- Многоблочная память (англ. multibank memory) — вид оперативной памяти, организованной из нескольких независимых блоков, допускающих одновременное обращение к ним, что повышает её пропускную способность. Часто употребляется термин «интерлив» (калька с англ. interleave — перемежать) и может встречаться в документации некоторых фирм «многоканальная память» (англ. multichanel).
- Память со встроенной логикой (англ. logic-in-memory) — вид памяти, содержащий встроенные средства логической обработки (преобразования) данных, например их масштабирования, преобразования кодов, наложения полей и др.
- Многовходовая память (англ. multiport storage memory) — устройство памяти, допускающее независимое обращение с нескольких направлений (входов), причём обслуживание запросов производится в порядке их приоритета.
- Многоуровневая память (англ. multilevel memory) — организация памяти, состоящая из нескольких уровней запоминающих устройств с различными характеристиками и рассматриваемая со стороны пользователей как единое целое. Для многоуровневой памяти характерна страничная организация, обеспечивающая «прозрачность» обмена данными между ЗУ разных уровней.
- Память параллельного действия (англ. parallel storage) — вид памяти, в которой все области поиска могут быть доступны одновременно.
- Страничная память (англ. page memory) — память, разбитая на одинаковые области — страницы. Операции записи-чтения на них осуществляются путём переключения страниц контроллером памяти.
См. также
- Иерархия памяти
- Виртуальная память
- Носитель информации
- Структуры данных
- Программы тестирования производительности
- memtest
Примечания
- ↑ 12 В. Фиоктистов. Обзор технологий хранения информации. Часть 1. Принципы работы и классификация ЗУ (21 июля 2006). Архивировано из первоисточника 22 августа 2011. Проверено 19 августа 2009.
- ↑ Э. Таненбаум. Архитектура компьютера — 4-е изд. — СПб.: Питер, 2003. — С. 68. — 698 с. — ISBN 5-318-00298-6.
- ↑ Глава 7. Диски и файловые системы. Внешние хранилища данных // Microsoft Windows 2000: Server и Proffesional / А. Н. Чекмарев и Д. Б. Вишняков — СПб: БХВ-Перербург, 2000. — 1056 с. — ISBN 5-8206-0107-6.
- ↑ PRAM память Samsung идет в производство
- ↑ Элементы — новости науки: Магнитная память «на беговой дорожке»: быстро, дешево и надежно
- ↑ iXBT.com:: Все новости:: Ученые IBM приближают создание «трековой памяти» к реальности
- ↑ Digital Daily Digest
Литература
- Память // Словарь компьютерных терминов = Dictionary of Personal Computing / Айен Синклер; Пер. с англ. А. Помогайбо — М.: Вече, АСТ, 1996. — С. 177, ISBN 5-7141-0309-2.
Ссылки
- Глава 1. Общие принципы организации памяти ЭВМ
- Статические оперативные запоминающие устройства - ОЗУ (RAM)
