Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ342В

Содержание

 

1. Цель работы……………………………………………………………………3

2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4

3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6

4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8

5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11

7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12

8. Построение сквозной характеристики I_к(U_бэ) …………………………13

Определение динамических параметров усилительного каскада.....14

10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15

Заключение……………………………………………………………………..17

Список литературы……………………………………………………………18

Приложение…………………………………………………………………….19

 

Цель курсовой работы

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

 

2. Задание на курсовую работу

 

Исходные данные к курсовой работе:

Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ342В

 

§ Напряжение источника питания_ _ _ _ Е_п = 6 В

§ Сопротивление в цепи коллектора_ _ _R_к = 0,12 кОм

§ Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ R_н = 0,18 кОм

 

Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный n-p- n-транзистор предназначен для использования в ЭВМ «Электроника 70», в радиовещательных приемниках и в другой аппаратуре.

Корпус металлический с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г.[2]

 

 

Электрические параметры. Классификационные параметры:

 

h _21э, | h _21э |,U_{КЭО гр}, I_КЭR, U_БЭнас, I_КБО.

 

Наименование	Обозначение	Значения	Режим измерения
Мин	Макс	Uк, В	Iк, мА	Iб, мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА:	IКБО	5×10-6	0,05
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО
Обратный ток коллектор-эмиттер (RБ≤10 кОм), мкА	IКЭR
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UКЭнас	0,05	0,1
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UБЭнас	0,6	0,9
Граничное напряжение транзистора, В	UКЭО гр
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21э |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	h21э
Емкость коллекторного перехода, пФ	Ск
Входное сопротивление в режиме малого сигнала, Ом	h21б						10-3
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс	τк

Максимально допустимые параметры:

 

Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с = -60…+125 ⁰С.

 

Iк max – постоянный ток коллектора, мА
Iк,и max – импульсный ток коллектора (tи≤40 мкс, Q≥500), мА
Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В
UКЭR max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм, Iк=30 мкА), В: · при Тс= -60 0С …+100 0С · при Тс= +125 0С
Uкб max – постоянное напряжение коллектор-база, В
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = -60…+25 0С), мВт
Tп max – температура перехода, 0С
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-60…+125

 

При температуре выше 100 ⁰С напряжение уменьшается линейно.

При температуре более 25 ⁰С P_{к max} [мВт]= (150- Т_с)/ R_T,п-с, где R_T,п-с=0,5 ⁰С/мВт.

 

Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией