P-n переход

Если два полупроводника типа p и n привести в контакт, то образовавшийся контактный слой обладает односторонней проводимостью, что позволяет создавать полупроводниковые диоды (обозначаемые на электрических схемах символом ). До контакта полупроводники типа p и n были электронейтральны (в p — число дырок равно числу отрицательных ионов примеси, в n — число электронов равно числу положительных ионов примеси). При контакте, вследствие теплового движения электроны из полупроводника типа — n будут диффундировать в полупроводник типа — p и там рекомбинировать с дырками. Дырки из полупроводника типа — p диффундируют в полупроводник типа — n и там рекомбинируют с электронами. В полупроводнике типа — p образуется избыточный отрицательный заряд ионов примеси. Они не могут перемещаться по кристаллу, а следовательно, создавать электрический ток. В полупроводнике типа — n образуется избыточный положительный заряд ионов примеси, также не являющиеся носителями тока. Возникает область, обедненная основными носителями тока и обладающая большим сопротивлением. Создается контактное поле , препятствующее дальнейшей диффузии электронов и дырок.

При подключении внешнего источника ЭДС, положительного полюса к полупроводнику типа — p и отрицательного к типу — n, внешнее поле направлено против контактного поля, что приводит к уменьшению контактной области и уменьшению сопротивления. Идет ток в прямом направлении.

При подключении внешнего источника ЭДС, положительного полюса к полупроводнику типа — n и отрицательного к типу — p, внешнее поле направлено в направлении контактного поля. Контактная область увеличивается, сопротивление увеличивается. Идет малый ток обратного направления.