Государственная программа вооружений

Тактико-технические характеристики ВВСТ в значительной степени определяются в настоящее время их радиоэлектронной составляющей.

Объем потребления микроэлектронных компонентов для нужд создания и модернизации ВВСТ составляет не более 20 % (по сравнению с рынком коммерческих изделий микроэлектроники), однако следует ожидать его увеличения с все большим проникновением микроэлектроники на уровень индивидуального обеспечения военнослужащего (связь, управление, навигационное обеспечение, электронные метки, боеприпасы и т.д.).

Ежегодный тираж таких устройств может составлять несколько сот тысяч единиц, сложность ЭКБ будет приближаться к СБИС типа «система на кристалле».

Следует ожидать расширения применения, в первую очередь для высокоточных систем ВВСТ микросистем на кристаллах, интегрирующих микроэлектронику и микромеханику (MEMS).

Кроме того, ожидается значительное расширение применения полностью автоматизированных средств вооружения в микроминиатюрном исполнении, базирующихся на применении микромеханических систем, количество которых может исчисляться миллионами единиц.

Таким образом, перспективные потребности систем ВВСТ также приводят к необходимости организации массового производства специализированной ЭКБ на территории РФ в объемах до 900 млн. долларов.

Для удовлетворения текущих потребностей производителей радиоэлектронных средств ВВСТ следует развивать и совершенствовать структуру сертификации импортной ЭКБ, пригодной для использования в системах ВВСТ.

Другие сегменты рынка потребителей изделий микроэлектроники, такие как промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование и т.д., могут также существенно увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства.

Таким образом, в России существует реальная, подкрепленная гарантированным рынком государственных закупок возможность и необходимость расширения современного отечественного микроэлектронного производства ЭКБ с общим объемом сбыта на уровне 3,5-4,5 млрд. долларов в год.

Дополнительные возможности увеличения объемов продаж продукции отрасли могут быть обеспечены завоеванием ниш внешнего рынка.

Поскольку проектная мощность дизайн-сети планируется на уровне нескольких сотен проектов в год, а стоимость одного проекта с современным технологическим уровнем находится в диапазоне 10-15 млн. долларов, дополнительно только на уровне экспорта дизайна можно получить от одного до полутора млрд. долларов в год.

Одновременно должна быть поставлена задача тиражирования и продажи продукции, разработанной дизайн-сетью и произведенной с помощью зарубежных производств в объеме не менее 1,5-3% соответствующих секторов мирового рынка, то есть 3-6 млрд. долларов в год.

Мировой опыт показывает, что прогресс электронной отрасли инициируется в развитых странах через организацию и выполнение целевых научно-технических программ, финансируемых на основе совместного участия в их выполнении как государства, так и частного капитала.

Ежегодно на программы развития электроники в мире развитыми странами выделяется более 20 млрд. долларов. При этом, следует учесть, что сами фирмы-производители не менее 10% средств от объемов реализованной продукции направляют на выполнение перспективных программ исследований по разработке конкурентоспособных изделий. Инвестиции в ведущие зарубежные фирмы осуществляющие разработку и производство ЭКБ, приведены в таблице 2.

Таблица 2

Оценка инвестиций в 2006 году, млрд. долларов

 

Название фирмы	Инвестиции	Ведущие зарубежные фирмы	Инвестиции
Intel	5,5	Micron	1,45
Samsung	5,5	Infineon	1,4
Hynix	3,2	AMD	1,4
TSMC	2,7	STMicroelectronics	1,25
Toshiba	2,2	SMIC	1,2
Sony	1,7	Texas Instruments	1,1
Epida	1,5	Matsushita	1,0
UMC	1,5	IM flash	1,0

Для освоения все более дорогостоящих технологий даже крупные фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был создан Консорциум правительства и частных компаний SEMATECH, который успешно обеспечил ликвидацию отставания США от Японии в технологии микроэлектроники. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана организация SELIT с целью возврата утраченного приоритета в области микроэлектроники.

Страны Европейского союза выполняют комплексные программы освоения новых технологических уровней микро- и нанотехнологии в рамках организационных структур программы «EP7», финансируемых из бюджета ЕС; реализуют комплексную программу MEDIA+, ориентированную на задачу – «Европа становится лидером по системным инновациям в полупроводниковых технологиях, ориентированных на электронную экономику».

Китай уже выполнил государственную программу развития микроэлектроники — «Программа 909» стоимостью более 10 млрд. долларов — и в настоящее время стал в ряд крупнейших производителей ЭКБ. Вновь построенные китайские микроэлектронные производства характеризуются уровнем технологии 0,18-0,13 мкм, что позволяет решать задачи массового выпуска электронной компонентной базы для развивающегося приборостроения самого современного мирового уровня.

В период осуществления текущей пятилетки в КНР, по данным министерства информационных технологий, предполагается осуществить инвестиции в микроэлектронику на сумму 37-45 млрд. долларов для создания:

- пяти крупных фирм проектирования СБИС (стоимость от 375 млн. долларов до 624, 2 млн. долларов);

- десяти электронных компаний, занятых разработкой технологий, материалов и спецтехнологического оборудования (стоимость от 125 млн. долларов до 375 млн. долларов);

- пятнадцати кремниевых заводов по обработке пластин 200 мм (10 заводов) и 300 мм (5 заводов).

В КНР планируется за 11-ю пятилетку достичь полного самообеспечения всем комплексом средств для обработки 150 мм пластин (чистые среды, материалы, оборудование), освоить и коммерциализировать оборудование литографии (главный определяющий фактор освоения технологии) для пластин 200 мм и оборудование лазерной обработки для технологий уровня 65 нм. Решение этих задач позволяет КНР избавиться от технологической зависимости и наращивать объемы производства ЭКБ в соответствии с потребностями растущего внутреннего производства аппаратуры и систем.

Среднегодовые темпы роста производства СБИС за этот период составят 28,1%. К 2010 г. КНР станет крупнейшим в мире производителем полупроводниковых приборов – около 150 млрд. долларов.

Как показали итоги 2005 г. наилучшие позиции заняли китайские фирмы в тех секторах рынка ИС, по которым проводились специализированные программы. Программа по введению биометрических паспортов, средств доступа на основе смарт-карт осуществляется по государственной программе, предусматривающей использование только отечественных кристаллов СБИС, что обеспечивает необходимую безопасность на государственном уровне. Также ставится задача максимального обеспечения стратегических и специальных систем, включая космическую программу, ЭКБ собственного производства.

Другим примером является программное развитие изделий микросистемотехники в США и Японии, объем производства которых в США в 2005 году составил более 10 млрд. долларов, а Япония планирует достичь годового уровня производства в 17 млрд. долларов. В нашей стране это направление пока находится в зародышевом состоянии.

В последнее десятилетие четко прослеживается тенденция перемещения производства микроэлектронной техники в страны Юго-Восточной Азии, что позволяет США, Японии, Европе резко усилить научные направления поиска новых перспективных технологий (нанотехнология, микросистемотехника, биоэлектроника и др.). При этом правительства развитых западных государств оказывают поддержку данным ключевым направлениям науки, техники и производства.

В мире действуют «Международная карта развития полупроводниковых приборов», которая определяет главные показатели развития микроэлектроники до 2018 г. и ежегодно обновляется. Это, по сути дела, программный документ развития, по которому страны с передовой электроникой сверяют достигнутые технологические уровни и осуществляют формирование программ развития.

Таким образом, практически все ведущие экономики мира стимулируют развитие микроэлектроники путем комбинированных инвестиций за счет средств государственных бюджетов и частного капитала, признавая ведущую роль этой отрасли в развитии общества.

Выше приведенные данные по развитию мировой электроники в очередной раз подчеркивают необходимость планового развития электроники и определяющую роль государства в ее финансовой и организационной поддержке.

В период 2002-2006 гг. основное развитие отечественной электроники осуществлялось в процессе реализации раздела «Электронная компонентная база» Федеральной целевой программы «Национальная технологическая база», завершение действующей редакции которой было осуществлено в 2006 году.

В процессе выполнения НИОКР получены следующие основные результаты:

• В области микроэлектронных технологий реализованы проекты по созданию отдельных процессов для базовых технологий производства новых поколений СБИС и ССИС с минимальными размерами элементов 0,1-0,25 мкм, в том числе спецстойких БИС с технологическими нормами 0,5-0,8 мкм, а также по разработке технологической среды, ориентированной на сквозное проектирование аппаратуры и перспективной ЭКБ с использованием библиотек стандартных элементов и СФ-блоков. Номенклатура разрабатываемых СФ-блоков ориентирована на создание конкурентоспособных систем мультимедиа, космического мониторинга, телекоммуникаций, систем радиолокации, радионавигации, транспорта, средств связи, цифрового телевидения, систем безналичного расчета и идентификации. Впервые в стране проработаны основные положения создания трехуровневой системы автоматизированного проектирования перспективной аппаратуры на основе СБИС типа «система на кристалле».

• В области СВЧ электроники значительное внимание уделено работам по созданию современных широкозонных полупроводниковых соединений и производственно-технологического базиса производства МИС СВЧ на основе гетероструктур материалов группы А₃В₅, а также по разработке широкой гаммы мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Впервые в стране на материале группы А₃В₅ получены образцы транзисторов с Т-образным затвором длиной 0,1 мкм и разработана технология получения малошумящих транзисторов. Заложены основы технологии производства МИС СВЧ уровня 0,1 мкм.

• В области обеспечивающих работ проведены аналитические исследования по разработке классификации и определению приоритетных направлений развития СФ-блоков и СБИС типа «система на кристалле» для стратегически значимых радиоэлектронных систем.

• В рамках федеральной целевой программы «Реформирование и развитие оборонно-промышленного комплекса» (2002-2006 гг.) проводились в основном работы институционального характера, направленные на реформирование структуры радиоэлектронного комплекса.

Однако, несмотря на данные отдельные положительные результаты, следует признать, что российская электроника находится в кризисном состоянии.

Проблема глобального отставания отечественной электроники явилась следствием отсутствия целенаправленной государственной научно-технической политики в электронной промышленности России, пассивностью и неподготовленностью государства к реформированию отрасли в условиях действия рыночных механизмов хозяйствования.

Непринятие мер по устранению этой проблемы (инерционный сценарий) наиболее вероятно приведет к следующим последствиям:

1. Продолжится отставание отечественной электроники от мирового уровня, которое достигнет критического значения. Увеличится технологический разрыв, что в свою очередь приведет к отставанию тактико-технических параметров отечественных радиоэлектронных военных комплексов обнаружения, управления, связи, разведки и др., а значит неминуемо негативно отразится на состоянии обороноспособности страны.

2. Не будет обеспечена информационная и экономическая безопасность государства в связи с обвальным использованием в стратегических системах управления, обработки и защиты информации, борьбы с помехами, электронного противодействия, средствах массовой информации и др. импортной элементной базы.

3. России придется смириться с завоеванием отечественного рынка импортной электронной техникой, прежде всего телевизионной (в т.ч. цифровой), связной, автомобильной, навигационной, медицинской, коммунальной, бытовой.

4. Невозможно будет развивать другие отрасли промышленности, снизится конкурентоспособность их продукции, а значит поставится под угрозу возможность активного перехода к инновационной экономике (экономике "знаний").

Инерционный сценарий не может обеспечить решение проблемы ни при каких условиях.

Единственная возможность преодоления кризиса отечественной электроники связана с реализацией активного сценария на всех стадиях реализации Стратегии, а именно, с принятием государством продуманной и взвешенной протекционистской политики в решении структурных и технологических проблем электронной промышленности, оказании необходимой финансовой помощи для развития нового уровня технологического и производственного базиса.

Именно активный сценарий реализации Стратегии позволит решить комплекс проблем стоящих перед электронной промышленностью. Во-первых, будет ликвидирована структурная диспропорция электронной промышленности, связанная с несоответствием масштаба и структуры отрасли, ее научно-технического и производственного потенциала объему и структуре платежеспособного спроса на основную продукцию отрасли. Во-вторых, добиться комплексного развития отрасли и ликвидировать одностороннее развитие, связанное с развитием спецтехники. В-третьих, устранить несовершенство отечественного законодательства и финансовой инфраструктуры электронной промышленности.

Результативность преодоления кризиса будет определяться правильным установлением отношений между государством и бизнесом на принципах государственно-частного партнерства.

Базисом и основой планирования и реализации намечаемых мер по подъему российской электроники должен стать программно-целевой подход с обязательным участием государства, успешно использованный для решения аналогичных задач в ведущих странах мира — США, Японии, Китае, ЕС и др.

Ожидаемый результат — решение проблемы снижения уровня отечественного технологического отставания от мирового уровня, повышение востребованности отечественной электронной промышленности продукции на внутреннем и мировом рынках сбыта.

Эффект от достижения указанного результата будет многоуровневым.

На макроуровне:

· увеличивается объем продаж отечественной ЭКБ на внутреннем и внешнем рынках;

· значительно сокращается технологическое отставание российской электронной промышленности от мирового уровня;

· обеспечиваются существенно большие возможности для развития всех отраслей промышленности, и осуществляется переход к экономике "знаний";

· создаются условия для более эффективной реализации национальных проектов, объявленных Президентом;

· создается рыночно-ориентированная инфраструктура электронной промышленности с учетом реструктуризации бизнеса в этой области (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, "кремниевые фабрики" и т.д.);

· расширяется экспорт отечественной высокотехнологичной продукции;

· активизируется инновационная деятельность и ускоряется внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство;

· обеспечивается возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства, создаст условия для равноправной конкуренции с лучшими образцами ВВСТ армий ведущих мировых держав.

На микроуровне:

· обеспечивается обновляемость основных фондов организаций электронной отрасли и стимулируется создание современных высокотехнологичных производств;

· создаются крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими западными фирмами, работающими в области электроники;

· организуется производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции и обеспечение разнообразными современными телекоммуникационными услугами, включая радио и телевидение, электронные СМИ.

В социально-экономической сфере:

· увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение молодых специалистов и ученых и тем самым снизится возрастная структура кадров;

· повысится качество жизни населения, которое приблизится к стандартам высокоразвитых стран мира в связи с интеллектуализацией среды обитания в результате расширения возможности использования электроники и информационных систем.

В бюджетной сфере:

· будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий электронной отрасли.

СРОКИ РЕАЛИЗАЦИИ СТРАТЕГИИ

Планируется, что Стратегия будет реализовываться в три этапа:

первый этап – 2007-2011 годы;

второй этап – 2012-2015 годы;

третий этап – 2016-2025 годы.

 

Показатели и индикаторы

Для оценки результатов, достигнутых при реализации Стратегии, применяется интегрированная система обобщенной оценки, включающая индикатор и показатели.

Основным индикатором успешной реализации Стратегии принят освоенный в производстве технологический уровень изделий электронной техники. Ожидается, что в организациях электронной промышленности в 2011 г. будет освоен технологический уровень в 0,13-0,09 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска необходимых изделий электронной техники, соответствующей потребностям отечественных потребителей.

Претерпит существенное изменение показатель отражающий увеличение объемов продаж отечественной ЭКБ. В 2006 г. общий объем реализованной микроэлектронной продукции организаций электронной промышленности составил 13,0 млрд. руб. Ожидается, что в 2011 г. аналогичный показатель составит около 45 млрд. руб., в 2015 г. – 105 млрд. руб., а в 2025 г. – около 350 млрд. руб.Темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями и соответствовать задаче новой экономической доктрины России по увеличению ВВП. Кроме того, существенно претерпит изменение и показатель оценивающий уровень электронных технологий мирового уровня, внедренных в отечественных организациях. Изменения индикатора и показателей реализации Стратегии приведены ниже в таблицах 3, 4 и 5.

 

Таблица 3

Достигаемый технологический уровень микроэлектроники

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
0,18 мкм	0,18 мкм	0,13 мкм	0,13 мкм	0,09 мкм
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
0,09 мкм	0,09 мкм	0,065 мкм	0,065 мкм	0,018 мкм

 

Таблица 4

Увеличение объемов продаж изделий электронной промышленности

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
19 млрд. руб.	25 млрд. руб.	31 млрд. руб.	38 млрд. руб.	45 млрд. руб.
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
56 млрд. руб.	68 млрд. руб.	84 млрд. руб.	105 млрд. руб.	350 млрд. руб.

 

Таблица 5

Количество переданных в производство электронных технологий мирового уровня

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
1-2	5-6	5-6	7-8	9-12
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
10-12	10-12	12-14	12-14	25-30

 

 

2. Обоснование основных направлений решения