.


:




:

































 

 

 

 





. , . . 4.1 [9]

:

.

(I)=4,26 ;

= 150 ;

MOSFET,

=404 ;

t VT ( )=21 ;

t ( ) =31 ;

:

( ).

t

 

 

 

:

 

 

 

 

 

. 4.1.

P P VT. , VT . 4.2 ( VT MOSFET).

MOSFET (t˚C), t˚C=25˚C ( 25 = 330 ) ( /˚C) ( =2,2 /˚C) . :

 

T2:

[5, c. 117].

[2],

P VT, =2,51 ;

KT , . ;

tc = 20 ;

R =0,45 ;

RTKM , , , , , = ;

T max min (T1˚C, T2˚C);

T1=170 ˚C < T2=174 ˚C T max :

T max=170 ˚C.

, :

 

,

 

 

P

 

t, ˚C

 

.4.2. =f(t˚C) VT

 

 

5.1 R=(tC) (. 5.1). :

, :

5.1

, , /
ϭ175   (-10)(+400) -10/44,17 100/63,99 250/89,46 400/114,72

 

:

 

 
.5.1.

 

 

( 10 400) (R2 min=44,17 , R2 ma x = 114,72 ).

. 5.2.

5.2. : ();

()

 

R2 , R5 , , , t. U=0. , R5 , . R2 min , R5 , . .

R2 min(R4+R5)=R1 R3.

, R 5 R2 max R4=(R1+R5) R3.

4 R1, R3, R4 R5. ( R5) , :

1) , ( , );

2) , E1. : IR2 < I ( P£1 ).

, . :

,

,

 

( ).

:

 

 

R3 = 1100 c

, R4 = 1100 , , , ;

 

 

R2 min R2 max, .. U (, R2 min), E1=5 :

; (5.1)

 

; (5.2)

 

ε1= Ua= U U .

ε1= Ua= U U= 0,000000 .

 

R2 ( R2min) 1% . Dt˚C=400 (10)=410, 1% 4,1 , . . R2 t˚C= 10+4,1= -5,9.

(5.2) ε1

ε1= Ua= U Ub1= 0,00296 .

 

, ( ).

(. 5.2, ) .

R3 = R4 = 1100 c . R1 R1 =47 0,125 . R5 3-38,

R5 =68 , c 0,125 ;

 

 





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: 2017-01-21; !; : 663 |


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