орядок выполнения работы
3.2.1 Исследование выходной характеристики полевого транзистора с с управляющим p‑ n переходом
Собрать схему, которая приведена на рис.4.7. Параметры функционального генератора (форма импульсов – треугольные): Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset – “+9В” для транзистора с каналом n- типа или “-9В” для транзистора с каналом p- типа.
Настройки осциллографа: развертка - 0.50 мс/д (Y/T), X position=0.00, Чувствительность по каналу А – 10 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 10мв/д (Y position=0.00), режим DC. Синхронизироваться в режиме AUTO, передним фронтом импульса.
Рисунок. 3.1 – Схема для снятия выходной ВАХ транзистора для
n -канальных транзисторов
Открыть осциллограф и включить схему. После появления двух осциллограмм IС(t) и UСИ(t) остановить процесс моделирования. Изображения осциллографа рекомендуется развернуть на весь экран. С помощью визирных линий осциллографа, составить таблицу соответствия тока стока IС напряжению сток-исток UСИ при фиксированных значениях напряжения затвор-исток (табл. 3.1). По полученным данным построить семейство выходных характеристик IС=f(UСИ) при UЗИ=const.
Таблица 3.1 Соответствие тока стока IС напряжению UСИ при фиксированном значении напряжения затвор-исток UЗИ для транзистора с каналом n- типа
| UЗИ, В | UСИ, В | 0,5 | ||||||||
| IС, мА | 7,79 | 14,35 | 22,28 | 24,04 | 27,05 | 30,2 | 32,95 | 34,38 | ||
| -0,5 | IС, мА | 6,07 | 10,72 | 14,27 | 15,22 | 17,18 | 19,05 | 20,94 | 21,89 | |
| -1 | IС, мА | 4,54 | 7,08 | 7,81 | 8,34 | 9,42 | 10,44 | 11,53 | 12,04 | |
| -1,5 | IС, мА | 2,47 | 3,14 | 3,25 | 3,5 | 3,93 | 4,34 | 4,82 | 5,05 |
Рисунок 3.2 - Семейство выходных характеристик IС=f(UСИ) при UЗИ=const
сследование передаточной характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Собрать схему, которая приведена на рис. 3.3
Параметры функционального генератора (форма импульсов – треугольные): Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2 В, Offset – “-1В” для транзистора с каналом n-типа или “+1В” для транзистора с каналом p-типа.
Настройки осциллографа: развертка – 0.50 мс/д (Y/T), X position=0.00, Чувствительность по каналу А – 2 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 50мв/д (Y position=0.00), режим DC. Сихронизироваться в режиме AUTO, передним фронтом импульса.
Рисунок. 3.3 – Схема для снятия передаточной характеристики транзистора
для n-канальных транзисторов
Открыть осциллограф и включить схему. После появления двух осциллограмл IС(t) и UЗИ(t) остановить процесс моделирования. С помощью визирных линий осциллографа, составить таблицу соответствия тока стока IС напряжению затвор-исток UЗИ (до UЗИ.ОТС) при фиксированных значениях напряжения сток-исток (табл. 3.2).
По полученным данным построить семейство передаточных характеристик полевого транзистора с n-p -переходом IС=f(UЗИ) при UСИ=const.
Таблица 3.2 Соответствие тока стока IС напряжению затвор-исток UЗИ при фиксированном значении напряжения сток-исток UСИ для транзистора с каналом n- типа (пример)
| UСИ, В | UЗИ, В | -0,5 | -1 | -1,5 | -2 | -2,5 | -3 | |
| IС, мА | 17,82 | 9,16 | 4,07 | 740,12* 
| 903,37* 
| 1104*
| ||
| IС, мА | 22,47 | 12,1 | 5,16 | 941,84*
| 840,28*
| 850,32*
|
Рисунок 3.4 - Семейство передаточных характеристик полевого транзистора IС=f(UЗИ) при UСИ=const
