Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ312В

Содержание

 

1. Цель работы……………………………………………………………………3

2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4

3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6

4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8

5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11

7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12

8. Построение сквозной характеристики I_к(U_бэ) …………………………13

Определение динамических параметров усилительного каскада.....14

10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15

Заключение……………………………………………………………………..17

Список литературы……………………………………………………………18

Приложение…………………………………………………………………….19

 

Цель курсовой работы

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

 

2. Задание на курсовую работу

 

Исходные данные к курсовой работе:

Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ312В

 

§ Напряжение источника питания_ _ _ _ Е_п = 15 В

§ Сопротивление в цепи коллектора_ _ _R_к = 0,43 кОм

§ Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ R_н = 0,62 кОм

 

Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный n-p- n-транзистор предназначен для усиления и генерирования колебаний высокой частоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах.

Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 1 г.[2]

 

 

Электрические параметры. Классификационные параметры:

 

U_кэнас, U_бэнас, h _21э, | h _21э |.

 

Наименование	Обозначение	Значения	Режим измерения
Мин	типовое	Макс	Uк, В	Iк, мА	Iб, мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА: При Тс= +85 0С При Тс= -40 0С	Iкбо		0,2 0,01
Обратный ток эмиттера, мкА (при Uэб max=Uэ)	Iэбо		0,1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	Uкэнас		0,18	0,8
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	Uбэнас		0,83	1,1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21э |
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	h21э
При Тс= +85 0С
При Тс= -40 0С
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск		3,5
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0.5В)	Сэ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	τк

Максимально допустимые параметры:

 

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с = -40…+85 ⁰С.

 

Iк max – постоянный ток коллектора, А
Iк,и max – импульсный ток коллектора, А
Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В
UКЭR max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£100 Ом),В
Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс ≤ 25 0С), мВт
P и max – импульсная рассеиваемая мощность транзистора (tи ≤ 1 мкс), мВт
RT,п-о – тепловое сопротивление переход - окружающая среда, 0С/мВт	0,4
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-60…+120

 

При Т_с= -40…+25 ⁰С, при Т_с=25…85 ⁰С P_{к max} [мВт]=75+(85- Т_с)/ R_T,п-о.

 

Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией