Лекции.Орг
 

Категории:


Универсальный восьмиосный полувагона: Передний упор отлит в одно целое с ударной розеткой. Концевая балка 2 сварная, коробчатого сечения. Она состоит из...


Деформации и разрушения дорожных одежд и покрытий: Деформации и разрушения могут быть только покрытий и всей до­рожной одежды в целом. К первым относит...


Поездка - Медвежьегорск - Воттовара - Янгозеро: По изначальному плану мы должны были стартовать с Янгозера...

Интегральные логические элементы базиса И-НЕ и их параметры.



Интегральные логические элементы используются при потенциальной форме представления логических величин.

Элемент И-НЕ диодно-транзисторной логики (ДТЛ)

Схема интегрального элемента И-НЕ типа ДТЛ показана на рис. 2.7. Элемент может быть разбит на две последовательно включенные функциональные части. Входные величины подаются на часть, представляющую собой диодный логический элемент И. Вторая часть элемента, выполненная на транзисторе, представляет собой инвертор (выполняющий операцию НЕ). Таким образом, в элементе последовательно выполняются логические операции И и НЕ и, следовательно, в целом он реализует логическую операцию И-НЕ.

Если на всех входах элемента действует напряжение высокого уровня (лог.1), то на выходе первой части схемы (в точке А) образуется напряжение высокого уровня. Это напряжение через диоды VD пердаются на вход транзистора, который оказывается в режиме насыщения, на выходе элемента напряжение низкого уровня (лог.0).

рис. 2.7.

Если же хотя бы на одном из входов будут действовать напряжение низкого уровня (лог.0), то в точке А образуется напряжение низкого уровня (близкого к нулю), транзистор закрыт и на выходе элемента напряжение высокого уровня (лог.1). Работа диодного элемента И в интегральном исполнении отличается от работы рассмотренного выше такого же элемента на дискретных компонентах тем, что при одновременной подаче лог.1 на все входы - все диоды оказываются закрытыми. Благодаря этому уменьшается до весьма малого значения потребление тока от источника, подающего на вход напряжение лог.1.

Рассмотрим подробнее работу инверторной части элемента. Вначале отметим некоторые особенности транзисторов интегральных микросхем. В микросхемах используются кремниевые транзисторы типа n-p-n (при этом напряжение коллекторного питания имеет положительную полярность и транзистор открывается при положительном напряжении между базой и эммитером). На рис. 2.8 показана типичная зависимость тока коллектора от напряжения между базой и эммитером в активном режиме. Особенность этой характеристики в том, что практически транзистор начинает открываться при относительно высоких значениях базового напряжения (обычно превышающих 0,6 В). Эта особенность позволяет обходиться без источников базового смещения, так как и при положительных напряжениях на базе в десятые доли вольта транзистор оказывается практически закрытым. Наконец, еще одна особенность транзистора микросхем состоит в том, что напряжение между коллектором и эммитером в режиме насыщения сравнительно высоко (оно может быть 0,4 В и выше).

рис. 2.8.

Пусть сигналы на входы логического элемента подаются с выходов аналогичных элементов. Примем напряжение лог.1 равным 2,6 В, напряжение лог.0 равным 0,6 В, напряжения на открытых диодах и напряжение база - эмиттер насыщенного транзистора равными 0,8 В.

При подаче на все входы (см. рис. 2.7) напряжения 2,6 В (уровень лог.1) закрываются диоды на входах, ток от источника Е1 через резистор R1, диоды VD проходит в базу транзистора, устанавливая транзистор в режим насыщения. На выходе элемента образуется напряжение низкого уровня 0,6 В (уровень лог.0). Напряжение UА равно сумме напряжений на диодах VD и напряжения UБЭ: 3·0,8 = 2,4 В. Таким образом, входные диоды оказываются под обратным напряжением 0,2 В.

Если хотя бы на один из входов подается напряжение низкого уровня 0,6 В (уровень лог.0), то ток от источника Е1 замыкается через резистор R1, открытый входной диод и источник входного сигнала. При этом UА = 0,8 + 0,6 = 1,4 В. При таком напряжении транзистор оказывается закрытым благодаря смещению, обеспечиваемому диодами VD (эти диоды называются смещающими диодами). Ток от источника Е1, протекая через резистор R1, диоды VD и резистор R2, создает на смещающих диодах падение напряжения, близкое к UА. Напряжение UБЭ положительно, но значительно меньше 0,6 В, и транзистор закрыт.

Элемент И-НЕ диодно-транзисторной логики (ДТЛ)

Основная схема элемента, приведенная на рис.2.9, как и рассмотренная выше схема элемента ДТЛ, состоит из двух последовательно включенных функциональных частей: схемы, выполняющей операцию И, и схемы инвертора. Отличительная особенность построения схемы И в элементе ТТЛ состоит в том, что в ней использован один многоэмиттерный транзистор МТ, заменяющий группу входных диодов схемы ДТЛ. Эмиттерные переходы МТ выполняют роль входных диодов, а коллекторный переход - роль смещающего диода в цепи базы транзистора инвертирующей части схемы элемента.

При рассмотрении принципа работы МТ его можно представить сотоящим из отдельных тарнзисторов с объединеными базами и коллекторами, как показано на рис.2.9,б.

рис. 2.9

Пусть на все входы элемента подано напряжение уровня лог.1 (3,2 В). Возможное при этом распределение потенциалов в отдельных точках схемы приведено на рис.2.10,а. Эмиттерные переходы МТ оказываются смещенными в обратном, коллекторный переход МТ, наоборот, смещен в прямом направлении. Таким образом, МТ можно представить транзисторами, работающими в активном режиме с инверсным включением (в таком включении эмиттер и коллектор меняются ролями). Многоэмиттерный транзистор выполняется таким образом, чтобы его коэффициент усиления в инверсном включении был много меньше единицы. Поэтому эмитторы отбирают от источников входных сигналов малый ток. Базовый ток МТ через коллекторный переход втекает в базу транзистора VT, удерживая последний в режиме насыщения. На выходе устанавливается напряжение низкого уровня (лог.0).

рис. 2.10.

Рассмотрим другое сотояние схемы. Пусть хотя бы на одном из входов действует напряжение уровня лог.0. Возникающее при этом распределение потенциалов показано на рис.2.10,б. Потенциал базы МТ выше потенциала эмиттера и коллектора. Следовательно, оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении и МТ находится в режиме насыщения. Весь базовый ток МТ замыкается через эмиттерные переходы. Напряжение между эмиттером и коллектором близко к нулю, и действующий на эмиттере низкий уровень напряжения через МТ передается на базу транзистора VT. Транзистор VT закрыт, на выходе высокий уровень напряжения (уровень лог.1). При этом практически весь базовый ток МТ замыкается через смещенный в прямом направлении эмиттерный переход МТ.





Дата добавления: 2016-12-18; просмотров: 43 | Нарушение авторских прав


Похожая информация:

Поиск на сайте:


© 2015-2018 lektsii.org - Контакты

Ген: 0.002 с.