Различные полупроводниковые приборы

 

Тиристоры, их разновидности, структура и принцип рабо­ты. Терморезисторы и болометры, принцип действия, харак­теристики и параметры.

 

 

ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ № 1

Таблица выбора варианта контрольной работы № 1

Таблица 1

Две послед­ние цифры шифра

Номер вари­- анта

Номера задач

Две послед­ние цифры шифра

Номер вари­анта

Номера задач

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

или

Задача 1

Опишите общие сведения и строение кристаллической ре­шетки химически чистых полупроводников.

 

Задача 2

Опишите структуру и энергетические диаграммы примес­ных полупроводников.

 

Задача 3

Опишите явления тепловой генерации в собственном полу­проводнике и тепловой ионизации в примесном полупровод­нике.

 

Задача 4

Опишите явления ударной и световой генерации и реком­бинации в полупроводнике.

 

Задача 5

Опишите свойства электронно-дырочного перехода при подключении внешнего напряжения в прямом и обратном на­правлениях.

 

Задача 6

Поясните, что представляют собой барьерная и диффузи­онная емкости электронно-дырочного перехода.

 

Задача 7

Укажите виды пробоя электронно-дырочного перехода. Поясните явление теплового пробоя электронно-дырочного перехода.

 

Задачи 8—22

Пользуясь вольтамперной характеристикой полупроводни­кового диода (рис. 1), определить сопротивление диода постоянному току при прямом напряжении U_np и обратном напряжении U_о6p. Пояснить влияние температуры на величи­ны прямого и обратного сопротивлений диода. Перечислить основные типы полупроводниковых диодов, указав их особен­ности и область применения.

Числовые значения исходных данных приведены в табл. 2.

 

Таблица 2

Исходные данные						Номера задач
Unp. В	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,7	0,6	0,5	0,4	0,3	0,2	0,8	0,9
Uобр, В

Задачи 23—42

 

Заданы семейства входных и выходных статических ха­рактеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2, 3 в зависимости от варианта). Необходи­мо:

а) в заданном семействе выходных характеристик постро­ить нагрузочную прямую для сопротивления нагрузки R_к и напряжения источника питания Е_к;

б) на нагрузочной прямой обозначить рабочую точку по­коя при токе базы I_бо и определить графически статические параметры транзистора h₂₁ и h₂₂

в) определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя Р_ко, и сравнить ее с допустимой Р_{к доп};

г) изобразить графики изменения тока и напряжения в коллекторной цепи при заданной амплитуде тока базы I_бm. Определить амплитуды тока I_кm и напряжения U_кm в коллек­торной цепи;

д) в заданном семействе входных характеристик обозна­чить рабочую точку покоя при токе базы К_бо и определить графически статический параметр транзистора h₁₁;

е) изобразить график изменения входного напряжения при заданной амплитуде тока базы I_{бm .} Определить амплиту­ду входного напряжения U_бm;

ж) рассчитать коэффициенты усиления транзистора по току К_т, напряжению К_н и мощности К_м, а также полезную мощность Р _вых,выделяющуюся на нагрузке;

з) начертить схему подключения транзистора к источни­кам питания.

 

 

 

 

Численные значения исходных данных приведены в табл. 3.

Таблица 3

Номе­ра задач	Тип транзис­тора	Номер рисун­ка	Исходные данные
Е к, В	R н, кОм	I бо, мА	I бm, мА	Рк доп мВт
	КТ312А			0,8	0,3	0,3
	КТ312А			0,64	0,4	0,4
	КТ312А			0,91	0,4	0,3
	КТ312А			0,76	0,2	0,2
	КТ312А			0,72	0,4	0,2
	КТ312А			0,68	0,3	0,2
	КТ312А			0,87	0,2	0,1
	КТ312А			0,64	0,4	0,3
	КТ312А			0,88	0,4	0,3
	КТ312А			0,6	0,4	0,4
	МП115			4,0	0,3	0,2
	МП115			3,8	0,2	0,1
	МП115			4,1	0,3	0,3
	МП115			3,2	0,2	0,2
	МП115			5,2	0,3	0,1
	МП115			2,6	0,2	0,1
	МП115			4,6	0,3	0,2
	МП115			4,0	0,3	0,3
	МП115			3,2	0,2	0,2
	МП115			4,0	0,3	0,2

Задача 43

Поясните принцип действия полевого транзистора.

 

Задача 44

Поясните устройство полевого транзистора с индуцирован­ным каналом.

 

Задача 45

Поясните устройство полевого транзистора с встроенным каналом.

 

Задача 46

Поясните особенности полевых транзисторов по сравне­нию с биполярными транзисторами.

Задача 47

Приведите схемы включения полевого транзистора и ука­жите их свойства.

 

Задача 48

Укажите правила установки и эксплуатации полупровод­никовых приборов.

 

Задача 49

Поясните основные причины, вызывающие отказы в рабо­те полупроводниковых приборов.

 

Задача 50

Опишите устройство, параметры, типы и область примене­ния фоторезисторов.

 

Задача 51

Начертите структурную схему динистора, опишите его уст­ройство, принцип действия и область применения.

 

Задача 52

Начертите структурную схему тринистора, опишите его устройство, принцип действия и область применения.