V Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201Б

Содержание

 

1. Цель работы……………………………………………………………………3

2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4

3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6

4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8

5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11

7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12

8. Построение сквозной характеристики I_к(U_бэ) …………………………13

Определение динамических параметров усилительного каскада.....14

10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15

Заключение……………………………………………………………………..17

Список литературы……………………………………………………………18

Приложение…………………………………………………………………….19

 

Цель курсовой работы

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

 

2. Задание на курсовую работу

 

Исходные данные к курсовой работе:

v Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201Б

 

v Напряжение источника питания_ _ _ _ Е_п=15 В

v Сопротивление в цепи коллектора_ _ _R_к=0,91 кОм

v Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ R_н=1,3 кОм

 

Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор предназначен для использования в усилительных схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,6 г.[2]

 

Электрические параметры:

Наименование	Обозначение	Значения	Режимы измерения
Min	Max	Uк,В	Uэ,В	Iк,мА	Iэ,мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА	Iкбо
Обратный ток эмиттера, мкА	Iэбо
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала	h21б		3×10-8
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|							104
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	h21Э
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСим	h22б
Ёмкость коллекторного перехода, пФ	CK							104