Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


  оформлению результатов




 

3.1 ѕри подготовке к лабораторной работе необходимо составить конспект по одному из учебников, указанных в библиографическом списке:

- дл€ инженерных специальностей: —. 242-250 /2/, —. 450-456 /3/, —. 610-615 /4/;

- дл€ неинженерных специальностей: —. 320-326 /5/.

3.2 ѕодключить исследуемый полупроводниковый резистор к цифровому омметру.

3.3 ¬ключить омметр в электрическую сеть, термометром определить комнатную температуру и измерить соответствующую величину сопротивлени€ полупроводникового резистора (с точностью до 1 кќм) при комнатной температуре.

3.4 ¬ключить в электрическую сеть сушильный шкаф с исследуемым полупроводниковым резистором и измерить величину его сопротивлени€ (с точностью до 1 кќм) через каждые 10 ∞ ,измен€€ температуру от 30 ∞ до 100 ∞ . –езультаты измерений занести в таблицу 1.

 

“аблица 1 –езультаты измерений и расчетов зависимости сопротивлени€ полупроводника от температуры

є измерени€ –езультаты измерений и расчетов
, , , кќм K , ƒж , э¬ погрешность
                   
           
-          
n        

 

3.5 ¬ыключить приборы.

3.6 ѕостроить на миллиметровой бумаге график зависимости , как на рисунке 3а, откладыва€ по оси абсцисс абсолютную температуру (рекомендуемый масштаб 10  /см), а по оси ординат сопротивление (рекомендуемый масштаб 50 кќм/см).

3.7 ѕостроить на миллиметровой бумаге график температурной зависимости , как на рисунке 3б, откладыва€ по оси абсцисс (рекомендуемый масштаб 0,0005 ), а по оси ординат логарифм величины сопротивлени€ (рекомендуемый масштаб 0,1 ). ѕр€мую провести так, чтобы примерно половина экспериментальных точек находилась над линией, а половина под ней.

3.3 ¬ыбрать на полученной пр€мой две точки: первую Ц ближе к началу графика, вторую Ц ближе к концу (рисунок 3б). ќпределить по графику дл€ этих точек величины: , и , . ќпределить угловой коэффициент пр€мой по формуле:

. (13)

3.4 ¬ычислить среднюю энергию активации электрона по формуле (12) в ƒж и в э¬.

3.5 ќпределить погрешность , руководству€сь методическими указани€ми по анализу погрешностей /6/.

3.6 ќпределить погрешность определени€ энергии активации по формуле:

, (14)

где =(1,38±0,005)∙10-23 - посто€нна€ Ѕольцмана.

3.7 ѕредставить результаты расчета энергии активации в виде:

.

3.8 —делать выводы, и по справочнику дл€ полупроводников определить материал по его ширине запрещенной зоны.

 

 онтрольные вопросы

 

4.1 „ем обусловлен ток в полупроводниках?

4.2  ак объ€сн€етс€ зависимость сопротивлени€ полупроводника от температуры?

4.3  акое сопротивление будет иметь полупроводник при  ?

4.4 „то такое энерги€ активации и как она рассчитываетс€?

4.5  ак объ€сн€етс€ образование энергетических зон?

4.6  ак формулируетс€ закон ќма в дифференциальной форме?





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-09-20; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 443 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

—ложнее всего начать действовать, все остальное зависит только от упорства. © јмели€ Ёрхарт
==> читать все изречени€...

1320 - | 1282 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.01 с.