1.5, ,
- - n- .
, -
, - p-n-.
|
|
p-n-
- .
U, ,
1.5, - .
U,
( ), - , , - :
n-. .
U - . ,
, .
,
(0,2 - 1
n- 2 - 4 -).
15. ?
p-n- : . ( ) .
1. () . :
(4.1)
. 4.5, n-.
2. () .
:
(4.2)
. 4.5, .
. 4.5. p-n- n-
, , , . , p-n- , . . , , . , . , , p-n-, . .
18. ? ?
, , .
: (), () ()
, . . . , , . , .
|
|
2 . -n , ( ), (), . . ( ).
50 500 (BPT) (MOSFET). (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) [1].
MOSFET , 80- , , . , , , . MOSFET , . .
80- , 90- ( International Rectifier) IGBT. .
, IGBT- . IGBT . . .
22. -.
.1.7 - , . ( ) I , . I 1. U . . U . I 2.
R I U :
I=( - U)/R
26. ?
.2
, - .
17. .
, , , , .3.8. . , , , . α0 fα. .