Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом поясняется рисунком 7.21, на котором показаны условное обозначение транзистора и схема подключения к внешним питающим источникам.
Полевой транзистор состоит из пластины с электронной проводимостью n, в которую встроены две пластины р проводимости. Торцевые области n проводимости имеют электроды исток (И) и сток (С), которые соединены с источником Еси. Минус источника подключен к истоку (И), а его плюс подключен к стоку (С). Пластины р проводимости закорочены и соединены с электродом затвор (З). Электроды З и И соединены с источником Ези в обратном направлении.
Рис.7.21. Условное обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом и схема подключения его к внешним питающим источникам
Если напряжение Uзи = 0, то электроды И и С закорочены n -каналом, у которого сопротивление сток-исток равно нулю, а р-n переходы незначительны. При этом транзистор открыт, так как находится в режиме насыщения. С увеличением модуля отрицательного напряжения Uзи, сопротивление между электродами сток-исток будет увеличиваться до бесконечности, так как p-n переходы будут увеличиваться до закрытия n -канала. Транзистор закроется, и будет находиться в режиме отсечки.
На рис.7.22 изображены статические характеристики полевого транзистора.
Рис.7.22. Совмещение выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n- переходом Iс = f(Uси) при Uзи = Const с входной характеристикой транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = Const.
