. , . . 4.1 [9]
:
.
(I)=4,26 ;
= 150 ;
MOSFET,
=404 ;
t VT ( )=21 ;
t ( ) =31 ;
:
( ).
t
:
. 4.1.
P P VT. , VT . 4.2 ( VT MOSFET).
MOSFET (t˚C), t˚C=25˚C ( 25 = 330 ) ( /˚C) ( =2,2 /˚C) . :
T2:
[5, c. 117].
[2],
P VT, =2,51 ;
KT , . ;
tc = 20 ;
R =0,45 ;
RTKM , , , , , = ;
T max min (T1˚C, T2˚C);
T1=170 ˚C < T2=174 ˚C T max :
T max=170 ˚C.
, :
,
P
t, ˚C
.4.2. =f(t˚C) VT
5.1 R=(tC) (. 5.1). :
, :
|
|
5.1
, | , / | |||||
ϭ175 | (-10)(+400) | -10/44,17 | 100/63,99 | 250/89,46 | 400/114,72 |
:
.5.1.
( 10 400) (R2 min=44,17 , R2 ma x = 114,72 ).
. 5.2.
5.2. : ();
()
R2 , R5 , , , t. U=0. , R5 , . R2 min , R5 , . .
R2 min(R4+R5)=R1 R3.
, R 5 R2 max R4=(R1+R5) R3.
4 R1, R3, R4 R5. ( R5) , :
1) , ( , );
2) , E1. : IR2 < I ( P£1 ).
, . :
,
,
( ).
:
R3 = 1100 c
, R4 = 1100 , , , ;
R2 min R2 max, .. U (, R2 min), E1=5 :
; (5.1)
; (5.2)
ε1= Ua= U U .
ε1= Ua= U U= 0,000000 .
R2 ( R2min) 1% . Dt˚C=400 (10)=410, 1% 4,1 , . . R2 t˚C= 10+4,1= -5,9.
(5.2) ε1
ε1= Ua= U Ub1= 0,00296 .
, ( ).
(. 5.2, ) .
R3 = R4 = 1100 c . R1 R1 =47 0,125 . R5 3-38,
|
|
R5 =68 , c 0,125 ;