Общие сведения, классификация

ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИКА И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ В МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ СИСТЕМАХ

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ, КЛАССИФИКАЦИЯ

7.1.1. УРОВЕНЬ ИНТЕГРАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (ИС) И ЕГО ВЛИЯНИЕ НА КАЧЕСТВО ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ И ЕЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ.

БИС/СБИС ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКИ - СРЕДСТВО ИСКЛЮЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ МАЛОГО И СРЕДНЕГО УРОВНЕЙ ИНТЕГРАЦИИ ИЗ СОСТАВА МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ СИСТЕМ

Интегральные схемы (ИС), составляющие основу элементной базы средств обработ­ки информации, характеризуются широким диапазоном сложности (уровня интеграции). Уровень интеграции оценивается условным числом эквивалентных вентилей (чаще все­го вентилей типа 2И-НЕ), которые могли бы быть размещены на данном кристалле. Вы­пускаемые промышленностью цифровые схемы имеют уровень интеграции от несколь­ких единиц для малых интегральных схем (МИС) до нескольких миллионов для сверх­больших интегральных схем (СБИС).

Генеральная тенденция развития цифровых интегральных схем - постоянный рост уровня интеграции. Непрерывное за все время существования ИС совершенствование технологии их производства позволяет постоянно снижать минимальные размеры схем­ных элементов и потребляемую ими мощность и увеличивать площадь кристалла, благо­даря чему растет достижимый уровень интеграции. Эти же факторы существенно улуч­шают технико-экономические параметры не только самих ИС (быстродействие, надеж­ность, стоимость, отнесенную к единице логической мощности, и др.), но и параметры реализованной на ИС аппаратуры.

К основным модулям микропроцессорной системы относятся процессоры, память, внешние устройства и интерфейсные схемы. Микросхемы процессоров и памяти сточки зрения производителей ИС являются стандартной продукцией. Промышленность выпус­кает широкий спектр обоих типов микросхем, отличающихся большим разнообразием параметров. Из имеющегося множества типономиналов процессоров и запоминающих устройств проектировщик (системотехник) выбирает наиболее подходящий для своего проекта вариант. Важно, что изготовитель микросхем процессоров и памяти не выполня­ет индивидуальные заказы потребителей, а работает на широкий рынок. Это обеспечи­вает стандартным микросхемам большие объемы производства - необходимое условие реализуемости ИС высокого уровня интеграции. Действительно, стоимость проектиро­вания С_пр сложных ИС чрезвычайно велика, но входит в стоимость микросхемы в виде составляющей С_пр/N, где N— тиражность производства данной ИС. Только при достаточ­но больших значениях N будут оправдываться большие затраты средств на проектиро­вание БИС/СБИС.

Кроме стандартных частей микропроцессорная система содержит и некоторые ин­дивидуальные схемотехнические части для сопряжения модулей и управления ими. Такие индивидуальные части системы ранее приходилось строить с помощью ИС ма­лого и среднего уровней интеграции, применение которых ведет к резкому увеличению числа корпусов и внешнего монтажа в схемах МПС, а это сопровождается столь же резким снижением их быстродействия и надежности, росту габаритных размеров и по­требляемой мощности.

Таким образом, для создания высококачественной сложной цифровой аппаратуры следует использовать ИС высокого уровня интеграции.

Появление в нестандартных блоках системы малых и средних ИС всегда объясня­лось только экономическими причинами - чрезмерно высокой стоимостью заказных БИС/СБИС при малых объемах их выпуска. С точки зрения технологии, естественно, ре­ализация специализированных БИС/СБИС была вполне осуществима. Препятствия к при­менению БИС/СБИС в специализированных частях микропроцессорных систем стали постепенно устраняться по мере развития программируемых ИС.

Как будет показано далее, применение БИС/СБИС с программируемой логикой улуч­шает и ряд других важных параметров проектов - время подготовки продукции к выходу на рынок (Time to Market), безошибочность проектирования и др.

7.1.2. КЛАССИФИКАЦИЯ ИС ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКИ

Микросхемы программируемой логики классифицируются по нескольким признакам (рис. 7.1). По уровню интеграции их можно разделить на простые, сложные и схемы типа «системы на кристалле» (SOC, System On Chip), как показано на рис. 7.1. Можно сказать также, что простые ИС программируемой логики относятся к первому их поколе­нию, тогда как сложные и SOC принадлежат к следующим.

Простые ИС с программируемой логикой (ИС ПЛ), обозначаемые в совокупности как PLD (Programmable Logic Devices), делятся на микросхемы программируемой матричной логики ПМЛ (PAL, Programmable Array Logic) и микросхемы программируемых логичес­ких матриц ПЛМ (PLA, Programmable Logic Array). Усложненные варианты PAL некото­рые производители называют схемами GAL (Generic Array Logic). Простые ИС ПЛ рас­считаны на реализацию систем переключательных функций и использовались для за­мены нескольких корпусов или даже десятков корпусов стандартных ИС на один корпус PLD. По мере их усложнения решаемые ими задачи также усложнялись, в частности, появилась ориентация на реализацию конечных автоматов (в схемы PLD стали вводить элементы памяти).

Продолжением линии развития ПМЛ стали сложные БИС/СБИС типа CPLD (Complex PLD), в которых, как и в PLD, используются схемы непосредственной реализации дизъюнк­тивных нормальных форм переключательных функций (функций типа SOP, Sum Of Products), но в одной CPLD имеется несколько ПМЛ (PAL, GAL), объединенных системой коммутации.

Сложные ИС ПЛ типа FPGA (Field Programmable Gate Arrays) содержат матрицу логи­ческих блоков того или иного типа, расположенных по строкам и столбцам, между кото­рыми размещены средства коммутации, позволяющие с помощью программирования получать необходимые взаимные соединения логических блоков. Сами блоки могут быть выполнены различным образом. Стремление объединить достоинства, присущие CPLD и FPGA, привело к созданию БИС/СБИС комбинированной архитектуры, для которых еще не выработано общепринятое название.

Рост уровня интеграции дал возможность размещать на кристалле схемы, сложность которых соответствует целым системам (мегавентильные схемы). Такие схемы именуются SOC и могут быть разделены на два типа - однородные схемы, в которых функциональ­ное назначение отдельных областей кристалла обеспечивается программированием од­них и тех же по типу ресурсов (схемы типа generic), и блочные структуры, в которых отдель­ные области кристалла специализированы уже при их изготовлении. Про такие кристаллы говорят, что они содержат специализированные аппаратные ядра (Hardcores).

Важным классификационным признаком ИС ПЛ является тип памяти конфигурации, т. е. тип программируемых элементов, задаваемое состояние которых как раз и создает требуемое устройство как конкретный вариант межсоединений имеющихся на кристалле схемотехнических ресурсов. Программируемые элементы представляют собой двухполюсники, играющие роль ключей, которым при программировании задаются состояния «зам­кнуто» или «разомкнуто». Число программируемых элементов в ИС ПЛ зависит от их слож­ности и в схемах наибольшего уровня интеграции измеряется миллионами.

 

 

 

В ИС ПЛ используются или использовались ранее следующие типы программируе­мых элементов:

• плавкие перемычки Fuse (в схемах самых первых образцов);

• пробиваемые диэлектрические перемычки Antifuse (краткий русский термин отсутствует);

• однократно заряжаемые «плавающие затворы» МОП-транзисторов (EPROM-OTP);

• перезаряжаемые «плавающие затворы» с введением заряда электрическими воздействиями на транзистор и его стиранием с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами (EPROM);

• перезаряжаемые «плавающие затворы» с электрическими записью и стиранием заря­дов (EEPROM, Flash);

• ключевые МОП-транзисторы, управляемые триггерами памяти конфигурации (SRAM-based).

Репрограммируемые элементы EPROM, EEPROM, Flash, SRAM-based различаются по свойствам. Элементы EPROM с ультрафиолетовым стиранием допускают ограничен­ное число перезаписей заряда, так как процесс облучения постепенно изменяет свой­ства кристалла.

Элементы с электрическим стиранием имеют существенно большее число допусти­мых перезаписей заряда (приблизительно в тысячу раз), а элементы с триггерной памя­тью конфигурации могут репрограммироваться неограниченно.

Одним из признаков классификации служит наличие или отсутствие связи между задержками распространения сигналов и конкретными путями их передачи по межсое­динениям кристалла. Этот фактор важен, так как независимость задержки от конкретного пути передачи сигнала означает предсказуемость задержек, что существенно облегчает построение на кристалле работоспособных схем, особенно схем высокого быстродействия.

7.1.3.КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ТИПЫ СОВРЕМЕННЫХ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Программируемые перемычки типа «antifuse» (рис. 7.2, а, б) в исходном состоянии (до программирования) имеют чрезвычайно большие сопротивления (токи утечки поряд­ка фемтоампер). Программирующий импульс напряжения пробивает трехслойный диэ­лектрик с чередованием слоев «оксид - нитрид - оксид» и создает проводящий поли­кремниевый канал между поликремниевым электродом и диффузионной областью n+, причем в зависимости от тока через перемычку в режиме ее программирования можно

получить проводящий участок с сопротивлениями от 100 Ом и выше при очень малой паразитной емкости.

Элементы EEPROM и Flash реализуются на ЛИЗМОП-транзисторах (название тран­зистора отражает процесс лавинной инжекции заряда в плавающий затвор). На рис. 7.3 показан ЛИЗМОП-транзистор с двумя затворами - плавающим и обычным.

 

Плавающий затвор не имеет внешнего вывода и как бы погружен в диэлектрик (ок­сид, т. е. двуокись кремния). В этом затворе может создаваться или ликвидироваться заряд электронов. При подаче на обычный затвор повышенного значения программиру­ющего напряжения через тонкий слой оксида электроны туннелируют в плавающий зат­вор, в котором создается заряд отрицательного знака. После снятия программирующего напряжения и возврата напряжения на затворе к уровню рабочих напряжений электроны оказываются в ловушке, где могут сохраняться в течение десятков лет. При этом транзи­стор будет заперт, так как отрицательный заряд плавающего затвора создает электри­ческое поле, противодействующее полю положительно заряженного затвора. При отсут­ствии заряда в плавающем затворе рабочее положительное напряжение на внешнем затворе обеспечивает отпирание транзистора (создает между стоком и истоком прово­дящий канал). На рис. 7.3,а показан режим программирования ЛИЗМОП-транзистора, а на рис. 7.3,6 - режим стирания заряда. Стрелками показаны пути туннелирования элек­тронов через тонкий слой оксида.

Память конфигурации типа EEPROM на основе ЛИЗМОП для обновления содержи­мого не требует извлечения микросхемы из устройства и допускает большое число цик­лов стирания данных (от десятков тысяч до миллиона). Стирание старой информации и запись новой занимают время порядка миллисекунд.

Программирование заряда в плавающем затворе используется и в технике EPROM, причем в этом случае возможно применение ЛИЗМОП-транзисторов с одним плаваю­щим затвором при стирании заряда путем облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами через специальное окошко в корпусе микросхемы. Стирание информации в па­мяти конфигурации типа EPROM является длительным процессом, занимающим десят­ки минут, и производится на специальном программаторе. Число циклов стирания суще­ственно ограничено (сотни, тысячи). В последнее время схемотехника EEPROM быстро совершенствуется и все больше вытесняет схемотехнику EPROM, широко распростра­ненную в предыдущих программируемых схемах.

Вариантом схемотехники EEPROM является так называемая Flash-память. Принцип работы элементов этой памяти не отличается от принципа работы описанных ЛИЗМОП-транцисторов,

 

но новый технологический уро­вень их реализации и полученные вследствие этого улучшенные технико-экономические ха­рактеристики, как и блочное стирание данных, выделили Flash-память в отдельный класс, который считается вершиной достижений в области памяти с электрическим стиранием данных, хранимых в виде зарядов плавающих затворов.

В схемах со статической памятью конфигурации роль программируемого соединения играет транзисторный ключ. Такой ключ, управляемый триггером памяти конфигурации, показан на рис. 7.4. Ключевой транзистор Т2 замыкает или размыкает участок ab в зави­симости от состояния триггера, подключенного к затвору транзистора

 

Рис. 7.4. Ключевой транзистор, управляемый триггером памяти конфигурации

. При программиро­вании сигналом с линии выборки включается транзистор Т1 и с линии записи/чтения подается сигнал установки или сброса триггера. В рабочем режиме транзистор Т1 за­перт, а триггер сохраняет заданное ему состояние. Соответственно характеру памяти конфигурации (статическая триггерная) схемы такого типа называют SRAM-based.

Загрузка тех или иных данных в память конфигурации программирует микросхему. Про­цесс программирования может производиться неограниченное число раз и с высокой ско­ростью. При выключении питания конфигурация разрушается, поэтому после каждого вклю­чения питания требуется новая загрузка данных в память конфигурации. Такая загрузка может производиться из какой-либо энергонезависимой памяти за время порядка милли­секунд (в зависимости от объема файла конфигурации за единицы, десятки, сотни милли­секунд или даже больше). Триггеры памяти конфигурации распределены по всей площади кристалла и размещаются вблизи тех схем, которые они конфигурируют.

В современных микросхемах программируемой логики триггерная память конфигура­ции занимает важнейшее место.

Завершая обсуждение общих вопросов, связанных с особенностями микросхем про­граммируемой логики, следует подчеркнуть, что они выпускаются промышленностью как полностью готовые. При использовании таких схем потребитель не обращается к изготови­телю для проведения каких-либо завершающих разработку операций и выполняет про­граммирование микросхем самостоятельно. Это дает основание отнести ИС ПЛ к стандар­тной продукции электронной промышленности, что ведет к известным положительным последствиям - массовости производства и снижению стоимости микросхем.