стора Iс=f(Uзи) при Uси=Const=15В. Для этого изменяется напряжение источника Uз в интервале от напряжения отсечки до нуля (6 – 10 точек, например, через 0.2 В) и фиксируется ток стока Ic. Результаты измерений сведите в таблицу 6.
6. Повторить опыт для Uс=5В, для чего изменить напряжение источника Ес с 15 В до 5В. Результаты свести в таблицу.
Таблица 6
| Uз В | 0,2 | 0,4 | 0,6 | ... | Uзиотс | ||
| Uс=15В | Ic мА | Icmax | Icmin | ||||
| Uс=5В | Ic мА | Icmax | Icmin |
7.Снять семейство выходных статических характеристик Iс=f(Uси) при Uз=Const. Предварительно нужно определить значения напряжения на затворе, при которых будут сниматься характеристики. Выберем приращение DUз=[Uзиотс]/4.Рекомендуется взять ближайшее кратное пятии значение. Напряжение Uси изменять от нуля до Uсидоп, но не более чем до 20В. Выходные характеристики снимать при Uз=0, Uз=0,2Uзотс, Uз=0,5Uзотс, Uз=0,7Uзотс. Результаты измерений занести в
таблицу 7.
Таблица 7
| Uси(В) | 0.2 | 0.5 | |||||||
| Uз=0 | Iс | ||||||||
| Uз=0,2Uзотс | Iс | ||||||||
| Uз=0,5Uзотс | Iс | ||||||||
| Uз=0,7Uзотс | Iс |
8. Построить графики статических входных Iс=f(Uзи) (сток-затворных) и выходных Iс=f(Uси) (стоковых) характеристик.
Определить крутизну характеристики транзистора при нормальной (27ºС) температуре.
S = DIc/DUз [mA/B] при напряжении Uси=10В и
Uзи=0,2Uзотс, коэффициент усиления М = DUcи/DUз.
Вершины характеристического треугольника должны совпадать со значениями таблицы 6.
На линейном участке выходной характеристики построить характеристический треугольник и определить параметр rси=DUcи/DIc при Uси =10В и напряжении Uзи=0,5Uзотс,крутизну S = DIc/DUз. Вершины треугольника должны совпадать со значениями в таблице 7.
В средине треугольника выделить точку, спроектировать ее на оси тока и напряжения и по полученным значениям Ucи и Ic вычислить сопротивление канала транзистора постоянному току Ro = Ucи/Ic. Сравнить полученную величину с сопротивлением rси.
Вычислить статический коэффициент усиления транзистора М=S*rси.
Содержание отчета
Отчет должен включать:
– Цель работы.
– Схему исследования.
– Определение Uзиотс.
– Таблицы с результатами измерений.
– Графики входных и выходных характеристик с построенными на них характеристическими треугольниками.
– Статические параметры транзистора.
– Выводы.
Режим работы транзистора по постоянному току
Цель работы
Изучить режим работы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером на постоянном токе. Определить параметры каскада на постоянном токе.
Порядок выполнения работы
1. На коллекторных характеристиках транзистора, снятых при выполнении работы «Характеристики и параметры биполярного транзистора», построить нагрузочную прямую. Величину ЕК выбрать в диапазоне 15 – 20 В, ток насыщения IКНАС выбрать вблизи перегиба коллекторной характеристики, снятой при максимальном токе базы, но не более 12мА. Определить величину сопротивления в цепи коллектора RК=ЕК/IКНАС и выбрать ближайшее большее значение из ряда Е12 (1; 1,2; 1,5; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2). Провести нагрузочную прямую для выбранного сопротивления. На нагрузочной прямой установить рабочую точку
 |
13
