Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ).

Оперативное запоминающее устройство или RAM (Random Access Memory). Позволяет записывать и считывать информацию.

Статическое ОЗУ SRAM конструируется с помощью D-триггеров, информация в ОЗУ сохраняется на протяжении всего времени, пока к нему подается питание. Работает очень быстро. Время доступа несколько наносекунд. Используется в качестве КЭШ памяти.

В динамическом ОЗУ DRAM триггеры не используются, динамическое ОЗУ представляет собой Массив ячеек, каждая из которых содержит транзистор и крошечный конденсатор. Конденсаторы могут быть заряженными и разряженными, что позволяет хранить нули и единицы. Поскольку электрический заряд имеет тенденцию исчезать, каждый бит в динамическом азу должен обновляться (перезаряжаться), каждые несколько миллисекунд, чтобы предотвратить утрату. Поскольку динамическому ОЗУ нужен только один транзистор и один конденсатор на бит, статическому ОЗУ требуется 6 транзисторов. Динамическое ОЗУ имеет очень высокую плотность записи, по этой причине основная память строится на основе динамических ОЗУ, однако динамические ОЗУ работают медленно (время доступа десятки наносекунд). Таким образом, сочетание КЭШ памяти на основе статического ОЗУ и основной памяти на основе динамического ОЗУ соединяет в себе преимущество обоих устройств.

Типы динамических ОЗУ

FPM (Fast Page Mode). Представляет собой матрицу битов. Аппаратное обеспечение представляет адрес строки, а за тем адрес столбцов по ним определяется место нахождения ячейки. [Увеличение быстродействия по сравнению с обычной (PM RAM) достигается следующим образом: в случае, когда последовательно выбираемые элементы расположены на одной странице (строке), полный адрес (строка + столбец) подается только один раз для выборки первой ячейки строки. Для доступа к другим ячейкам той же страницы используется только адрес столбца].

EDO (Extended Data Output). Позволяет обращаться к памяти ещё до того, как закончилась предыдущее обращение. Это повышает пропускную способность, позволяя получить больше «слов» в секунду.

SDRAM(Synchronous DRAM). Управляется одним синхронизирующим сигналом. Это гибрид статического и динамического ОЗУ. Преимущество состоит в том, что такое ОЗУ исключает зависимость микросхемы памяти от управляющих сигналов. Центральный процессор сообщает памяти, сколько циклов следует выполнить, а за тем запускает эти циклы. Каждый цикл дает на выходе 4,8 или 16 бит, в зависимости от количества выходных строк. Устранение зависимости от управляющих сигналов приводит к увеличению скорости передачи данных между центральным процессором и памятью.

DDR (double data rate). Эта технология предусматривает вывод данных как на фронте так и на спаде импульса, в следствии чего скорость передачи увеличивается. Например восьмиразрядная микросхема, работающая с чистотой 200 МГЦ дает на выходе 2 8 разрядных значения 200 мил. раз в секунду. Скорость может достигать 3.2 гигабайта в секунду.