Выходной каскад ОУ должен обеспечивать

1) только высокую нагрузочную способность;

2) только малый уровень искажений;

3) только широкий динамический диапазон;

4) одновременно высокую нагрузочную способность, широкий динамический диапазон и малый уровень искажений.

 

Функциональная микроэлектроника предполагает

1) реализацию определенной функции аппаратуры на основе физических явлений в твердом теле;

2) реализацию множества функций одновременно на основе использования БИС;

3) реализацию определенной функции аппаратуры с применением базовых элементов;

4) реализацию множества функций аппаратуры за счет применения ЧИП-элементов.

 

Функциональные микросхемы могут выполняться на основе

1) только полупроводников;

2) только сверхпроводников;

3) материалов с фотопроводящими свойствами;

4) полупроводников, сверхпроводников, сегнетодиэлектриков.

 

В функциональной электронике используются

1) только оптические явления;

2) только физические явления в твердом теле;

3) явления холодной эмиссии;

4) явления холодной эмиссии, оптические явления в твердом теле.

 

169. Оптоэлектронный прибор – это устройство

1) для преобразования электрического сигнала в оптический;

2) для преобразования оптического сигнала в электрический;

3) для преобразования электрического сигнала в оптический и обратно;

4) усиления оптических сигналов.

 

Основным элементом оптоэлектроники является

1) оптрон только с внутренней фотонной связью;

2) оптрон только с внешней фотонной связью;

3) оптрон как с внутренней, так и с внешней фотонной связью;

4) оптрон с гальванической связью.

Основными разновиддностями оптоэлектронных микросхем являются

1) только многоэлементные фотоприемные устройства;

2) только передающие цифровые микросхемы;

3) фотоприемные и передающие устройства;

4) только передающие устройства с внутренней коммутацией.

 

Оптоэлектронные интегральные микросхемы используются для

1) только переключения логических и аналоговых сигналов;

2) только в качестве схем цифро-буквенной индикации;

3) только в качестве реле;

4) в качестве реле, переключателя логических и аналоговых сигналов и схем цифро-буквенной индикации.

173. Аккустоэлектрический эффект – это

1) возникновение в металле тока под действием ультразвуковых волн;

2) возникновение в полупроводнике ЭДС под воздействием электромагнитного поля;

3) возникновение в металле или полупроводнике тока или ЭДС под действием ультрафиолетовых волн;

4) возникновение в металле или полупроводнике тока или ЭДС под воздействием электромагнитного поля.

Поверхностно-акустические волны распространяются

1) только на свободной поверхности твердого тела;

2) только вдоль границы твердого тела с другой средой;

3) только внутри звукопровода;

4) по свободной поверхности твердого тела или вдоль границы твердого тела с другой средой.

 

Потери энергии ультразвуковых волн

1) в изоляторах и полупроводниках одинаковые;

2) в изоляторах меньше, чем в полупроводниках;

3) в полупроводниках меньше чем в изоляторах;

4) не вносят потерь и изоляторы и проводники.

 

Поверхностно-акустические волны ультразвукового диапазона применяются

1) только для изготовления полосовых фильтров;

2) только для изготовления резонаторов;

3) только для изготовления фазовращателей;

4) для изготовления фазовращателей, резонаторов, полосовых фильтров.

 

В основе принципа работы фильтра ПАВ лежит

1) изменение условий распространения акустических волн;

2) изменение скорости волны;

3) изменение частотной характеристики фильтра;

4) изменение условий распространения акустической волны, изменение скорости волны и частотной характеристики фильтра.