Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора

Введение

 

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

 

 

Расчет усилительного каскада

 

Исходные данные к курсовой работе

 

Тип транзистора	КТ208Г
Напряжение источника питания, Eп	24 В
Сопротивление цепи К, Rк	1,5 кОм
Сопротивление нагрузки, Rн	2 кОм

 

Характеристики используемого транзистора

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208Г. Транзистор типа КТ208Г - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

 

Электрические параметры:

Наименование	Обоз-наче-ние	Значения	Режимы измерения
min	Ти-по-вое	max	Uк, В	Iк, мА	IБ, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА	I КБ0				UКБ мах
Обратный ток эмиттера, мкА (при UЭ =UЭБ МАХ)	I ЭБ0
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В	UКЭ нас			0.4
Напряжение насыщения база- эмиттер, В	UБЭ нас			1.5
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ при Тс= +125 0С при Тс= -60 0С	h21э							0,27   0,27 0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при I э=5мА)	h11э							0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., См (при Iэ=1 мА)	h22э	0,15	0,3	0,55				0,27
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0,5 В)	СЭ
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр

Максимально допустимые параметры:

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=25...125 ⁰С

 

IК max - Постоянный ток коллектора, А.	0,3
IК и max - Импульсный ток коллектора, А (h21Э ≥ 6, UКЭ нас≤0.7 B, IБ≥0.1 A)	0,5
IБ max- Постоянный ток базы, А	0,1
UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (при понижении Тс от +15 до -60 значения UКБ мах, UКЭ R мах уменьшаются до 10 В)
UКЭ R max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм),В
UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В
Pк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт
Т п мах - Температура перехода, 0С
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-60…+125

 

При Т_с = +60° … +125°С мощность линейно уменьшается до 50 мВт.

Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора

Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией представлена на рисунке 1.

 

Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией