Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Классификация полупроводниковых ЗУ.




 

По способу доступа к данным ЗУ подразделяют на три типа:

· адресные ЗУ;

· ЗУ с последовательным доступом;

· ЗУ с ассоциативным доступом.

Классификация ЗУ приведена на рис.5.1

Адресные ЗУ. Чтобы обратиться к ячейке адресного ЗУ для чтения или записи информации, необходимо указать адрес этой ячейки. Эти ЗУ лежат в основе постоянной и оперативной памяти всех ЭВМ и вычислительных устройств, построенных на базе микропроцессоров, в частности, устройств числового программного управления станков (УЧПУ).

Адресные ЗУ по характеру и использованию записанной информации делятся на:

Оперативные ЗУ (ОЗУ), английские синонимы (RAM (Random Access Memory), или ЗУПВ (ЗУ с произвольной выборкой). К оперативным ЗУ относятся запоминающие устройства с относительно кратковременным хранением часто сменяющейся информации. В процессе работы информация в них периодически заносится и считывается. Запоминающие элементы ОЗУ, как правило, не обладают энергонезависимостью.

 

 
 

 


ОЗУ со словарной организацией
:

           
   
репрограммируемые (РПЗУ)
 
ОЗУ с одноразрядной организацией
 
 
   

 

 


Рис.5.1. Классификация запоминающих устройств

 

Постоянные ЗУ (ПЗУ) английский эквивалент ROM (Read Only Memory). В процессе работы вычислительного устройства содержимое ПЗУ не изменяется. Процессор вычислительного устройства из этой памяти может лишь прочитать данные или очередные команды программы. Отсюда буквальный перевод английского названия этого вида ЗУ — «память только для чтения». На основе этого вида ЗУ изготавливается постоянная память вычислительных устройств. Информация в микросхему ЗУ заносится либо в процессе ее производства, либо пользователем в специаль­ном режиме программирования.

ЗУ с последовательным доступом используются там, где поступающие данные могут быть выстроены в очередь. Очередь может обслуживаться либо по принципу «первый пришел — первый ушел» — FIFO (first in first out), либо «последний пришел — первый ушел» — LIFO (last in first out), т.е. запись данных осуществляется не по какому-либо адресу, а в конец очереди, а чтение — либо из конца, либо из начала очереди. ЗУ с последовательным доступом могут использоваться, например, в видеопамяти, обеспечивающей хранение данных о цвете и яркости каждой точки экрана монитора.

В ЗУ с ассоциативным доступом поиск информации осуществляется не по адресу ячейки и не по месту в очереди, а по некоторому признаку. Отсюда в их названии присутствует слово «ассоциация». Наиболее важной областью использования ассоциативных ЗУ является КЭШ-память ЭВМ.

Запоминающее устройство состоит:

· из запоминающего массива;

· электронного обрамления.

Запоминающий массив (накопитель) содержит запоминающие элементы (ЗЭ), каждый из которых может принимать состояния лог.1 или лог.0, т. е. хранить один бит информации. (Бит — минимальное количество информации, соответствующее одному из двух равновероятных событий.) В запоминающем элементе хранится один разряд записанного двоичного слова; все n-разрядное слово заносится в ЗЭ, составляющих ячейку памяти.

Электронное обрамление ЗУ содержит, в частности, внутренний дешифратор адреса и усилители записи и считывания. Код адреса (номер запоминающей ячейки), поступающий на входы дешифратора, возбуждает один из его выходов: этим разрешается запись слова в определенные ЗЭ или считывание из них.

По способу объединения ЗЭ в накопителе различают словарную и одноразрядную организацию ОЗУ. При одноразрядной организации в микросхему ОЗУ можно записать один разряд каждого слова, а для записи многоразрядного слова используется столько микросхем, какова разрядность слова. При словарной организации обмен с ОЗУ осуществляется сразу всем словом.

По типу ЗЭ ОЗУ делят на статические и динамические. Статическим ЗЭ является триггер, динамическим — емкость между элементами МОП-транзистора. Заряд этой емкости соответствует одному состоянию ЗЭ, отсутствие заряда — другому состоянию. Поскольку емкость постоянно разряжается, то динамическая память нуждается в систематической регенерации (восстановлении), осуществляемой специальным устройством — контроллером регенерации с периодом в несколько миллисекунд. В ряде случаев этот недостаток компенсируется большим достижимым объемом памяти в кристалле и значительно меньшим потреблением энергии по сравнению со статическими ОЗУ, но и меньшим быстродействием.

В статических ЗУ запоминающими элементами являются триггеры, состоящие из нескольких транзисторов. В динамических ЗУ информация хранится в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-транзисторов, и для одного ЗЭ достаточно одного транзистора. Поэтому емкость динамических ЗУ в несколько раз превышает емкость статических. Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM), а динамические — DRAM (Dynamic RAM).

Статические ОЗУ можно разделить на:

· асинхронные;

· тактируемые (синхронные);

· конвейерные.

В асинхронных сигналы управления могут задаваться как импульсами, так и уровнями. Например, сигнал разрешения работы CS может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов обращения к памяти.

В тактируемых ЗУ сигнал разрешения работы CS в каждом цикле обращения к памяти должен переходить из пассивного состояния в активное, т.е. должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле. Этот тип ЗУ называют также синхронным.

В конвейерных ЗУ тракт передачи данных реализован по конвейерному принципу. Конвейер работает с тактовой частотой процессора. Это позволяет повысить темп передачи данных в несколько раз.

Так как динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью, именно они используются как основная память ЭВМ. Разработаны многочисленные схемы повышенного быстродействия.

Статические ЗУ в 4-5 раз дороже динамических и во столько же раз меньше по информационной емкости. Их достоинством является более высокое быстродействие, а типичной областью использования схемы КЭШ-памяти.

Постоянные ЗУ делят на:

· масочные (ПЗУ), информация в которые раз навсегда заносится на заводе-изготовителе;

· однократно программируемые пользователем (ППЗУ);

· многократно программируемые (репрограммируемые — РПЗУ).

Масочные (ПЗУ) (постоянная память типа ROM(M)) программируется при изготовлении методами интегральной технологии с помощью одной из используемых при этом масок. Поэтому эти ЗУ называются масочными ПЗУ. Для потребителя это в полном смысле постоянная память, так как изменить ее содержание он не может.

Однократно программируемые пользователем ЗУ (ППЗУ) – это программируемая пользователем память (в английской терминологии ROM в обозначении которой присутствует буква Р (от Programmable)). Для записи информации в ЗЭ подаются специальные электрические сигналы. В ЗУ типа PROM данные могут быть занесены один раз путем прожигания плавких перемычек или, наоборот, за счет создания перемычек путем электрического пробоя.

В ПЗУ типа EPROM и EEPROM имеется возможность стирания старой информации и записи новой, поэтому их называют репрограммируемыми ПЗУ. В EPROM стирание выполняется путем облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами, а в ЕEPROM — электрическими сигналами. Программирование этих разновидностей ROM обычно производится пользователем с помощью специальных приборов — программаторов в лабораторных условиях.

Память типа Flash по запоминающему элементу подобна памяти типа EEPROM, но их отличие — в скорости стирания информации. Чтобы стереть информацию из ПЗУ типа EEPROM, необходимо обратиться к каждой запоминающей ячейке, что требует сравнительно большого времени. В ПЗУ типа Flash вся информация может быть стерта подачей одного сигнала, т.е. мгновенно (flash — вспышка). В некоторых ПЗУ типа Flash весь объем запоминающих ячеек делится на блоки и стирание информации осуществляется поблочно.

ЗУ с последовательным доступом. В ЗУ этого класса записываемые данные образуют очередь. Считывание происходит из очереди слово за словом либо в порядке записи, либо в обратном порядке. Моделью такого ЗУ является последовательная цепочка запоминающих элементов, в которой данные передаются между соседними элементами.

Прямой порядок считывания имеет место в буферах FIFO, a также в файловых и циклических ЗУ.

Разница между памятью FIFO и файловым ЗУ состоит в том, что в FIFO запись в пустой буфер сразу же становится доступной для чтения, т.е. поступает в конец цепочки.

В файловых ЗУ данные поступают в начало цепочки и появляются на выходе после некоторого числа обращений, равного числу элементов в цепочке. Записываемые данные объединяются в блоки, обрамляемые специальными символами конца и начала {файлы). Прием данных из файлового ЗУ начинается после обнаружения приемником символа начала блока.

В циклических ЗУ слова доступны одно за другим с постоянным периодом, определяемым емкостью памяти. К такому типу среди полупроводниковых ЗУ относится видеопамять (VRAM).

Считывание в обратном порядке свойственно стековым ЗУ, для которых реализуется принцип «последний пришел — первый ушел». Такие ЗУ называют буферами LIFO.

Ассоциативные ЗУ. ЗУ этого типа реализует поиск информации по некоторому признаку, а не по ее расположению в памяти (адресу или месту в очереди). В наиболее полной версии все хранимые в памяти слова одновременно проверяются на соответствие признаку, например, на совпадение определенных полей слов — тегов (от английского слова tag) с признаком, задаваемым входным словом (теговым адресом). Таким признаком может быть полный адрес ячейки оперативной памяти. (Заметим, что емкость оперативной памяти современных ЭВМ составляет сотни мегабайт, в то время как емкость ассоциативного ЗУ измеряется сотнями килобайт.) На выход выдаются слова, удовлетворяющие признаку. Принцип выдачи слов, если тегу удовлетворяют несколько слов, а также принцип записи новых данных могут быть разными. Основная область применения ассоциативной памяти современных ЭВМ — КЭШ-память данных.

 

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-11-23; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1693 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Самообман может довести до саморазрушения. © Неизвестно
==> читать все изречения...

2592 - | 2434 -


© 2015-2025 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.