Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС.
Рассчитанную схему собирают на приставке, описание которой приведено в разделе 1.3.1, подключают к стенду ИСЭЛ, включают питание и проводят исследование схемы.
Совместно всей бригадой выполняются следующие пункты лабораторной работы:
1. Получить ХВВ (для ненагруженной схемы).
2. Получить входную характеристику Iвх = f(Uвх).
3. Получить выходную (нагрузочную) характеристику U1вых = f(Iнагр).
4. Снять осциллограмму импульсного сигнала на входе и выходе исследуемой схемы. Замерить динамические параметры сигнала t01, t10, t p, tзр01, tзр10 на выходе ненагруженной схемы.
5. Получить зависимости динамических параметров сигнала на выходе схемы в зависимости от величины емкостной нагрузки.
После выполнения бригадного задания каждый студент индивидуально выполняет УИРС.
СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА.
Бригадное задание:
1. По экспериментальной ХВВ определить величины U0 гр, U1 гp, вычислить D U0 n и D U iп и результаты записать в табл. 4.2. Сравнить с вычисленными значениями помехоустойчивости.
2. По экспериментально снятой входной характеристике определить I1ВХ.
3. По экспериментальной выходной характеристике определить I н. макс. Вычислить п, полученное на основании экспериментальных данных. Вписать в табл. 4.1. Сравнить с вычисленными значениями.
4. Указать на экспериментально снятой осциллограмме величины замеренных динамических параметров схемы. Вписать в табл. 4.3. Сравнить с вычисленными значениями.
5. Построить зависимости сигнала t01, t10, t p, tзр01, tзр10 от емкостной нагрузки и оценить ее влияние на максимальную частоту работы схемы.
Задание по УИРС
Оформить результаты УИРС в соответствии с порядком выполнения УИРС, составленным при предварительной подготовке к работе. Сделать выводы по полученным результатам.
ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ.
Лабораторные работы.
| № вар | Тип транзистора | b | Iк. доп , мА | Iко, мА | Uкэн, В | Uпор, В | Uбэн, В | fa, МГц | U0, В | U1, В | Iнагр, мА |
| КТ312А (n-p-n) | 0,01 | 0,3 | 0,3 | 0,6 | 0,4 | 0,6 | |||||
| КТ312А (n-p-n) | 0,02 | 0,2 | 0,4 | 0,8 | 0,5 | 1,2 | |||||
| МП42 (p-n-p) | 0,2 | 0,2 | 0,4 | 0,3 | 0,8 | ||||||
| МП42 (p-n-p) | 0,1 | 0,1 | 0,4 | 0,3 | 1,4 | ||||||
| ГТ404 (n-p-n) | 0,3 | 0,05 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 1,2 | |||||
| ГТ404 (n-p-n) | 0,4 | 0,1 | 0,6 | 0,4 | 0,2 | 4,2 | 0,8 | ||||
| ГТ402 (p-n-p) | 0,2 | 0,05 | 0,3 | 0,4 | 3,8 | 0,8 | |||||
| ГТ402 (p-n-p) | 0,4 | 0,05 | 0,5 | 0,4 | 2,6 | 1,6 | |||||
| КТ315 (n-p-n) | 0,6 | 0,3 | 0,3 | 0,6 | 0,4 | 3,2 | |||||
| КТ315 (n-p-n) | 0,8 | 0,3 | 0,3 | 0,8 | 0,4 | 3,8 | 1,5 |
УИРС.
1. Определить зависимость помехоустойчивости схемы от величины нагрузки: DU0П, DU1П = f(Iнагр).
2. DU0П, DU1П = f(R1).
3. nмакс = f(R1).
4. nмакс = f(Rк).
5. nмакс = f(R2).
6. tзр= f(R1) при R1/R2=const.
7. U1мин= f(R1) при R1/R2=const.
8. t01= f(Iнагр).
9. tр= f(R1)
10. t01= f(Rк).
11. t01= f(R2).
12. DU0П, DU1П = f(R2).
ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ.
1. На вход схемы подается сигнал
Нарисовать сигнал на выходе схемы, если в момент времени t 0, l, 2, 3, 4 происходит:
а) уменьшение R1;
б) увеличение R1;
в) увеличение нагрузки I нaгp;
г) увеличение нагрузки Снагр;
д) в момент t 2 меняется транзистор на другой с большим b.
2. Как по входной и выходной характеристикам вычислить n? Как изменится n, если заданные U ° и U 1 изменить (увеличить или уменьшить ширину запрещенной зоны)?
3. Как меняется ХВВ в зависимости от подключения нагрузки?
4. Как меняются выходные параметры схем с уменьшением R2 с увеличением E 6?
5. Как вычислить U 1 на выходе, если к выходу подключена 1, 2 или n макс аналогичных схем?
6. Как изменится S транзистора, если все резисторы схемы увеличить в 3 раза?
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3.
