Влияние режимов работы БТ на его параметры.

Классификация систем условных обозначений.

· По материалу:

1-й элемент

1-Г – германиевые (Ge)

2-К – кремниевые (Si)

3-А – арсенид галия (AsGa)

2 – й элемент

Т – биполярные

П – полевые

 

· По мощности: 3-й элемент

	малой Рк<0.3Вт	Рк<=1.5Вт	Рк>1.5Вт
НЧ
СЧ
ВЧ и СВЧ

· По частоте:

НЧ	fгр<=3МГц
СЧ	fгр<30МГц
ВЧ и СВЧ	fгр>30МГц

4-й элемент: 2 или 3 цифры – помер разработки

5-й элемент: буква – классификация по конкретным параметрам (технологический разброс) – это К_у, К_т, U_max.

Для наборов матриц транзисторов может ставиться буква "С".

Для СВЧ транзисторов в одном корпусе стоит в конце буква "П".

Если в конце стоит дефис и цифра:

-1 – бескорпусный с гибкими выводами без кристаллодержателя;

-2 – с гибкими выводами с кристаллодержателем;

-3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя;

-4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;

-5 – с контактными площадками без кристаллодержателя;

-6 – с контактными площадками на кристаллодержателе;

 

· Транзисторы малой мощности делят на группы:

- для УНЧ и УВЧ;

- малошумящие переключательные, работающие в режимах насыщения и ненасыщения;

- малотоковые прерыватели.

· Транзисторы высокой мощности делят на:

- усилительные;

- генераторные;

- переключательные.

· По технологическому признаку транзисторы делят:

- сплавные;

- диффузионно-сплавные;

- диффузионные;

- планарные;

- эпитаксиально-планарные (повысилось U_К пробивное, ¯r_к, С_к¯, более слабой стала зависимость b от I_э)

- мезатранзисторы:

Ü используют на ВЧ и СВЧ

 

 

- ионно-легированные структуры для СВЧ транзисторов (слой не более 1 мкм), r_б меньше чем у других и очень тонкая оболочка базы менее 1 мкм, что повысило рабочую частоту f.

 

Влияние режимов работы БТ на его параметры.

1. Зависимость: b=f(I_э).

2. 1 обл.: с ­ I_э ­b - уменьшается влияние рекомбинации в эмиттерном переходе.

3 обл.: - область больших токов – высокий уровень инжекции, уменьшение сопротивления базы, ¯ коэффициента инжекции эмиттера, оттеснение тока эмиттера на края эмиттера и уменьшение плотности тока в центре.

2 обл.: - область неравномерного распределения потенциала в эмиттере (в центре меньше, чем по краям), => (оттеснение I_э на край и уменьшение плотности). Происходит физическое увеличение толщины базы. Увеличение области заряда к коллектору.

 

2. Зависимость: b=f(U_кэ).

 

При росте U_кэ увеличивается переход коллектор – база (К-Б) в сторону базы и база уменьшается и коэффициент инжекции g растет.

 

3. Зависимость: b=f(Т).

 

Уменьшается инжекция дырок из базы в эмиттер.

 

 

4. Влияние тока эмиттера I_э на граничную частоту f_гр. f_гр=f(I_э)

В области малых токов при ­I_э происходит ¯r_э=>I_э¯.

I_э=R_эС_эб (или I_э­ => r_э¯ => I_э=r_эС_э)

В области больших токов толщина базы ­ (эффект Кирка) и возрастает время пролета носителей через базу и f_гр¯.

 

 

5. Зависимость b и a от f (частоты).

6 дБ – изменения в 2 раза

20 дБ – изменения в 10 раз

на f_гр - b=1.

 

f_{генерации транзистора} - это частота, где К_р=1.

; r_к=r_бС_к.