Порядок выполнения работы. Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС.

 

Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС.

Рассчитанную схему собирают на приставке, описание которой приведено в разделе 1.3.1, подключают к стенду ИСЭЛ, включают питание и проводят исследование схемы.

Совместно всей бригадой выполняются следующие пункты лабораторной работы:

1. Получить ХВВ (для ненагруженной схемы).

2. Получить входную характеристику I_вх = f(U_вх).

3. Получить выходную (нагрузочную) характеристику U¹_вых = f(I_нагр).

 

4. Снять осциллограмму импульсного сигнала на входе и выходе исследуемой схемы. Замерить динамические параметры сигнала t⁰¹, t¹⁰, t _p, t_зр⁰¹, t_зр¹⁰ на выходе ненагруженной схемы.

5. Получить зависимости динамических параметров сигнала на выходе схемы в зависимости от величины емкостной нагрузки.

После выполнения бригадного задания каждый студент индивидуально выполняет УИРС.

 

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА.

 

Бригадное задание:

1. По экспериментальной ХВВ определить величины U⁰ _гр, U¹ _гp, вычислить D U⁰ _n и D U ⁱ_п и результаты записать в табл. 4.2. Сравнить с вычисленными значениями помехоустойчивости.

2. По экспериментально снятой входной характеристике определить I¹_ВХ.

3. По экспериментальной выходной характеристике определить I _н. _макс. Вычислить п, полученное на основании экспериментальных данных. Вписать в табл. 4.1. Сравнить с вычисленными значениями.

4. Указать на экспериментально снятой осциллограмме величины замеренных динамических параметров схемы. Вписать в табл. 4.3. Сравнить с вычисленными значениями.

5. Построить зависимости сигнала t⁰¹, t¹⁰, t _p, t_зр⁰¹, t_зр¹⁰ от емкостной нагрузки и оценить ее влияние на максимальную частоту работы схемы.

Задание по УИРС

Оформить результаты УИРС в соответствии с порядком выполнения УИРС, составленным при предварительной подготовке к работе. Сделать выводы по полученным результатам.

 

 

 

ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ.

Лабораторные работы.

№ вар	Тип транзистора	b	Iк. доп , мА	Iко, мА	Uкэн, В	Uпор, В	Uбэн, В	fa, МГц	U0, В	U1, В	Iнагр, мА
	КТ312А (n-p-n)			0,01	0,3	0,3	0,6		0,4		0,6
	КТ312А (n-p-n)			0,02	0,2	0,4	0,8		0,5		1,2
	МП42 (p-n-p)				0,2	0,2	0,4		0,3		0,8
	МП42 (p-n-p)				0,1	0,1	0,4		0,3		1,4
	ГТ404 (n-p-n)				0,3	0,05	0,5	0,4	0,3		1,2
	ГТ404 (n-p-n)				0,4	0,1	0,6	0,4	0,2	4,2	0,8
	ГТ402 (p-n-p)				0,2	0,05	0,3		0,4	3,8	0,8
	ГТ402 (p-n-p)				0,4	0,05	0,5		0,4	2,6	1,6
	КТ315 (n-p-n)			0,6	0,3	0,3	0,6		0,4	3,2
	КТ315 (n-p-n)			0,8	0,3	0,3	0,8		0,4	3,8	1,5

 

УИРС.

 

1. Определить зависимость помехоустойчивости схемы от величины нагрузки: DU⁰_П, DU¹_П = f(I_нагр).

2. DU⁰_П, DU¹_П = f(R1).

3. n_макс = f(R1).

4. n_макс = f(Rк).

 

5. n_макс = f(R2).

6. t_зр= f(R1) при R1/R2=const.

7. U¹_мин= f(R1) при R1/R2=const.

8. t⁰¹= f(I_нагр).

9. t_р= f(R1)

10. t⁰¹= f(Rк).

11. t⁰¹= f(R2).

12. DU⁰_П, DU¹_П = f(R2).

 

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ.

1. На вход схемы подается сигнал

Нарисовать сигнал на выходе схемы, если в момент времени t _{0, l, 2, 3, 4} происходит:

а) уменьшение R1;

б) увеличение R1;

в) увеличение нагрузки I _нaгp;

г) увеличение нагрузки С_нагр;

д) в момент t ₂ меняется транзистор на другой с большим b.

2. Как по входной и выходной характеристикам вычислить n? Как изменится n, если заданные U ° и U ¹ изменить (увеличить или уменьшить ширину запрещенной зоны)?

3. Как меняется ХВВ в зависимости от подключения нагрузки?

4. Как меняются выходные параметры схем с уменьшением R2 с увеличением E ₆?

5. Как вычислить U ¹ на выходе, если к выходу подключена 1, 2 или n _макс аналогичных схем?

6. Как изменится S транзистора, если все резисторы схемы увеличить в 3 раза?

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3.