Лекция № 4
Расчет полей заданных электрических зарядов
План лекции:
1. Электрическое смещение. Поток смещения.
2. Теорема Гаусса для электрического поля в диэлектрике.
3. Расчет поля равномерно заряженных бесконечных плоскостей.
4. Напряженность и потенциал поля равномерно заряженной сферической поверхности.
5. Напряженность и потенциал поля объемно заряженного шара.
6. Напряженность и потенциал заряженных цилиндра, бесконечной прямой нити.
Вопрос №1. Электрическое смещение. Поток смещения.
Для описания электростатического поля используют его силовую характеристику — напряженность поля Е. Эта величина зависит от свойств среды, которые определяются диэлектрической проницаемостью е в выражении:
.
В диэлектрической среде напряженность поля определяется как свободными, так и связанными зарядами.
Связанными зарядами называются заряды, которые входят в состав атомов и молекул, а также заряды ионов в кристаллических диэлектриках с ионной решеткой. Свободные заряды — это заряды частиц, способных перемещаться под действием электрического поля на макроскопические расстояния (электроны проводимости в металлах и полупроводниках, электроны в вакууме, ионы в электролитах и ионизированных газах). К свободным относятся также избыточные заряды, сообщаемые телу и нарушающие его электростатическую нейтральность (например, заряды, нанесенные извне на поверхность диэлектрика).
Чтобы при описании поля в изотропной среде (диэлектрике) скомпенсировать влияние этой среды на напряженность Е (Е = Ео / ε), вводят дополнительную характеристику поля, называемую электрическим смещением (прежнее название — электрическая индукция):
|
В случае точечного заряда проекция вектора на направление радиус-вектора определяется по формуле
|
Из выражения (1.2) видно, что электрическое смещение не зависит от электрической проницаемости ε среды и определяется только свободным зарядом q. Оно измеряется в тех же единицах, что и поверхностная плотность σ заряда, т.е. [D] = 1 Кл/1 м2.
|
Электрическое смещение в определенной небольшой области пространства можно измерить с помощью «пластинок Ми», которые представляют собой обкладки плоского конденсатора. Если расположить эти пластинки на некотором расстоянии r от точечного заряда q и сориентировать так, чтобы их плоскость была перпендикулярна вектору (рис. 1.), то плотность заряда σ, индуцированного на одной из пластинок, будет численно равна электрическому смещению D, создаваемому зарядом q в точке М.
Из выражения (1.2) видно, что электрическое смещение фактически характеризует интенсивность поля, создаваемого только свободными зарядами. Так же как и напряженность Е, электрическое смещение D удовлетворяет принципу суперпозиции.
Аналогично вводят линии электрического смещения, направление и густота которых удовлетворяют тем же правилам, которые справедливы для линий напряженности.
Для расчета электростатических полей большое значение имеет поток электрического смещения Ф, который вводится следующим образом.
|
Пусть имеется небольшая произвольно ориентированная поверхность Δ S, расположенная в электрическом поле (рис. 2).
|
В дальнейшем для расчета характеристик поля, т.е. смещения D и напряженности Е, нам понадобится поток D сквозь замкнутую поверхность S в направлении внешней нормали к этой поверхности:
- определение потока вектора D.