Практическим занятиям по курсам “Электроника” и
“Электротехника и Электроника”
Тема 1. Вольт-амперные характеристики
полупроводникового диода
1. Объяснить механизмы формирования тока через p-n – переход.
2. При каких допущениях получено соотношение, описывающее вольтамперную характеристику полупроводникового диода.
3. Какими факторами ограничивается ток прямо смещенного перехода.
4. К чему приводит увеличение мощности, выделяемой в полупроводниковой структуре в высоковольтной области вольт-амперной характеристики.
5. Указать основные отличия реального полупроводникового диода от идеального.
Тема 2. Барьерная емкость полупроводникового диода и
Электронная перестройка частоты колебательного контура
1. Пояснить, при каких допущениях относительно структуры p-n – перехода выведены расчетные соотношения, описывающие барьерную емкость полупроводникового диода.
2. От какого параметра диодной структуры в наибольшей степени зависит величина барьерной емкости перехода.
3. В какой области изменения обратного напряжения возможно линейное представление экспериментально полученной зависимости 
.
4. Привести примеры использования варикапов в резонансных колебательных системах.
Тема 3. Вольт-амперные и световые характеристики
фотодиода
1. Объяснить механизм формирования тока через освещенный p-n – переход и дать определение эффекта генерации фото-ЭДС.
2. При каких допущениях получено соотношение, описывающее вольт-амперную характеристику фотодиода.
3. От каких параметров полупроводников и светового потока зависит чувствительность фотоприемника на основе p-n – перехода.
4. В какой части вольт-амперной характеристики реализуется режим преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию.
5. Пояснить, при каких условиях фотоэлемент выдает максимальную выходную мощность.
Тема 4. Параметры и статические характеристики
МДП транзистора
1. Объяснить механизм формирования проводящего канала в МДП-транзисторе.
2. Дать определение порогового потенциала на поверхности полупроводника и порогового напряжения в идеализированной МДП-структуре.
3. Описать основные методы улучшения параметров МДП-транзисторов.
4. Представить критерии длинного и короткого каналов в МДП-транзисторах.
5. Обосновать выбор материала и толщины слоя диэлектрика для обеспечения необходимых значений напряжения пробоя на затворе и крутизны стоко-затворной характеристики.
6. Пояснить эффект модуляции длины канала при изменении напряжения между стоком и истоком.
Тема 5. Термоэмиссионные характеристики
Вакуумного диода
1. Указать преимущества и недостатки различных типов материалов, используемых в качестве катодов промышленных электровакуумных приборов.
2. Пояснить физический смысл работы выхода при эмиссии электронов из катода.
3. Объяснить различия в режимах работы вакуумного диода при ограничении тока пространственным зарядом электронов и насыщении тока при заданной температуре катода.
4. Пояснить физические принципы и граничные условия, которые используются при выводе зависимости тока от напряжения в планарном диоде.
5. Представить зависимость тока от напряжения вакуумного диода при цилиндрической конструкции анода и катода.
Тема 6. Траектории электронного пучка в электровакуумных приборах с электростатическим отклонением
1. От каких параметров зависит траектория электрона в электрическом поле плоского конденсатора.
2. Какие противоречивые требования накладываются на конструкцию электронно-лучевой трубки и скорость электронного пучка.
3. Какими параметрами электронного осциллографа определяется предельная частота отклоняющего напряжения.
4. Пояснить осциллографические методы измерения фазового сдвига и сравнения частот переменных напряжений.
5. Перспективы использования электронных осциллографов при проведении радиоизмерений.
