Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


На КМДП(комплиментарные МДП)




Билет 11

Диод Шотки.

В основе работы диода Шоттки используется выпрямляющий контакт (п. 1.2), металл-полупроводник, который изготавливается из качественного кремния с молибденом, нихромом, золотом, платиной или алюминием.

Диод Шоттки работает на основных носителях, отсутствует инжекция неосновных носителей, диффузионная емкость около нуля, выше быстродействие, так как оно определяется только барьерной емкостью. Это определяет эффективность применения диодов Шоттки в высокочастотных аналоговых и цифровых схемах.

обозначение

Операционный усилитель. Принципиальная схема

Операционный усилитель – универсальный усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и однотактным выходом.

Идеальный ОУ имеет следующие параметры:

- коэффициент усиления по напряжению стремится к бесконечности;

- входное сопротивление стремится к бесконечности;

- выходное сопротивление стремится к 0.

Здесь:

вход 1 – неинвертирующий вход, т.е. выходной сигнал совпадает по фазе с входным;

вход 2 – инвертирующий вход, т.е. выходной сигнал в противофазе с входным;

выход – однотактный;

п и ‑Еп выводы двух источников питания Еп или двуполярного источника.

 

Схема И-НЕ на МДП и КМДП

На МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)

В двухвходовой схеме И-НЕ (см. рисунок 3.16) входные транзисторы VT1 и VT2 соединены последовательно. Если хотя бы на один из входов подан низкий уровень напряжения, соответствующий транзистор запирается, ток через входные транзисторы не течет, и на выходе схемы будет высокий уровень. И только при подаче на все входы схемы высокого уровня транзисторы VT1 и VT2 откроются, течет ток, и на выходе будет низкий уровень. Выполняется операция

.

на КМДП(комплиментарные МДП)

Устройство базового элемента И—НЕ как бы обратно устройству элемента ИЛИ—НЕ: параллельно соединены транзисторы с каналами р -типа, а последовательно — с каналами п- типа (см. рисунок 3.19). Работа данной схемы абсолютно идентична работе элемента ИЛИ—НЕ с тем исключением,что напряжение низкого уровня на выходе устанавливается только при одновременной подаче на оба входа элемента напряжения высокого уровня, а во всех остальных случаях на выходе будет присутствовать напряжение высокого уровня. Действительно, при одновременной подаче на входы x 1 и x 2 напряжения высокого уровня транзисторы VT 1 и VT 2 открываются, а транзисторы VT 3 и VT 4 закрываются. На выходе устанавливается напряжение низкого уровня (логический ноль). При подаче хотя бы на один из входов напряжения низкого уровня один из параллельно включенных транзисторов VT 3 или VT 4 открывается, а соответст­вующий ему комплементарный транзистор (VT 1 или VT 2 ) закрывается. На выход в этом случае через соответствующий открытый транзистор передается напряжение источника питания. На выходе устанавливается напряжение высокого уровня (логическая единица).

 

 

Билет 12.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2017-01-28; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 332 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Сложнее всего начать действовать, все остальное зависит только от упорства. © Амелия Эрхарт
==> читать все изречения...

2187 - | 2073 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.007 с.