Опорний конспект
 |
Властивості твердого тіла
· Характеризується щільною упаковкою частинок;
· Сили взаємодії великі;
· Зберігає форму і об’єм;
Стани:
 |  |
Кристалічний Аморфний
· Частинки розміщені у Порядку в розміщенні частинок
певному порядку, немає;
утворюючи кристалічну Відсутня правильна зовнішня
решітку; форма;
· Правильність зовнішньої Ізотропія;
форми; Відсутність певної температури
· Певна температура плавлення.
плавлення. Відносяться до в’язких рідин.
Кристалічна решітка – розташування частинок, що характеризується періодичною повторюваністю в трьох вимірах.
Вузли кристалічних решіток – точки, відносно яких частинки здійснюють теплові коливання.
Отже,
Тверді тіла
· Такі речовини, у яких є кристалічна будова, тобто дальній порядок у розташуванні їх частинок.
Кристалічні тіла:
 | |||
 | |||
Монокристали Полікристали
· Тверді тіла, частинки яких Тверді тіла, які складаються з
утворюють єдині кристалічні безлічі невпорядковано розмі –
решітки (лід, поварена сіль, щених дрібних кристаликів
ісландський шпат). (“морозні візерунки” на вікнах,
цукор – рафінад).
Характеризуються
· Рівними кутами між відпові- Характеризуються ізотропністю -
дними гранями, хоча зовнішня їх фізичні властивості у всіх
форма може бути різною. напрямках однакові.
· Характеризуються анізотропією – Чим менші кристалики, які утво -
залежність фізичних властивостей рюють полікристалічне тіло, тим
від напрямку в кристалі (напр., їх воно однородніше і одночасно
міцність у різних напрямках різна). ізотропніше.
Монокристали застосовуються у техніці. Майже всі напівпровідникові прилади – це монокристали зі спеціально введеними домішками, які надають їм тих чи інших властивостей.
Видатним досягненням молекулярної електроніки було створення молекулярних підсилювачів і генераторів мікрохвильового випромінювання – мазерів і потужних генераторів випромінювання оптичного діапазону – лазерів. Основними деталями багатьох типів цих приладів є монокристали.
Зараз опрацьовано спеціальні методи вирощування великих кристалів, які дають змогу дістати зразки, лінійні розміри яких становлять десятки сантиметрів.
У залежності від роду частинок, розташованих у вузлах кристалічних решіток, і характеру сил взаємодії між ними кристали поділяються на 4 типи:
1. іонні кристали – у вузлах решіток розташовуються по черзі іони протилежного знаку. Сили взаємодії між іонами є в основному електростатичними.
Зв’язок обумовлений кулонівськими силами притягання між різнойменно зарядженими іонами називається іонним.
В такому кристалі не можна виділити окремих молекул, весь кристал є ніби однією гігантською молекулою. Такі кристали мають значну міцність. До них відносять неорганічні сполуки, зокрема солі.
2. атомні кристали – у вузлах решіток – нейтральні атоми, що утримуються найближчими сусідами ковалентним зв’язком (сили взаємодії виникають в результаті взаємного обміну валентними електронами між кожними двома сусідніми атомами). До таких кристалів відносять алмаз, графіт, германій, сірчистий цинк ZnS, оксид берилію ВеО та ін. Вони характеризуються високою твердістю і тугоплавкістю.
3. молекулярні кристали – у вузлах решіток знаходяться нейтральні молекули речовини, сили взаємодії між якими обумовлені незначним взаємним зсувом електронів в електронних оболонках атомів. Такі кристали при дуже низькій температурі (тверді гелій, водень, кисень, азот), легко випаровуються (“сухий лід”, нафталін). Також до молекулярних кристалів відносять кристали брому Br2, йоду J2, льоду H2O, більшість кристалів органічних речовин.
4. металічні кристали – у вузлах решіток розміщені позитивні іони металу; між ними хаотично рухаються електрони, які взаємодіючи з іонами, утримують їх, інакше решітка б розсипалась під дією сил відштовхування між іонами. Такі кристали характеризуються доброю електропровідністю і теплопровідністю та мають симетрію високого порядку.
В природі ідеальних кристалічних структур майже не існує.
Дефекти кристалів
· відхилення від упорядкованого розташування частинок у вузлах кристалічних решіток.
Типи дефектів:
 |  |
Точкові лінійні
1. вакансія – відсутність атома 1. дислокація – порушення
у вузлі решіток. правильного чергування
2. міжвузловий атом – атом, що атомних площин.
впровадився у міжвузловий
простір. КрайоваГвинтова
3. домішковий атом – атом домі- дислокації.
шки, або атом основної речови- Порушують дальній порядок
ни, що зміщає. розташування частинок.
Такі дефекти порушують ближній
порядок розташування частинок.
Домашнє завдання: § зад. № Підготуватись до тематичного контролю №2.
